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Cr2O3:Mg/β-Ga2O3 p–n 的可靠运行...
基于β-氧化镓（b-Ga2O3）的半导体异质结最近已展示出在高压和高温下的改进性能，因此有望应用于电力电子设备和恶劣环境传感器。然而，这些超宽带隙（UWBG）半导体器件的长期可靠性问题仍未得到解决，并且可能受到 p – n 异质结界面化学反应的强烈影响。在这里，我们通过实验演示了操作并评估了 Cr2O3:Mg/b-Ga2O3 p – n 异质结二极管在 600C 下长期运行期间以及在 25 至 550C 之间重复 30 次循环后的可靠性。计算出的 Ga-Cr-O 材料系统的 pO2 -温度相稳定性图预测 Ga2O3 和 Cr2O3 在很宽的氧气压力和工作温度范围内在相互接触时应该保持热力学稳定。制备的 Cr 2 O 3 :Mg/b-Ga 2 O 3 p-n 异质结二极管在 6 5 V 时显示室温开/关比 > 10 4 ，击穿电压 (V Br ) 为 390 V 。漏电流随温度升高而增大，直至 600 C，这归因于 Poole-Frenkel 发射，其陷阱势垒高度为 0.19 eV。在 600 C 下进行 140 小时的热浸泡后，器件的开启电压和导通电阻分别从 1.08 V 和 5.34 m X cm 2 增加到 1.59 V 和 7.1 m X cm 2 。从飞行时间二次离子质谱分析观察到，这种增加归因于 Mg 和 MgO 在 Cr 2 O 3 /Ga 2 O 3 界面处的积累。这些发现为未来适用于恶劣环境的 UWBG 半导体器件的设计策略提供了指导，并强调了对 b -Ga 2 O 3 基器件进行进一步可靠性评估的必要性。
对沉浸式虚拟现实的桥接评论
在1968年，计算机图形的教父之一伊万·萨瑟兰（Ivan Sutherland）展示了世界上的首次头部安装显示（HMD）给世界的沉浸式媒体系统：一种沉浸式虚拟现实（IVR）耳机，使用户能够交互式地注视到三个尺寸（3D）虚拟环境（SUTHATERAINS，1968年），1968年； 1968年；萨瑟兰（Sutherland）在“达马克尔（Damocles）之剑”（Damocles of Damocles）之前，描述了他对系统的灵感，这成为沉浸式媒体最具影响力的文章之一：“当然，最终的展示当然将是计算机可以控制物质存在的房间。在这样的房间里展示的椅子足以坐在。在这样的房间里展示的手抓手会得到填充，在这样的房间里展示的子弹将是致命的。通过适当的编程，这样的展示实际上可能是爱丽丝走到的仙境”（Sutherland，1965）。病态，最终显示的这种愿景询问是否可以创建这样的计算熟练媒介，以使现实本身可以通过物理响应模拟。萨瑟兰州的“达马克尔之剑”帮助引发了一个新的研究时代，旨在在竞赛中为学术界和工业界回答这个问题，以在虚拟世界内建立最沉浸式的展示（Costello，1997; Steinicke，2016）。但是，由于当时的硬件限制和成本，这种趋势是短暂的（Costello，1997）。在2019年，出售了700万个商业HMD，到2023年，销售额预计每年将达到3000万（Statista，2020）。过去十年中，这一领域的增长爆炸性增长，计算能力的提高和数字系统的效果有效地降低了技术制造，消费者市场，所需技能和组织需求的障碍（Westwood，2002年）。这种大众消费者的采用部分是由于硬件成本下降和可用性的相应提高所致。这些商业系统提供了一种传达6-DOF信息（位置和轮换）的方法，同时也从用户行为中学习