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Bret Hamilton Microelectronics＆Advanced Technology Strategy Applied ResearchInsɵtute（ARI）Bret Hamilton高级副总裁曾担任高级
Bret Hamilton Microelectronics＆Advanced Technology Strategy Applied ResearchInsɵtute（ARI）Bret Hamilton担任ARI的微电子和高级技术战略高级副总裁。以这种身份，他制定了改善区域技术帽质的战略，并通过Innovaɵon来推动经济发展。他的工作主要专注于访问和开发最先进的微电子和相关技术。加入ARI之前，布雷特（Bret）在国防部完成了27年的职业生涯。最近，他曾在国防部副部长的副官员官员副首席技术官员中担任副首席技术官员的副首席总监。先前的经验包括微电子学（SSTM）的Scients，值得信赖的微电子学首席工程师和海军水面战中心起重机部（美国海军部）的高级Scienɵst。在他的整个职业生涯中，布雷特（Bret）帮助弥合了商业部门与国防工业基础（DIB）之间的差距，并导致合作团队为DOD武器系统（CRIɵCALNAɵCALNAɵCALONAL基础设施和消费产品）开发了更安全，更强大的微电子供应链。他已经在众议院武装服务子公司之前担任与信任和保证的微电子学有关的问题专家，并拥有广泛的合作伙伴网络，包括世界一流的商业半导体基础，Fabless Design Companies和Mulɵple政府机构。Bret还担任美国Fronɵer基金的顾问。
CHIPS Act and its Impact on the Compound Semiconductor Industry Melissa Grupen-Shemansky, PhD 1 1 CTO and VP of Technology Communities, SEMI, megsh
CHIPS Act and its Impact on the Compound Semiconductor Industry Melissa Grupen-Shemansky, PhD 1 1 CTO and VP of Technology Communities, SEMI, megshemansky@semi.org Keywords: CHIPS, Manufacturing, Workforce, Supply Chain, Compound Semiconductor, Government Abstract SEMI, in their 50+ years of operation, has been a trade organization supporting the semiconductor manufacturing industry with a strong membership population consisting of materials and equipment suppliers from its onset. In the mid 90's, membership jumped and SEMI broadened their scope to include member companies from across the semiconductor manufacturing supply chain, such as IDMs (integrated device manufacturers), foundries (outsource fabrication service suppliers), and EDA (electronic design automation) suppliers. We have not deviated from our base, but have added membership from across the supply chain recognizing the increasing complexity of the microelectronics ecosystem and the increasing demand for co-design and cross-collaboration of the various semiconductor disciplines at the earliest stages of development. The semiconductor industry has experienced various inflection points over the last several decades, but perhaps none so disruptive as the present. We will look into how the semiconductor industry in general has captured the attention of the person on the street and how the industry disruptions will lead to opportunities for compound semiconductors. The U.S. CHIPS and Science Act will accelerate More than Moore technologies which in turn will further enable the integration of compound semiconductors to capitalize on the unique properties of these materials. Breakthrough opportunities will emerge with the emerging technologies developed in the Microelectronics Commons as well as the priorities of the National Semiconductor