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2023 年年度报告及账目
随着人工智能成为焦点，对新兴人工智能应用的需求有望推动该领域的增长。未来的用例将需要人工智能在边缘处理实时、动态、高保真的输入和输出。这对下一代传感和显示技术提出了挑战。此外，随着人工智能生成的数据量呈指数级增长，对高速、超可靠、低延迟、高带宽连接的需求将造成瓶颈。与硅一起，复合半导体将需要克服这些挑战并实现未来的人工智能生态系统。解决方案将包括用于精确传感的基于 GaAs 和 InP 的光子学；用于高效、超高分辨率显示器和 AR/VR 环境的基于 GaN 和 GaAs 的微型 LED；以及基于 GaN、GaAs 和 InP 的下一代 5G/6G 连接（有线和无线）。
荷兰SPM日2024小册子
在GAA中仅引入少数BI或N的原子百分比对材料的带隙有很大影响。特异性BI掺杂的GAA显示了光电应用中本地带隙工程的潜力。由于应变效应，将BI和N掺入GAA中很困难。在这项工作中，我们研究了这些掺杂剂在原子量表上的排序，以便更好地了解宿主晶格中这些掺杂剂的行为。横截面扫描隧道显微镜（X-STM）用于在GAAS矩阵中找到BI和N掺杂剂的确切位置，从而使我们能够研究其最近的邻居对出现和对相关函数。在短范围（1-2 nm）上发现了BI掺杂剂之间的有吸引力的相互作用，并且在N掺杂剂之间观察到了相似的效果。我们发现BI和N掺杂剂之间具有相似长度尺度的排斥相互作用。在BI-N最近的邻居对中发现了类似的排斥。密度功能理论（DFT）用于计算不同的邻居对能量，并将这些结果测试到实验对的情况下。从实验和理论结果得出的结论是，生长条件和n包含会极大地影响GAA中的BI分布。
纳米结构的gaas-on-s-on-si基板上的Ingaas量子点的线性阵列
在SI中集成的高质量量子点（QD）的线性阵列是探索量子信息的操纵和传输的理想平台。因此，了解与SI技术兼容的底物的QD自组织机制至关重要。在这里，我们证明了INAS和INGAAS QD的线性阵列的外延生长来自AS 2和裸露和GAAS涂层Si（001）底物的分子束，由高分辨率激光干扰纳米义造影。原子力MI司法检查与高分辨率扫描和透射电子显微镜结合使用，表明，当QDS的生长选择性，横向顺序和尺寸均匀性的提高时，QDS的大小为1 nm thick thick gaas gaas buffer层是在INAS沉积之前种植的。此外，x ga 1-x作为QD的优先成核沿<110>的纳米结构的gaas-on-si（001）底物的面向面向的边缘从Adatom迁移中从（111）迁移到（111）到（001）纳米和湿润层引起的湿润层引起的EDM迁移而产生。 Stranski-Krastanov过渡。这些是相干QD的线性阵列形成的关键要素，它们的形态和结构与GAAS（001）和Si（001）平面表面上的形态和结构不同。
WAVE光学模块应用程序库
本应用描述了光子晶体中的波传播，该波传播由彼此等距的GAAS支柱组成。支柱之间的距离防止某些波长的光传播到晶体结构中。取决于支柱之间的距离，在特定频率范围内的波反射而不是通过晶体传播。此频率范围称为光子带隙（参考1）。通过删除晶体结构中的一些GAAS支柱，您可以为乐队间隙内的频率创建指南。光可以沿着概述的指南几何形状传播。
NEA-GAAS的光发射特性
我们已经研究了通过重复热预处理和负电子亲和力（NEA）激活周期制备的GAAS表面的光发射特性。表明，光发射效率随预处理序列发生了巨大变化。我们已经用两个具有不同量子效率的GAAS样品讨论了光发射特性，并发现量子效率随预处理序列的变化与量子效率的绝对值无关。此结果表明电子的发电和传递和发射是独立的过程。我们还讨论了新型的NEA激活方法，该方法有望改善光发射特性。I.引言碱金属在半导体表面上的吸附是从科学和实践的角度来看的重要系统，并且多年来已经对许多人进行了研究。例如，当电子亲和力的GaAS半导体大约为4 eV，因为大量条件会通过CS的交替供应和O 2（或NF 3）的交替激活，其表面的真空水平位于大量导带以下，并且该条件定义为负电子亲和力（NEA）。当光子能量在GAAS带隙能（E G = 1.4 eV）附近的激发灯照亮表面时，Valence Electron会激发到最小的传导带，并可以轻松逃脱到真空中。NEA-GAA具有很大的优势，例如自旋极化，低发射率，短束和高量子效率（QE）电子束，并且NEA-GAAS表面已被用作1970年代1的加速器的光（1）。碱金属在GAAS表面上的吸附已被广泛应用于各种场，但尚未详细阐明其吸附结构和光发射机制。将光发射过程的定性或现象学解释提出为Spicer的三个步骤模型2），并且吸附结构由多种模型（例如Hetero Junction，cluster或偶极模型3,4）预测。很难用碱金属和氧原子的几个单层观察到实际的NEA结构，因为在真空中，热环境和残留气体很容易降解NEA-GAAS表面。这些结构变化降低了NEA-GAAS光电的性能。最后，我们将简要提出新型的NEA激活方法。有可能改善光发性属性。
过渡金属钙钛矿的高压高温合成及物性
GaAs 的压力 - 电阻曲线 ， (c) 6.0 mm 切角二级压砧校压结果 ， (d) 2.5 mm 切角二级压砧校压结果 Fig.3 Pressure calibration of 1 000 t Walker-type apparatus: (a) ZnTe resistivity-pressure curve using 6.0 mm edge lengthsecond stage anvil; (b) GaAs resistivity-pressure curve using 2.5 mm edge length second stage anvil; (c) pressure calibration result using 6.0 mm edge length second stage anvil; (d) pressure calibration result using 2.5 mm edge length second stage anvil
育儿中糖尿病儿童的法律权利...
