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发现信息和通信技术的纳米结构光发射器的最新进展
具有低维度（如量子点和量子破折号）的抽象半导体纳米结构是实现高性能光子设备的最具吸引力和启发式解决方案之一。当纳米晶方法的一个或多个空间维度时，纳米级的大小效应会产生载体的空间量化，从而使能量水平的完全离散化以及其他量子现象以及其他量子现象（如纠缠 - photon产生或挤压光态）。本文回顾了我们最新的基于纳米结构的光发射器的发现和前景，其中用量子点和量子扣纳米结构制成活跃区域。从基于硅的集成技术到量子信息系统的许多应用都依赖于此类激光源的利用。在这里，我们将材料和基本属性与设备物理联系起来。为此，仔细检查了频谱宽度，极化各向异性，光学非线性以及微波，动态和非线性特性。该论文重点是在天然基材（INP和GAA）上生长的光子设备，以及在硅底物上生长的异质和外展生长的光子设备。这项研究将使用纳米结构作为获得媒体的光发射器开发的最令人兴奋的最新创新，并突出了纳米技术对工业和社会的重要性，尤其是塑造未来的信息和通信社会。
INP和III-V化合物
iii-V半导体化合物形成了各种离散的核心材料系统，这些系统的核心材料系统最终完全集成了光子组件（激光器和光学放大器，调节器，光电探测器和被动光功能）以及高强度的电子设备。III-V化合物的一个关键特征是它们表现出直接的带隙，从而有效地产生和放大光，而不是间接的带隙半导体（如硅和锗）。自上世纪的六十年代以来，这导致了广泛的半导体激光类型（CW，可调，多波长，脉冲，频率 - 梳子，单光子，单个光子）的发展。通过将不同的III-V化合物合金调整材料的电子带隙，可以使光的波长调节到相当宽的频谱NIR范围内的所需值。基于GAA（〜850-1100 nm）和INP（〜1200-1700 nm）的材料是最突出的系统，主要由光纤通信驱动。借助此应用领域，INP在具有多种结构的半导体激光器的整合中发挥了较高的作用，从而可以在光子整合电路中对光子进行操纵，以促进多种功能。最近，基于燃气的二极管激光器（1-8-3.0μm）吸引了对光源在传感应用中的兴趣。
新一代 3D 微电子设备 - RSC 出版
微纳机电系统 (MEMS/NEMS) 6,7 和高性能晶体管等等。8,9 例如，目前使用的 Fin-FET（三栅极）晶体管结构是从传统的平面设计演变而来的，需要进一步发展到 3D 环栅 (GAA) 结构。10 – 12 使用这种先进的 3D 结构可以实现更高的功能密度、更高的性能和更低的功耗。13,14 通过先进的制造和加工技术在 3D 晶体管方面进行新的研发创新相信会丰富未来的微电子产业。15 – 18 另一个例子是对下一代芯片和密集集成电路 (IC) 的需求，它们需要更广泛地执行更广泛的功能。19 这是特别需要的，超出了目前通过基于单个芯片（片上系统）的简单光刻缩放方法可实现的技术。 20,21 为此，研究人员和工程师正在研究处理 3D 架构中的异构集成的技术，包括 3D IC 封装、3D IC 集成和 3D Si 集成。22,23 3D IC 集成被认为优于 3D IC 封装，因为它允许使用硅通孔 (TSV) 技术和微凸块堆叠更薄的 IC 芯片。这种架构实现了节能技术，
FXN 通过间接效应表达
弗里德赖希共济失调是一种无法治愈的疾病，由 frataxin (FXN) 蛋白缺乏引起，主要由 FXN 基因内含子 1 中的 GAA 重复扩增引起。在这里，我们鉴定了与 FXN 前 mRNA 第一个内含子内的两个区域互补的反义寡核苷酸 (ASO)，它可以使患者成纤维细胞中的 FXN mRNA 增加约 2 倍。通过在每个区域鉴定多个重叠的 FXN 激活 ASO、两个独立的 RNA 定量分析和多个管家基因的标准化，证实了 FXN mRNA 的增加。对删除 ASO 结合位点的细胞进行的实验表明，ASO 诱导的 FXN 激活是由间接效应驱动的。 RNA 测序分析表明，两种 ASO 诱导了相似的转录组范围变化，与野生型细胞的转录组不同。这种 RNA 测序分析未识别出 ASO 之间共有的直接碱基配对脱靶基因。错配研究确定了 ASO 中 FXN 激活所需的两个富含鸟苷酸的基序 (CCGG 和 G 4 )。我们的 ASO 的磷二酰胺吗啉寡聚体类似物不会激活 FXN，这表明存在 PS 骨架介导的效应。我们的研究表明，在采用基因激活等新机制的寡核苷酸研究中，多个详细的对照实验和靶标验证非常重要。
Chiplet时代电路封装技术研究专门委员会成立宗旨
随着半导体的物理尺寸达到极限，以生成性人工智能为代表的对大规模计算能力的需求正在推动芯片上晶体管元件密度的持续增加。 FinFET结构可提高元件密度，同时抑制传统平面场效应晶体管（FET）小型化所导致的漏电流，目前该结构已开始量产，未来将向GAA（Gate-All-Around）纳米片结构迈进，该结构可将电流通道的控制面从FinFET的三面增加到四面。因此，晶体管的结构变得更加复杂，导致量产时产品良率下降、成本增加。另一方面，人们担心所需计算能力的扩大将超过半导体元件密度的扩大，导致电路规模超过曝光的光罩极限。在此背景下，为了缓解成本上升的问题，一种根据架构将半导体芯片物理地划分为芯片小体（chiplet）的方法已经投入量产。此外，未来还将考虑采用安装技术对适合光罩极限的芯片进行封装和扩大的方法。此外，Chiplet超越了单片芯片的简单划分，可以把不同代半导体芯片或已有芯片组合起来，有望缩短开发周期，改变供应链，有望成为未来半导体产业的一大趋势。
