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控制双层石墨烯Moiré超级晶格中的umklapp散射
摘要：我们提出了有关电子 - 电子散射的实验发现，其中具有可调的费米波载体，相互晶格矢量和带隙。我们在双层石墨烯（BLG）和HBN的高弹性对齐异质结构中实现这一目标。在半满点附近，对这些设备的电阻的主要贡献是由Umklapp Electron-电子（UEE）散射产生的，这使得石墨烯/HBN Moire ́设备的电阻明显大于非对齐的设备的电阻（在此处禁止UEE）。我们发现，UEE散射的强度遵循Fermi能量的通用缩放，并且在非单声道上取决于超晶格时期。UEE散射可以用电场调节，并受BLG层极化的影响。它具有强粒子 - 孔不对称；当化学电位在传导带中的电阻明显低于在价带中的电阻，这使得电子方案在潜在应用中更实用。关键字：Umklapp散射，双层石墨烯，Moire ́超晶格，层极化，棕色 - Zak振荡
研究生院研讨会探索钒的薄片...
基于钒的Kagome超导体AV 3 SB 5（A = K，RB，CS）具有超导性和电荷排序之间的丰富相互作用。这些阶段可以通过施加静水压力来有效地分解。我将讨论我们通过压力下的运输电流探测正常状态和AV 3 SB 5的超导性的方法。磁取力最高〜31 t揭示了量子振荡，从而可以分析费米表面。尤其是，当电荷顺序被压力抑制时，大频率> 8000 t出现，从而揭示了重建前原始的费米表面[1,2]。在超导状态下，CSV 3 SB 5中的自我临界电流测量表现出可以通过无节结节的超导间隙来理解的温度依赖性，这与我们的发现对样品纯度不敏感[3]。最后，零温度极限处的自场临界电流显示在电荷顺序的边界附近也有巨大的增强，其中T C也得到了增强，暗示了电荷波动在超导性上的作用[4]。
劳伦斯·伯克利国家实验室
van der waals（vdw）金属接触已被证明是一种有希望的方法，可降低接触性并最大程度地减少二维（2D）半导体界面处的费米水平插头。但是，只能将有限数量的金属剥离并层压到FABSCRAPITE VDW触点，并且所需的手动传输过程是不可扩展的。在这里，我们报告了一种易于适用于各种金属和半导体的晶圆尺度和通用VDW金属集成策略。通过利用热分解聚合物作为缓冲层，直接沉积了不同的金属，而不会损害下面的2D半导体通道。聚合物缓冲液可以通过热退火干燥。使用此技术，可以将各种金属整合为2D晶体管的接触，包括AG，Al，Ti，Ti，Cr，Ni，Cu，Cu，Co，au，pd。最后，我们证明了这种VDW集成策略可以扩展到具有降低费米级固定效果的批量半导体。
高性能Terahertz连贯的完美吸收与非对称石墨烯Metasurface
摘要：在这项工作中，我们引入了一种新颖的连贯的完美吸收器，通过强调通过使用不对称石墨烯元素的宽带宽度，厚度减小，可调性和直接设计来突出其新颖性。此设计均包含在硅基板两侧排列的正方形和圆形石墨烯贴片。具有优化的结构设计，该吸收器始终在1.65至4.49 THz的频率范围内捕获超过90％的传入波，而石墨烯费米水平为0.8 eV，整个设备的测量仅为1.5 um。这使我们的吸收器比以前的设计更有效和紧凑。通过将元表面的几何设计与石墨烯费米水平相结合，可以显着增强吸收器的有效性。可以预料，这种超薄的宽带连贯的完美吸收装置将在出现的芯片上通信技术中起着至关重要的作用，包括光调节器，光电探测器等。
半导体Srtioa•！ls“ m4h。„ d
在较高温度下半导体的物质中发生的超导性具有不同的特征，这些特征与序列金属超级弹性不同。在相对较低的电荷载体浓度材料中的超导性发生在很大程度上是由于费米表面AR处异常高的状态密度（0）；热容量和超级传导临界场实验等等显示了大N（0）的存在。基本上恒定的电子能带结构内的变异性会导致超导过渡温度TC的COR响应变化。在Multivalley半号导管中存在Aniso-Tropic Fermi表面，可能会导致异常大且动anisotrapic压力效应。半导体中相对较低的载体浓度导致超导状态下静态磁场的深度渗透。最后，在半导体中可能很大的静态介电常数可以通过将相似的半导体组合到混合晶体中来改变。在一定程度上，超导特性取决于介电特性，变化
Bogoliubov de gennes Quasi粒子特征状态和平坦带超导两分晶格的普遍关系的隐藏对称性下一年度邻居跳上单个...
