XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemFoundry
BICO资本市场日（CMD）2024
与Biosero的实验室自动化解决方案在Deepcure Ryan Bernhardt，Biosero，Biosero和Derrick Miyao，副总裁Molecular Foundry，DeepCure
3.4 迈向硅代工厂兼容、高性能、0.25 微米栅极、高阻 200 毫米硅上的 GaN MMIC 工艺，采用 Cu 镶嵌 BEOL
在高电阻率 200 mm <111> Si 上采用 Cu 大马士革 BEOL 工艺开发与 Si 代工厂兼容的高性能 ≤0.25 µm 栅极 GaN-on-Si MMIC 工艺 Jeffrey LaRoche 1 、Kelly Ip 1 、Theodore Kennedy 1 、Lovelace Soirez 2 、William J. Davis 1 、John P. Bettencourt 1 、Doug Guenther 2 、Gabe Gebara 2 、Tina Trimble 2 和 Thomas Kazior 1 1 Raytheon IDS Microelectronics，362 Lowell St.，Andover，MA 01810 电子邮件：jeffrey_r_laroche@raytheon.com 电话：(512)-952-2927 2 Novati Technologies, Inc.，2706 Montopolis Drive，Austin，TX 78741 关键词：GaN、HEMT、硅、MBE、大马士革、200 mm 摘要 雷神公司正在开发一种 200 mm GaN on Si MMIC 工艺，该工艺适用于独立的高频 MMIC 应用，以及与 Si CMOS、SiGe BiCMOS 和其他 III-V 族的异质集成。在之前的 100 mm 和 200 mm GaN-on-Si 工作 [1-5] 的基础上，这项工作报告了在完全集成的 MMIC 方面取得的进展，以及在 200 mm 直径的 Si 晶片上实现世界上第一个 X 波段 GaN 0.25 µm 功率晶体管。这种 GaN-on-Si HEMT 在 V d = 28 V 时可提供 4.7 W/mm 的功率和 9 dB 的增益，PAE 为 49%。晶圆由商业 CMOS 代工厂 Novati Technologies 制造，采用完全减成、无金、类硅的制造方法。简介 在过去十年中，氮化镓 (GaN) 在电力电子以及高功率密度和高线性度 RF 应用中引起了广泛关注。很显然，200 mm 硅基 GaN 晶圆的大规模商业化生产将由电力电子应用推动。然而，随着这些应用开始填充 200 mm 代工厂，高性能硅基 GaN RF MMIC 应用将自然跟进，并利用大直径晶圆和背景晶圆体积来降低 RF IC 的成本。除了在 200 mm 晶圆上制造的硅基 GaN MMIC 的成本优势之外，与芯片到晶圆方法相比，大直径晶圆制造还为 GaN HEMT 与硅 CMOS 的异质集成（以实现附加功能）提供了优势。虽然与芯片到晶圆集成兼容，但 200 毫米 GaN IC 与 200 毫米 CMOS 的晶圆到晶圆异质集成在缩短互连长度和提高高密度、高性能 IC 产量方面更有前景。为了促进未来成本、产量和功能的改进，雷神公司正在高电阻率 200 上开发亚微米（≤0.25 µm 栅极）GaN-on-Si MMIC 工艺
弓箭手将新的Biochip GFET设计用于制造
这项最新作品建立在较早的GFET设计制造里程碑上，包括与德国铸造厂一起运行的MPW（ASXAnn。2023年11月9日），在荷兰的一个铸造厂奔跑的整个四英寸晶圆（ASXAnn。2023年9月14日），在西班牙铸造厂进行了六英寸的晶圆。Archer最近还通过大小的尺寸降低了其生物芯片GFET芯片设计，将小型芯片设计发送给了荷兰的铸造伙伴（ASXAnn。2024年3月11日）。
AFRL 140nm技术转移及实施...