Technology Center (NSTC) and closely coupled National Advanced Packaging Manufacturing Program (NAPMP) in the CHIPS Act R&D office. A rapid focus on those technologies essential to U.S. market leadership will ensue. We will examine the emerging priorities within the CHIPS Act programs and discuss the critical role compound semiconductors play in the leap ahead technologies as well as the potential supply chain vulnerabilities that need to be addressed. I NTRODUCTION As the semiconductor industry prepared to navigate a dramatic change to the traditional linear shrink roadmap that had affirmed Moore's Law for the last 40 years, the COVID pandemic hit. Most people, companies, and countries were caught off guard and ill-prepared. In a rush to save lives,
luxtelligence sa
光子综合电路（图片）对于现代数据中心内的数据传输是必不可少的，并且传统上遍布多个应用程序领域，限于散装光学元件，例如LIDAR和BIOSESENT。薄膜硅锂（LNOI）的最新进展显示了LNOI综合光子电路的主要潜力，这些电路表现出强大效应，从而实现了超快和有效的电流调制，但难以通过干蚀刻来处理。出于这个原因，不可能蚀刻紧密的封闭波导 - 通常在硅或氮化硅中实现的 - 这阻碍了材料向商业铸造厂的过渡。虽然硅或磷化物的发育良好，但在欧洲提供了许多商业铸造厂，提供PDK（工艺设计套件），但尼橙色锂的图片并非如此。使用钻石样碳（DLC）的新型制造过程，EPFL的最新进展克服了这一挑战。dlc在1950年代被发现，是一种具有出色硬度的无定形材料，并且能够沉积在纳米薄膜中。使用DLC作为硬面膜，EPFL表现出可靠的蚀刻，紧密限制和低损失图片的可靠制造，损失低至5 dB/m。这种制造方法可以预示新一代紧密限制的Niobate光子集成电路，尤其是用于在基于相干激光的射程，波束成形，光学通信或新兴经典和量子计算网络中的应用。该项目将该制造过程转变为Luxtelligence SA，并开发具有关键构件的工艺设计套件（PDK），特别是高速低压调节器，旨在成为欧洲第一个商业纯式纯种型铸造厂，并将lithium niobate Niobate Niobate niobate集成的光子循环访问。该项目的重点是关键技术，例如波导蚀刻和电极处理，并演示了PDK库中的基本组件，例如波导和电形相位变速器。
半导体研发原型设施和能力
发布日期：2024 年 3 月 4 日 提交截止日期：2024 年 3 月 29 日 概述 Natcast 是美国国家半导体技术中心 (NSTC) 的 CHIPS 运营商，正在寻求公众意见，以告知 NSTC 拥有或运营的潜在半导体研发设施和能力的要求，以加强半导体和微电子创新生态系统。我们正在寻求社区对研发原型设施和能力的意见。我们要求提供有关 (a) 研发原型设施和能力的类型，以及 (b) 为这些设施和能力的用户提供的价值的意见。在设计和开发研发半导体原型设施方面有很多选择。我们希望确保我们考虑社区对这项重要 NSTC 投资的意见。就本文件而言，我们使用“设施”一词来描述进行研发工作的物理位置，使用“能力”一词来描述用于进行实验和创建半导体原型的流程，无论是完整流程还是部分流程。谁应该回应。本信息请求 (RFI) 寻求可能成为研发原型设施和能力用户的广泛组织的意见，包括无晶圆厂芯片设计公司、代工厂、IDM、材料供应商、设备供应商、设计芯片的系统公司、学术教师和学生、初创公司、小型企业、技术孵化器、政府实验室、联邦资助的研究和开发中心 (FFRDC)、大学应用研究中心 (UARC)、国防工业基地、商业 IP 公司和电子设计自动化 (EDA) 公司。.受访者须知： ● 请回答所有相关问题。没有必要回答所有问题。● 对于大型组织，请确保您咨询直接从事半导体原型设计的同事；我们需要他们的具体意见。● Natcast 预计将就 NSTC 服务的不同方面发布其他 RFI。未来的 RFI 可能会侧重于供应方，即社区中的哪些成员有兴趣为 NSTC 提供原型设计设施。
目录
n e w，h i s t o r i c，一个变换包装时代已经与高曼斯·曼斯·曼斯·梅斯·纳格·埃纳·埃里克·埃里斯·c t r o n i c s一起。t h i的转换是由于许多原因，包括从节点到节点的晶体管速度放慢速度，从而导致计算性能放缓，以及芯片大小的增加，以及将晶体管数量增加到500亿以上，其成本增加。晶体管速度的放缓正在推动新的非传统互补金属氧化物半导体（CMOS）设备的发展。但是，对更快的计算速度的需求比晶体管需要更多。包装或互连成为许多应用程序（例如人工智能（AI），云计算，虚拟现实（VR），5G和MM-WAVE通信，物联网（IoT）和自动驾驶汽车）的战略性，增值和差异化。相应地，行业的重点开始从晶体管缩放缩放到片上的系统（SOC），再到系统缩放和集成，再到包装式包装（SOP）。这是一种历史性的转变。第二个历史里程碑与包装或互连开发有关。虽然晶圆的后端（Beol）包装一直低于1µm，但包装铸造厂总是会使d pa ck Age s w it the h it ht h it更大得多 - 尤其是10-20µm。的原因是使用层压板或堆积有机包装技术，使用低温和软有机复合核心，以及在它们的顶部使用聚合物重新分布层（RDL）层以形成高密度互连。这些包裹提供了最大的好处：大型有机
“ Photonics BCN”大师Erasmus Mundus“ ...