审计师对合并财务报表审核的责任我们的目标是合理保证合并的财务报表是否没有物质错误陈述，无论是由于欺诈还是错误，并发出包括我们意见在内的审核员报告。合理的保证是高水平的保证，但不是绝对的保证，因此不能保证根据GAAS进行的审计会在存在时始终检测到物质错误陈述。不检测欺诈引起的物质错误陈述的风险高于错误，因为欺诈可能涉及串通，伪造，故意遗漏，虚假陈述或内部控制的替代。错误陈述被认为是重要的。在按照GAAS进行审核时，我们：
（12）美国专利
US 11,016,119 B1 1 2 MONOLITHIC ATOMIC FORCE In view of the above problems , we proposed a novel class MICROSCOPY ACTIVE OPTICAL PROBE of probes for atomic force microscopy ( AFM active optical probe - AAOP ) by integrating a laser source and a photo CROSS REFERENCE TO RELATED detector monolithically into the AFM probe [ Actoprobe APPLICATIONS 5 2015 ] .AAOPS被设计为在召开AFM中使用，以通过包括本申请的索赔优先级和优先级来增强其功能，以上提到的仪器（NSOM，TERS，TERS，混合访问应用程序编号62 / 415,097于2016年10月31日提交，AFM）。 这些独特的光学探针的设计是根据整个披露，通过形式的传统AFM探针和参考。 10添加，同时提供有关纳米级样品的Opti cal特性的信息。 本发明概念的AAOP领域是基于单次结合二极管激光器和AFM探针的基础。 AAOP被设计为本发明与AFM显微镜和空腔探针有关的，即，AFM探针尖端是激光接近 - 场光学显微镜探针的一部分，尤其是15个腔。 AAOP由基于GAA的悬臂组成，其单片AFM活动光学探针能够执行安装在常规SI芯片上的AFM探针。 传统的AFM测量和光学成像，尽管在技术上可行，但纳米级的GAAS / SI杂交和光谱法。 硅，im和GAAS。 （DBR）镜子。62 / 415,097于2016年10月31日提交，AFM）。这些独特的光学探针的设计是根据整个披露，通过形式的传统AFM探针和参考。10添加，同时提供有关纳米级样品的Opti cal特性的信息。本发明概念的AAOP领域是基于单次结合二极管激光器和AFM探针的基础。AAOP被设计为本发明与AFM显微镜和空腔探针有关的，即，AFM探针尖端是激光接近 - 场光学显微镜探针的一部分，尤其是15个腔。AAOP由基于GAA的悬臂组成，其单片AFM活动光学探针能够执行安装在常规SI芯片上的AFM探针。传统的AFM测量和光学成像，尽管在技术上可行，但纳米级的GAAS / SI杂交和光谱法。硅，im和GAAS。（DBR）镜子。提出了严重的问题，可能会影响由于具有不同热膨胀常数的材料的粘结背景而产生的应变，即纳米级的光学表征当前需要NSOM（发明光学显微镜的接近 - 现场扫描摘要），TERS（TIP-增强的Raman Spectros副本）或Hybrid AFM（其中包括专门的FAR -FAR -FAR -FAR -FIEL -FIELD -FIELD 25本发明的对象都提供新型的光学显微镜）。class of probes for atomic force microscopy ( monolithic Attempts at integrating atomic force microscopy and AFM active optical probeML AAOP ) by integrating a optical techniques have already been made and several laser source and a photodetector monolithically into the products based on these schemes have found their way into AFM probe , based entirely on GaAs or similar lasing the market .可商购的，具有Inte-30材料的AFM尖端，从而避免使用有害的GAAS / SI杂化片状波导（空心尖端）。带有外部激光源[Celebrano 2009]。本发明构成了一种制造成本方法的方法，其固有的局限性就整体，集成的光学AFM探针而言。可以传递的最广泛的光学分辨率和光功率。用于原子力显微镜的使用的探针被制造得可实现高侧分辨率使用硅技术的接近磁场35的大小。此方法有限作为光学设备制造的基础。