wen.zhu@baesystems.com (603) 885-5681 关键词：氮化镓 (GaN)、Ka 波段、MMIC、PAE 摘要 本文报告了 AFRL 的 4 英寸 140nm GaN-SiC 技术向 BAE 系统微电子中心 (MEC) 代工厂的转移和生产实施情况。我们将 AFRL 和 BAE 系统 GaN-SiC 的最佳技术集成到用于 Ka 波段和 Q 波段的 6 英寸 140nm GaN-SiC 生产工艺中，这是业界首个 6 英寸 140nm GaN-SiC 生产工艺。本文介绍了脉冲 IV (pIV)、FET 负载牵引、MMIC 性能和可靠性结果。 引言 2018 年，BAE 系统的 MEC 代工厂与 AFRL 合作，将 140nm 4 英寸 GaN-SiC 技术转移到 6 英寸 GaN-SiC。该计划的关键技术目标是通过转移和整合 AFRL 开发的关键工艺技术[1, 2]以及 BAE 系统现有的 GaN MMIC 工艺和能力，在位于新罕布什尔州纳舒厄的 BAE 系统代工厂建立一流的 140nm 氮化镓 (GaN) 生产技术，以实现 6 英寸 SiC 上 GaN 的高性能、高 MRL 工艺[3]。通过这项短栅极高效氮化镓 (GaN) 单片微波集成电路 (MMIC) 可生产性计划，BAE 系统正在满足美国国防部 (DoD) 的迫切需求，即建立一个可供美国国防界使用的开放式 GaN 代工厂，并提供先进的 GaN MMIC 工艺。开放式代工服务 - BAE 系统 BAE 系统 III-V 族化合物半导体代工厂是一项战略资产，可为其电子系统部门提供独特的 MMIC 技术。为美国国防部提供代工服务是为了更有效地利用我们代工厂的产能，锻炼和改进工艺，并加强与国防部外部供应商和政府机构的关系。完成 GaN 生产向 6 英寸晶圆直径的过渡是 140nm 技术活动下的一项关键任务。仅此一项就能将有效代工能力提高 2 倍以上。BAE Systems 目前正在投资其代工厂，更换工具，消除单点故障，同时满足生产需求。
COVID-19 疫苗库存管理；有效期延长和良好实践提示。在整个计划期间，定期更新超低温
操作程序并记录在现场损耗回报中。所有过期库存处置也必须记录在 Foundry 的现场库存管理器中。准确包括批号、到期日期、数量（剂量或小瓶）、类别和原因。为降低临床风险，应在到期后尽快采取此措施。如果给患者注射了任何过期疫苗，这将构成临床事件，应向 ICARS 报告，地址为 england.swicars@nhs.net，以提供进一步的支持/跟进。任何疫苗转移都必须按照 NHS 疫苗接种点之间 COVID-19 疫苗转移政策进行，并记录在 Foundry 疫苗转移申请中。为支持居家/外展服务或为方便预约而转移疫苗，应通过适当的冷链监督予以支持。如果无法移动原始包装尺寸以满足预订需求，则应在转移库存时附上原始包装盒的图片/复印件（显示 SPL 解冻后标签
微电子产品和服务数据表
位于加利福尼亚州雷东多海滩的诺斯罗普·格鲁曼空间系统铸造厂加工异质结双极晶体管和高电子迁移率晶体管单片微波和毫米波集成电路。该铸造厂专注于微型、模块化、高速、低功耗和低温的产品。
铸造厂生产系统的脱碳
收到21.11.2023;以修订表18.04.2024接受；在线可用12.06.2024摘要本文讨论了铸造行业生产系统脱碳的重要性，以应对气候挑战和对可持续发展的需求不断提高。减少铸造生产中温室气体排放的过程是由多种原因引起的。铸造行业的脱碳是指旨在减少温室气体排放的行动，尤其是二氧化碳（CO 2）。减少二氧化碳排放量越来越被视为世界各地大型和大型铸造厂策略的关键要素。铸造厂是由于熔化和形成金属的能源消耗而产生大量二氧化碳排放的行业之一。几乎没有制造业不使用铁，钢或非有产金属铸造的元素，从铝制成元素到锌。本文介绍了铸造厂可用的各种脱碳策略，例如：使用可再生能源，使用更有效的熔化技术或在整个生产过程中实施低能技术。来自世界各地的应用程序示例说明了这些策略如何已经付诸实践，以及对完全脱碳的潜在障碍和挑战。关键字：脱碳，可再生能源，铸造生产1。简介
英特尔公司