从2024年4月开始全日制演讲，于7月底或2024年9月开始：光电和喷墨印刷机构：巴塞罗那大学城市：巴塞罗那，国家 /地区：西班牙大师论文的标题：Inkjet印刷矩阵的LED和图像传感器，带有Perovskite材料的Sergs和Coarr sergior and coarr theisor and corergi： Hernández Email address: blas.garrido@ub.edu Phone number: +34 93 4039151 Mail address: Department of Electronic and Biomedical Engineering, Martí I Franquès 1, 08028 Barcelona Keywords: inkjet printing, LEDs, photodiodes, image sensors, perovskites, optoelectronics Summary of the subject (maximum 1 page):光电设备（LED，光电视，激光，太阳能电池，显示器，传感器）变得像电子电路或芯片本身一样必不可少。根据经济数据分析网站的优先研究（https://www.precedencerearkearch.com/），全球光电电子市场在2022年的价值为65.4亿美元，在2023年达到73.6亿美元，估计达到2032年，估计为212亿美元，并在2032年达到212亿美元，并占203美元的年度增长率（CAGR）（CAGR）（CAGR）（cagr）（cagr）占2.4次（C）。 2032。在制造光电设备和光子集成设备（图片）中，有许多技术平台和材料，包括化合物半导体III-V（例如GAAS，INP，INP，GAN）及其三元和Quaternary合金，氧化物，金属氧化物（Zno，SNO 2，ii-ii-vi or canse and Chalcogenides）（ZNS，ZNS，ZNS，ZNS，CONTED）半导体。因此，图片是在半导体铸造厂制造的，其中大多数位于欧洲以外，尤其是在远东地区。我们提出所有这些设备和技术都需要在高温下运行，使用有毒气体和化学物质的复杂沉积设备，并依靠大型光刻技术来定义电路。但是，最好使用替代或互补的半导体材料以及更易于访问和具有成本效益的技术。钙钛矿卤化物是在解决方案中处理的，不需要大量资源使用。它们是在室温下在解决方案中处理的材料，不需要大量的能源来生产，不需要有害的气体或化学物质，并且是丰富的材料。因此，他们的生产不取决于主流微电子和光子学技术的复杂供应链。由于所有这些原因，它们有助于可持续性，并且比传统半导体具有更小的环境影响和碳足迹。
帽层对6英寸Si(111)衬底上生长的AlN势垒HEMT性能的影响
近年来，氮化镓 (GaN) 基高电子迁移率晶体管 (HEMT) 因其在降低开关损耗、维持高击穿电压以及保持高温稳定性方面所表现出的卓越性能，其商业化进程不断加快 [1,2]。大尺寸 Si 衬底上 GaN 外延生长技术的进步降低了生产成本。同时，Si 上的 HEMT 器件可以轻松集成到现有的 Si 铸造厂中 [4-6]。上述优势使 GaN 基 HEMT 器件更接近大众市场应用。阻挡层是 HEMT 器件中的关键元件之一，它决定了导电通道的电阻。AlGaN 是最常用的阻挡材料。在 AlGaN / GaN 界面区域形成的二维电子气 (2DEG) 表现出良好的稳定性、低的薄层电阻、高的载流子密度和高的电子迁移率 [7,8]。由于在 AlN / GaN 界面区域形成了更高的 2DEG 密度，AlN 作为阻挡层材料也引起了人们的关注 [9]。据报道，薄层电阻 (Rs) 值低至 128 Ω/sq，2DEG 密度为 3.21 × 10 13 / cm 2 [10]。此外，在 AlN 系统中可以避免合金散射，从而提高 2DEG 霍尔迁移率 [11,12]。已经证明了基于 AlN 阻挡层的 HEMT 器件具有低栅极漏电和高 I on / I off 比 [13]。表 1 总结了最近对具有最佳 Rs 性能的 AlN / GaN 异质结构的研究。然而，由于 AlN 与 GaN 沟道层的晶格失配较大 (2.5%)，因此 AlN 的弛豫是一个主要挑战。氮化硅 (SiN x ) 帽层已被用作表面钝化层，以避免/减少 AlN 弛豫 [ 14 ] 。然而，钝化帽层的成分和厚度对抑制弛豫的影响很少被研究。在本文中，我们报告了包含原位生长的 GaN 和/或 SiN x 帽层的 AlN/GaN 异质结构的长期 2DEG 稳定性。
项目名称 用于感测及光学互连的硅光子集成电路 负责人曾汉基教授 (电子学系)