在正方形晶格上的半填充一轨式哈伯德模型中，我们研究了使用基于基于蒙特利亚的 +蒙特 - 卡洛方法对模拟过程的精确型 - 型号 +基于蒙特 - 卡洛的方法在有限的温度下跳跃对单粒子光谱函数的影响。我们发现，在néel温度t n和相对较高的温度尺度t ∗之间存在的伪ap状倾角，沿高象征性方向以及沿正常状态的福利表面沿孔和颗粒激发能量中有显着的不对称能量。从（π/ 2，π/ 2）沿正常状态费米表面移动到（π，0）时，孔驱引气能量增加，这种行为与在高t c库酸酯的d波状态和伪gap阶段非常相似，而粒子示出能量的行为降低。Quasiparticle峰高度是最大的（π/ 2，π/ 2），而它是靠近的小（π，0）。这些光谱特征在t n之外生存。温度窗口t n t n t≲t ∗随着下一个最新的邻居跳跃的增加而缩小，这表明下一个最新的邻居跳跃可能不支持PseudoGap-like特征。
配对对称性对镍超导体LA3NI2O7
在压力下，在LA 3 Ni 2 O 7中发现了高温超导性。然而，从理论上讲，对其配对对称性尚未达成共识。通过将密度函数理论（DFT）结合，最大定位的频函数和线性差距方程与随机相位及相关性，我们发现，如果La 3 Ni 2 O 7的配对对称性为D XY，则如果其DFT频带的结构准确地由下flowdolded byborbiane twopord twopold twopord twopord twoce xy。更重要的是，我们揭示了La 3 Ni 2 O 7的配对对称性敏感地取决于两个Ni-e G轨道之间的晶体场分裂。ni-e g晶体场的略有增加分裂改变了配对对称性从d xy到s±。这种转变与费米速度和敏感性的变化有关，而费米表面的形状几乎保持不变。我们的工作强调了多轨超导体中低能电子结构对对称性的敏感依赖性，当一个人计算其配对对称性时，它在下垂过程中需要注意。
光学材料
电生理学研究所URB RAS，Amundsen St. 106，Ekaterinburg，620016，俄罗斯B乌拉尔联邦大学以俄罗斯第一校长的名字命名。Yeltsin，Mira St. 19，Ekaterinburg，620002，俄罗斯C C.N.R. - 国民研究委员会，国立光学研究所，INO，麦当娜·德尔钢琴10B，I-50019，Sesto Fiorentino，FI，ITALY D C.N.R. - 国际研究委员会，应用物理研究所“ N. Carrara”，IFAC，麦当娜·德尔钢琴10C，I-50019，Sesto Fiorentino，FI，Italy，Italy和C.N.R. - 国家研究委员会，国立光学研究所，INO，Largo E. Fermi 10，I-50125，佛罗伦萨，FI，意大利，意大利，PISA大学，化学系，Giuseppe Moruzzi，13，I-56124，I-56124，I-56124，I-56124，I-56124，ITALY G，ITALY G，ITALY G FRORLETIA，U. SCHIFE，3-13 I-50019，Sesto Fiorentino，FI，意大利Yeltsin，Mira St. 19，Ekaterinburg，620002，俄罗斯C C.N.R.- 国民研究委员会，国立光学研究所，INO，麦当娜·德尔钢琴10B，I-50019，Sesto Fiorentino，FI，ITALY D C.N.R.- 国际研究委员会，应用物理研究所“ N. Carrara”，IFAC，麦当娜·德尔钢琴10C，I-50019，Sesto Fiorentino，FI，Italy，Italy和C.N.R.- 国家研究委员会，国立光学研究所，INO，Largo E. Fermi 10，I-50125，佛罗伦萨，FI，意大利，意大利，PISA大学，化学系，Giuseppe Moruzzi，13，I-56124，I-56124，I-56124，I-56124，I-56124，ITALY G，ITALY G，ITALY G FRORLETIA，U. SCHIFE，3-13 I-50019，Sesto Fiorentino，FI，意大利
Energies -enea -iris Open Archive
1智能电网和能源网（SGRE）实验室，意大利国家新技术，能源和可持续经济发展机构（ENEA），Portici Research Center，Piazzale Enrico Fermi 1，80055 Portici，意大利Portici； Marialaura.disomma@enea.it 2 Bucharest经济学大学经济信息与控制论系，罗马尼亚布加勒斯特，布加勒斯特； camelia.delcea@csie.ase.so.ro 3工程系，degli Studi di Palermo，Piazza Marina，61，90133意大利巴勒莫； antonino.barberi@unipa.it（A.B。）; vincenzo.didio@unipa.it（V.D.D.）; pietro.catrini@unipa.it（p.c.）; stefania.guarino@unipa.it（s.g.）; sonia.longo@dream.unipa.it（s.l.）4锡耶纳大学生物技术化学与药学系，通过A. Moro 2，53100 Siena，意大利； federico.rossi3@unisi.it（F.R.）; marialaura.parisi@unisi.it（m.l.p.）; adalgisa.sinicropi@unisi.it（A.S。） *通信：gabriella.ferruzzi@enea.it
平面超导体中的相关函数和特征长度
在平面频带（FB）材料中，高温超导性非常规形式的可能性并不能挑战我们对相关系统中物理学的理解。在这里，我们计算了在各个一维FB系统中的正常和异常的单粒子相关函数，并系统地提取特征长度。当Fermi能量位于FB中时，发现相干长度（ξ）是晶格间距的顺序，并且对电子电子相互作用的强度较弱。最近，有人认为，在FB化合物中可以将ξ分解为BCS类型的常规部分（ξBCS），而几何贡献则表征了FB本征态，量子度量（）。但是，通过以两种可能的方式计算连贯长度，我们的计算表明ξ̸= p