首席执行官致函 致我们的股东、客户、合作伙伴和员工： 推进我们的愿景和战略 英特尔正处于一个关键时刻，在这个世界上，人工智能和无处不在的计算、连接、基础设施和传感的融合推动着对处理能力的无限需求。我们看到了一个巨大的机会，可以突破可能的界限，为世界上最重大的挑战创造解决方案，并改善地球上每个人的生活。 英特尔的使命是为半导体（21 世纪最关键和最具战略性的资源）创建一个全球多元化、有弹性和可持续的供应链，这是我们雄心壮志的核心。获得卓越工程和不断创新的芯片将成为几乎所有行业下一阶段创新的决定性因素。为了迎接这个新时代并使我们的客户能够利用这一机会，英特尔正在投资技术和制造领导力，同时向世界开放我们的制造网络，让“人工智能无处不在”，并不懈地追求摩尔定律。这是我们打造更强大的英特尔的努力的一部分，包括 2 月份推出的英特尔代工厂，这是人工智能时代的首个系统代工厂，包括我们的技术开发、全球制造和供应链以及代工厂客户服务和生态系统运营。此外，在英特尔代工厂和英特尔产品（我们的产品业务部门）之间建立类似代工厂的关系将提高透明度、问责制和成本优化。 在转型方面取得重大进展 2023 年标志着我们在 IDM 2.0 战略和转型重点方面取得全面进展的一年。我们执行了重建流程领导地位的计划，扩大了产能和代工厂计划，增强了产品执行力，并开始实现让人工智能无处不在的愿景。尽管进入这一年时，宏观经济和行业面临重大阻力，但专注于我们的战略以及运营和财务纪律使我们能够实现目标。我们知道还有更多工作要做，但我为团队在 2023 年兑现承诺感到自豪，这将使我们能够利用未来的机遇。重新确立工艺和产品领导地位我们仍有望重新确立英特尔的工艺技术领导地位，实现四年内五个节点（5N4Y）的目标，该目标将于 2024 年底完成。英特尔 3 和英特尔 4 已准备好投入生产并正在加速发展。我们很高兴能够进入 Angstrom 时代，英特尔 20A 将于今年推出，英特尔 18A 有望在 2024 年下半年投入生产，标志着 5N4Y 的完成，并让英特尔重回工艺领导地位。2 月，我们公布了超越 5N4Y 的路线图，将英特尔 14A 添加到英特尔的前沿节点计划中，此外还有几个专门的节点演进。我们的产品路线图也在不断推进。在数据中心，我们提前推出了 Xeon Gen 5。Sierra Forest 有望在 2024 年上半年推出，紧随其后的是 Granite Rapids，这将使英特尔重新获得数据中心的份额。此外，我们用于服务器的首款英特尔 18A 部件 Clearwater Forest 已在晶圆厂生产。我们基于英特尔 4 的 Meteor Lake 产品正在迅速增长，预计 2024 年将达到 4000 万台，我们领先的英特尔 20A 车型 Arrow Lake 计划于今年推出。我们的第一个英特尔 18A 客户端平台 Panther Lake 现在也已在晶圆厂生产。总体而言，我们预计 2024 年和 2025 年的人工智能 PC 出货量将远超 1 亿台。 打造人工智能时代首个系统代工厂 我们正在推进到 2030 年成为全球第二大代工厂的目标，这也是我们创建有弹性、可持续的全球半导体供应链的更广泛使命的一部分。在今年 2 月举行的首届英特尔代工厂直连活动中，我们公布了英特尔代工厂的新品牌和市场定位，英特尔代工厂是全球首个人工智能时代的系统代工厂。虽然我们的代工厂之旅还处于早期阶段，但我们已经看到了显著的进展。2023 年初，我们获得了一家英特尔 18A 代工客户的承诺，年底则获得了四家。我们还赢得了五项先进封装订单，证明了英特尔代工厂的优势。 ! "# ! $ $ % & ' ( ) * + % , , & % - .* / 0 * & , 1 2 "3"4 & -* " 3 $ $ $ 2 #5 ( - "3"6 & & "3"4 & ! " # & 7896:; "3"6 4 6 $ & "3 #5 & "3"6 & 896: , 896: #6 2 < = .8 / , "3"6 . > 0 ,#5 < * + & 6 63 $ "3"6 + & "3 < 1 + & % $ #33 10 "3"8 $ % % & ' "343 , - 0 , & , "3"4 #5 & ,