项目名称 用于传感和光学互连的硅光子集成电路 负责人 曾汉基教授（电子工程系） 工学院院长、伟伦电子工程学教授 成员 易丹博士 博士（电子工程），2022 年 陈吴大卫博士 博士（电子工程），2023 年 周学桐博士 博士（电子工程），2023 年 项目描述 本项目旨在开发下一代硅光子集成电路技术，该技术可以提高系统性能，使其超越纯微电子集成电路所能达到的水平。 该团队的核心专业知识是硅光子学，这是中大二十多年的研究成果。作为亚洲最早开发硅光子学的团队之一，该团队拥有一些最先进的硅光子设计，可用于提高通讯设备、3D 成像和量子信息系统的性能。遵循微电子行业无晶圆厂设计业务模式的成功范例，我们将专注于设计，同时利用现有的代工厂制造光子集成电路 (PIC)。该团队将构建子系统，用作其他公司生产的产品的核心组件。他们的产品将包括用于数据中心互连的基于硅光子的 1.6 和 3.2 TbE 光学引擎，以及用于医疗设备和工业计量的小型手持式光学相干断层扫描 (OCT) 成像系统。创始成员包括电子工程系的曾汉基教授、易丹博士、陈吴博士和周学桐博士。曾汉基教授是工程学院院长和伟伦电子工程教授，在硅光子学方面拥有超过 23 年的研发经验，包括成功将新产品推向市场。易丹博士于 2022 年获得中大博士学位，并荣获工程学院最佳论文奖。 David WU Chan 博士于 2023 年获得博士学位，并开发出最先进的工作速度超过 400Gb/s 的硅调制器。周学桐博士于 2023 年获得博士学位，并开发出最先进的先进光纤到芯片接口，该接口可提供同类最佳的性能，具有高耦合效率（耦合损耗小于 0.9dB）和宽工作带宽。
2020 年第二季度新加坡经济表现
2020 年 8 月 11 日。贸易和工业部 (MTI) 今天将新加坡 2020 年 GDP 增长预测从“-7.0 至 -4.0%”缩窄至“-7.0 至 -5.0%”。2020 年第二季度经济表现新加坡经济在第二季度同比收缩 13.2%，较上一季度 0.3% 的收缩幅度进一步恶化。GDP 下降是由于新加坡从 2020 年 4 月 7 日至 6 月 1 日实施的断路器 (CB) 措施，以减缓 COVID-19 的蔓延，以及 COVID-19 大流行引发的全球经济衰退导致的外部需求疲软。经季节性调整后的季度环比增长 13.1%，降幅大于第一季度 0.8% 的降幅。从行业来看，制造业同比萎缩 0.7%，扭转了上一季度 7.9% 的增长势头。运输工程、一般制造业和化学品集群的产出下降拖累了制造业产出。相比之下，生物医药制造、电子和精密工程集群的产出有所上升。尤其是电子和精密工程集群，分别受到来自 5G 市场、数据中心和云服务以及领先代工厂的半导体设备等好于预期的需求的支撑。建筑业同比萎缩 59.3%，比上一季度 1.2% 的萎缩幅度更大。这是因为在封锁期间，几乎所有建筑活动都停止了。建筑公司还受到为遏制病毒传播而采取的额外措施（包括限制外籍工人宿舍的活动）导致的人力中断的影响。批发和零售贸易部门同比萎缩 8.2%，比第一季度 5.6% 的降幅还要差，因为批发贸易和零售贸易部门都出现了萎缩。批发贸易部门主要受到机械、设备和用品以及“其他”1 子部门萎缩的影响。与此同时，零售贸易部门受到销售疲软的不利影响，因为大多数零售商在 4 月 7 日至 6 月 18 日期间被禁止在其实体店营业。运输和仓储业同比萎缩 39.2%，比上一季度 7.7% 的降幅还要差。在该行业中，
巴斯和东北萨默塞特地方计划核心策略...
1。从早期的历史作为凯尔特人的崇敬之地，也是罗马占领期间的水疗中心，巴斯演变成撒克逊修道院的定居点，随后是诺曼大教堂的小镇。在中世纪，它发展成为区域市场和羊毛贸易的中心，然后成为伊丽莎白时代和斯图尔特英格兰最重要的国家健康度假胜地。在格鲁吉亚时代的快速扩张巴斯成为1700年代最重要的时尚度假胜地，并创造了持久的建筑遗产。2。在维多利亚统治浴场开始时，是英格兰第9大城镇，人口近50,000。之后，巴斯落后于全国工业城市扩张，而浴室则将其形象改进了绅士居住和退休的地方。许多人在布鲁内尔（Brunel）的伟大西部铁路（Great Western Railway）寄希望于社会复兴，但这并没有重新引起城市的普及。相反，铁路将沿雅芳河的工厂和铸造厂结晶到了特顿河。在维多利亚时期结束时，该公司试图在其罗马起源的重新发现之后作为水疗中心复活。但是，将BATH作为领先的治疗中心建立的努力很少。3。在20世纪初期，浴室的增长速度很慢，反映了国民经济的沮丧状态，但第一次世界大战的后果导致了大量的Inter War House建筑，并在城市的土地上覆盖了。在战争期间，南down的景观碗的南部和奇特的高原被殖民。在其他地方，郊区开发发生在韦斯顿和拉克霍尔，而新的社区则通过浴电气轨道连接到中心。第二次世界大战之后，在整个国家正在起作用的迅速社会经济变化过程中。城市内部的变化反映了许多国家趋势，包括私人汽车，现代主义重建以及随后的保护运动的崛起。在1987年，为了承认其独特的文化价值，该市被刻在世界遗产。这提高了其作为旅游目的地的国际知名度，并激发了有关如何管理变化和发展以及“可持续性”对城市及其未来意味着什么的辩论。