相比之下，ML AAOPS是孔需要减少的，因此导致完全由GAAS制造的指数，半导体材料的光电输出减少。具有最终分辨率和检测器功能的近距离显微镜的激光应用可以通过大约50 nm的外延生长来实现，但不适用于光学结构。边缘 - 发射激光二极管，轻度指南和EFFI光谱，由于功率输出较小。40个满足的光电探测器是通过对旨在更好地整合光区域（Epi-层）的活跃的其他方法来制造的，而AFM尖端是用源和AFM尖端制造的，通常涉及将特殊成长的GAAS外部外在过度层层附加到一个预先制动的光源（Edge Expriced semitter，vcse）的顶部（vcse vcse sepge a veriide a cert a py a veriide a cert a c。 AFM Cantilever探针（混合方法）[Bargiel Epi-激光结构的层。GAAS的选择是2006年，Kingsley 2008]或光源45的制造，直接在AFM尖端上直接在AFM尖端上建立的制造技术的基础[Heisig 2000a，Heisig，Heisig 2000b，nology，nology，允许时间和成本 - 有效的制造 - 有效的制造Hoshino Hoshino Hoshino 2008，Hoshino 2009，Hoshino 2009]。在这些情况下，探针的光学。本发明的实践很容易被探测到探针中。成本 - 有效地使它们负担得起，以实现本发明的说明性体现，即Tific社区。是在AFM尖端制造的激光波长[AN 2008]。杂种扩展到替代III -V半导体，例如INP，方法仅显示在研究实验室和GAP，GAP，GAS和GAN中起作用，以扩大可用的波长，很难想象如何将光学探针从UV到可见的和Mid -Midrared制造50个覆盖率。此外，在激光腔中常用的VCSEL由两种分布式bragg反射器定义，这种方法的光输出功率受到限制。第一个激光镜是标准的第一阶 - 另外，单个集成的光电视也具有dbr光栅（周期 / 2ng，其中h。< / div>光电探测器-55和NEF是仅GAAS波的有效折射率[AN 2008]不能解决指导的困难），该指标可确保将光源对齐在AFM尖端上的激光单个纵向模式，并进行要求。第二激光镜是降低检测器尺寸的第二个订单DBR，以实现位于悬臂末端的空间光栅（周期为n / neft）。IT分辨率直接与将用作用作折叠镜的要求矛盾，该镜子将光线（以获得高60 AVITY激光模式获得的最大可能的检测区域）垂直地进入Nansoscale上光学上的灵敏度水平的AFM尖端中。具有集成的LED光源和Pho-Ridge波导的AFM尖端顶部的特殊生长的GAA外延层层。尖端探头，光源（GAAS LED）被简单地粘在65本身上，是扮演悬臂芯片作用的总内反射棱镜。因此，激光产生的光已证明是todeTector [Sasaki 2000]，但是虽然将耦合到GAAS探针的表面模式（锥形光电探测器（锥形光电探测器）中）并转移到尖端顶点。这不足以满足需求 - 输出镜，第三镜，在激光腔中。高功率，单波长操作的精神。GAAS微型 - 棱镜将激光光引导到尖端顶点和
ACFR Miami-Dade固体废物2023
截至2023年9月30日的财政年度，迈阿密戴德县废物管理企业基金的年度全面财务报告（“报告”）已在此提交。在本报告中，引用了“固体废物管理部”，“ DSWM”，“部门”，“废物管理”和“ WM”，仅代表废物管理企业基金的活动。本报告根据佛罗里达州的法规和涵盖该部门废物管理企业基金发行债务的决议发表。根据这些要求，我们发布了该报告的报告，该报告符合美国（GAAP）普遍接受的会计原则，并根据美国（GAAS）普遍接受的审计标准（GAAS）和政府审计标准审计的一家有执照的认证公职会计师事务所的审计标准进行了审核。
低点量子点激光器直接生长在硅上，在高温下表现出低阈值电流和高输出功率。
III-V材料在硅上的直接生长是开发单层积分激光器的关键推动剂，在重要通信和计算技术中为超密集的光子整合提供了巨大的潜力。但是，III-V/SI晶格和热膨胀不匹配构成了重大障碍，从而导致缺陷使激光性能降低。这项研究克服了这一挑战，证明了与天然GAAS底物上的顶级激光器相当的INAS/GAAS-SI激光器。这是通过新开发的外延方法来实现的，其中包括一系列严格优化的增长策略。原子分辨率扫描隧道显微镜和光谱实验揭示了活性区域的出色材料质量，并阐明了每种生长策略对缺陷动态的影响。优化的III-V-n-silicon脊脊 - 波导激光器显示出低至6 mA的连续波阈值电流，高温操作达到165°C。在80°C，对于数据中心应用至关重要，它们保持12 ma阈值和35 MW的输出功率。此外，使用相同过程在SI和GAAS底物上制造的激光均显示出几乎相同的平均阈值电流。通过消除与GAAS/SI不匹配相关的性能限制，这项研究为将广泛的III-V光子技术的广泛范围稳健而高密度整合到硅生态系统中铺平了道路。