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F50L1G41LB (2M) 闪存
一般描述 串行电气接口遵循行业标准串行外设接口 (SPI)，在必须将引脚数保持在最低限度的系统中提供经济高效的非易失性存储器存储解决方案。该设备是基于标准并行 NAND 闪存的 1Gb SLC SPI-NAND 闪存设备，但为 SPI 操作定义了新的命令协议和寄存器。它也是 SPI-NOR 的替代品，与 SPI-NOR 相比，具有更出色的写入性能和每位成本。命令集类似于通用 SPI-NOR 命令集，经过修改以处理 NAND 特定的功能和新功能。新功能包括用户可选择的内部 ECC。启用内部 ECC 后，当将页面写入内存阵列时，会在内部生成 ECC 代码。ECC 代码存储在每个页面的备用区域中。当将页面读入缓存寄存器时，将再次计算 ECC 代码并将其与存储的值进行比较。如有必要，将纠正错误。该设备输出更正后的数据或返回 ECC 错误状态。
F50L1G41LB（2M）Flash
一般说明串行电气接口遵循行业标准的串行外围界面（SPI），在系统中提供了具有成本效益的非挥发存储器存储解决方案，在该系统中，必须将PIN计数保持在最低限度。该设备是基于标准并行NAND Flash的1GB SLC SPI-NAND闪存设备，但是为SPI操作定义了新的命令协议和寄存器。它也是Spi-nor的替代方法，提供了出色的写作表现，并且每位比Spi-Nor提供了成本。命令集类似于常见的spi-nor命令集，已修改以处理NAND特定功能和新功能。新功能包括可选择用户的内部ECC。启用了内部ECC，当页面写入内存数组时，内部生成了ECC代码。ECC代码存储在每个页面的备用区域中。当将页面读取到高速缓存寄存器时，将再次计算ECC代码并将其与存储值进行比较。必要时会纠正错误。该设备要么输出校正数据或返回ECC错误状态。
FC51L08SFY3A eMMC 闪存 3.3V 8 Gbyte ...
兼容 JEDEC 嵌入式多媒体卡（eMMC）电气标准（5.1） 数据总线宽度：1bit（默认）、4bit 和 8bit 不支持大扇区大小（4KB） 接口电源：V CCQ（1.70V~1.95V 或 2.7V~3.6V），存储器电源：V CC（2.7V~3.6V） 温度：工作（-25°C~85°C），存储（-40°C~85°C） 用户密度：
采用 90nm CMOS 工艺多路复用器编码器设计低功耗 4 位闪存 ADC
在各种 ADC 架构中，FLASH ADC 被证明是高性能 ADC。所提出的 ADC 由基于多路复用器的编码器、开环比较器和电阻梯形网络组成。所提出的 ADC 采用 90nm CMOS 技术进行模拟。所提出的 ADC 的主要优点是静态功耗低。这是通过将基于多路复用器的编码器集成到 Flash ADC 中实现的。所提出的 ADC 的功耗为 26.65µw，输入电压为 1V，频率为 100MHz。设计的 Flash ADC 可用于高速应用。
采用 Flash*Freeze 技术的耐辐射 ProASIC3 低功耗航天闪存 FPGA
特性和优点 符合 MIL-STD-883 B 类标准 封装 • 带有六西格玛铜包裹铅锡柱的陶瓷柱栅阵列 • 平面栅阵列 • 陶瓷四方扁平封装 低功耗 • 大幅降低动态和静态功耗 • 1.2 V 至 1.5 V 内核和 I/O 电压支持低功耗 • Flash*Freeze 模式下的低功耗 辐射性能 • 25 Krad 至 30 Krad，传播延迟增加 10%（TM 1019 条件 A，剂量率 5 Krad/min） • 晶圆批次特定的 TID 报告 高容量 • 600 k 至 3 M 个系统门 • 高达 504 kbits 的真双端口 SRAM • 高达 620 个用户 I/O 可重编程闪存技术 • 130 纳米、7 层金属（6 铜）、基于闪存的 CMOS • 上电实时(LAPU) 0 级支持 • 单芯片解决方案 • 断电时保留已编程的设计 高性能 • 350 MHz (1.5 V) 和 250 MHz (1.2 V) 系统性能 • 3.3 V、66 MHz、66 位 PCI (1.5 V)；66 MHz、32 位 PCI (1.2 V) 在系统编程 (ISP) 和安全性 • ISP 使用片上 128 位高级加密标准 (AES) 通过 JTAG 解密（符合 IEEE 1532 标准） • FlashLock ® 设计用于保护 FPGA 内容 高性能布线层次结构 • 分段、分层布线和时钟结构
闪存数据中心4.0»，logicielpropriétairede cont