具有增强键合强度的白色粘合剂
这项工作介绍了优化的模型和数值模拟的结果以及基于CNT的GAAS/INAS多个量子井（从5到70 QWS）GAAS太阳能电池的分析。这些QW被发现将吸收边缘延伸到GAA带隙的范围之外。此外，随着模型中引入宽带插入式凹陷后面场（BSF）层，由于从设备底部反射了未吸附的光子，因此提高了效率，从而提高了效率。所提出的模型使用异质的CNT层作为顶部半透明电极。可以观察到，这种具有较低板电阻和更好光线的CNT顶层可以显着提高整体效率。我们的优化单元格具有35 number 25nm量子井结构，具有100 nm CNT顶层，板电阻为128Ω/□可将效率提高到32.46％（没有CNT顶层）。EQE接近90％。为了显示我们发现的准确性，显示了数值建模的关键阶段，并使用标准实验数据检查了基本仿真数据。在创建商业上可行的QWSCS迈出的重要一步是建议基于CNT的QWSC模型在现代TCAD工具环境（Silvaco Atlas）中的有效应用。keyowrds：碳纳诺管（CNT），INAS/GAAS，SILVACO TCAD，量子井太阳能电池（QWSC）
索利哈尔 PPOSS - 策略
缩写 3G 第三代（人造草皮） AGP 人造草坪球场 ANOG 评估需求和机会指南 BAFA 英国美式足球协会 BC 草地滚球俱乐部 BCGBA 英国皇冠草地滚球协会 BE 英格兰草地滚球协会 BSUK 英国棒球垒球俱乐部 CASC 社区业余体育俱乐部 CC 板球俱乐部 DCMS 文化、媒体和体育部 EA 英格兰田径协会 ECB 英格兰和威尔士板球协会 EH 英格兰曲棍球 EN 英格兰无挡板篮球 FA 足球协会 FC 足球俱乐部 FF 足球基金会 FIFA 国际足球联合会 GAA 盖尔式田径协会 GaNTIP 场地和天然草皮改善计划 GMA 场地管理协会 HC 曲棍球俱乐部 KKP Knight、Kavanagh 和 Page LTA 草地网球协会 NC 无挡板篮球俱乐部 NFFS 国家足球设施战略 NGB 国家管理机构 NPPF 国家规划政策框架 NTP 非草皮球场 PIP 球场改善计划 PQS 性能质量标准 PPOSS球场和户外运动策略 PPS 球场策略 RFL 橄榄球联盟 RFU 橄榄球联盟 RLFC 橄榄球联盟足球俱乐部 RUFC 橄榄球联盟足球俱乐部 S106 第 106 条协议 SMBC 索利哈尔都会区议会 TC 网球俱乐部
立式碳钢再结晶通道的研究...
近年来，逻辑器件的量产技术已经发展到 3nm 技术节点[1]。未来，英特尔、三星、台积电将继续利用 2nm 技术节点的新技术，如环栅场效应晶体管 (GAAFET) [2,3]、埋入式电源线 (BPR) [4–8]，来优化逻辑器件的功耗、性能、面积和成本 (PPAC)。然而，横向器件的微缩越来越困难，流片成本已令各大设计公司难以承受。同时，垂直器件将成为未来 DRAM 器件中 4F2 单元晶体管的有竞争力的候选者 [9–13]。关于垂直器件的研究报道很多，大致可分为两条路线。“自下而上”路线利用金属纳米粒子诱导催化，实现垂直纳米线沟道的生长 [14,15]。然而该路线存在金属元素问题，如金污染，与标准CMOS工艺不兼容。另外，通过光刻和刻蚀工艺“自上而下”制作垂直晶体管器件的方法已被三星和IBM报道[16，17]。然而该路线也存在一些问题，例如器件栅极长度和沟道厚度难以精确控制，并且该路线中栅极无法与垂直器件的源/漏对齐。为了解决上述问题，提出了基于SiGe沟道的垂直夹层环绕栅极(GAA)场效应晶体管(VSAFET)，其在栅极和源/漏之间具有自对准结构[18–21]。最近，垂直C形沟道纳米片
用于超级分辨率的自旋发射器
我们使用Spintronic Thz发射器研究了局部THZ场的生成，以增强微米大小的成像的分辨率。远面成像，波长高于100 l m，将分辨率限制为该数量级。通过使用光学激光脉冲作为泵，可以将Thz Field Genert固定在激光束聚焦的区域。由于激光束聚焦而引起的生成的THZ梁的差异要求成像的物体在THZ场波长以下的距离处靠近生成位。我们根据自旋电流在COFEB/PT异质结构中通过FS-LASER脉冲产生THZ辐射，并通过商业低温种植-GAA（LT-GAAS）Auston Switches检测到它们。通过应用具有电动阶段的2D扫描技术来确定THZ辐射的空间分辨率，从而可以在子微米计范围内进行台阶尺寸。在近距离限制内，我们在千分尺尺度上在激光斑点大小的尺寸上实现空间分辨率。为此，在由300 nm SiO 2间隔层隔开的旋转发射器上蒸发了金测试模式。将这些结构相对于飞秒激光斑点（生成THZ辐射）允许测定。刀边方法在1 THz时产生的全宽半宽度梁直径为4：9 6 0：4 l m。在简单的玻璃基材上沉积自旋发射器异质结构的可能性使它们在许多成像应用中具有近距离成像的候选者。