Flash Battery将在Bauma Show上展示其所有者软件“ Flash Data Center 4.0”，这是一种使用人工智能的自动和真实的数据控制系统，该系统将于10月24日至30日在慕尼黑举行。意大利公司是个性化锂电池生产部门的欧洲领导人之一，不满足于参加建筑业中专门针对机械和材料的最大国际活动。的确，Flash Battery将成为“数字化”类别中“ Bauma Innovation Award 2022”的决赛选手之一。这是陪审团唯一选择的意大利公司。Marco权利，总部位于Sant'ililio d'Enza（Reggio d'Emilie）的公司首席执行官，在研究和发展领域中包括30％的员工，其中包括30％的员工，这是一个非常满意的：“这是一个非常满意的，因为这种识别不仅涉及我们的电池质量，而且还关注了所有相关的型号，而且还符合可靠性的效果，并且可以进行可靠性的分析，并且可以进行高级分析，并且是型号的，并且是高级分析的，并且是型号的，并且是高级分析的，并且是对型号的相关性。客户可以在所有自治中衡量和控制的绩效。”结果是，Flash Data Center 4.0是一个根据分析的数据来学习和提高性能的系统。»”的确，Flash Data Center 4.0是使用人工智能的自动且真实的 - 时间数据控制系统；由于容器化体系结构，云系统已集成到虚拟环境中，该架构确保了闪光电池与自动学习和人工智能技术的高级管理所产生的所有电池系统的互连。由于自动学习和人工智能技术的发展，设备制造商和闪光电池的最终客户可以对其真实的电池系统进行高级和预防性分析。“”新的图形界面和用户体验继续进行Marco，以允许最终用户具有一个单一的直观仪表板，其中所有与主要电池指标有关的信息进行了实时分析，例如Life Cycles，Of Fimecles，Offeans of Poldiss of Poldision of Poldision -of Polding -of Comply（SOC），健康状况（健康状况（健康状况），健康状态 - 互联网和互助电池。
基于双层 NC-Si 浮栅的高密度多级存储 3D NAND 闪存
摘要：3D NAND闪存作为存储器计算的有力候选者，因其高计算效率而备受关注，其性能优于传统的冯·诺依曼体系结构。为确保3D NAND闪存真正融入存储器芯片的计算中，急需一种具有高密度和大开关电流比的候选者。本文，我们首次报道在双层Si量子点浮栅MOS结构中实现高密度多级存储的3D NAND闪存。最大的电容电压（CV）存储窗口为6.6 V，是单层nc-Si量子点器件的两倍。此外，在10 5 s的保持时间后可以保持5.5 V的稳定存储窗口。在充电过程中观察到明显的电导电压（GV）峰，进一步证实了双层Si量子点可以实现多级存储。此外，采用nc-Si浮栅的3D NAND闪存的开/关比可以达到10 4 ，表现出N型沟道耗尽工作模式的特征。经过10 5 次P/E循环后，存储窗口可以维持在3 V。在+7 V和-7 V偏压下，编程和擦除速度可以达到100 µs。我们将双层Si量子点引入3D NAND浮栅存储器，为实现存储器中的计算提供了一种新途径。
使用 Cadence 工具实现节能的 4 位闪存 ADC
过去十年来，集成电路技术的进步加速了数字信号处理器的发展。此外，数字处理具有更耐噪声的优点。因此，模数转换器可用作模拟信号和数字信号处理系统的接口。无线通信系统不断提高的速度导致对高速、低分辨率模数转换器功率和速度标准的巨大需求。实际上，数字信号的处理、测试和存储变得简单。为了处理模拟信号，我们将其转换为数字信号。模数转换器可用作实现此目的的桥梁。研究人员正在研究 ADC 中的新模型策略，以期在降低功耗的同时提高性能。由于闪存 ADC 设计通常在其他形式的 ADC 中起着重要作用，因此它在所有其他形式的 ADC 中变得越来越重要，包括流水线和多位 sigma delta ADC。
EN25QX64A (2CPU) 64 兆位 3V 串行闪存...
该设备是一个 64 兆位（8,192K 字节）串行闪存，具有先进的写保护机制。该设备通过标准串行外设接口 (SPI) 引脚支持单比特和四比特串行输入和输出命令：串行时钟、芯片选择、串行 DQ 0 (DI) 和 DQ 1 (DO)、DQ 2 (WP#) 和 DQ 3 (HOLD#/RESET#)。支持高达 133MHz 的 SPI 时钟频率，在使用四路输出读取指令时，允许四路输出的等效时钟速率为 532MHz（133MHz x 4）。使用页面编程指令，可以一次对内存进行 1 到 256 个字节的编程。该设备还提供了一种复杂的方法来保护单个块免受错误或恶意编程和擦除操作的影响。通过提供单独保护和取消保护块的能力，系统可以取消保护特定块以修改其内容，同时确保内存阵列的其余块得到安全保护。这在以子程序或模块为基础修补或更新程序代码的应用中非常有用，或者在需要修改数据存储段而又不冒程序代码段被错误修改的风险的应用中非常有用。该设备设计为允许一次执行单个扇区/块或全芯片擦除操作。该设备可以配置为以软件保护模式保护部分内存。该设备可以对每个扇区或块维持至少 100K 次编程/擦除周期。
FC51L04SMSA eMMC 闪存 3.3V 4 Gbyte ...
兼容 JEDEC 嵌入式多媒体卡（eMMC）电气标准（5.1） 数据总线宽度：1bit（默认）、4bit 和 8bit 不支持大扇区大小（4KB） 接口电源：V CCQ（1.70V~1.95V 或 2.7V~3.6V），存储器电源：V CC（2.7V~3.6V） 温度：工作（-25 ℃ ~85 ℃），存储（-40 ℃ ~85 ℃） 用户密度：