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氧化加加加加（Gallium Gallium） - 高功率设备的下一个高性能材料
能源效率是社会以及能源转变的最重要挑战之一。能量转换在电气和电网中都起着关键作用，并且RE搜索集中在开发材料上，以提高这些关键过程中的效率和减轻能量损失。出于上述目的，氧化β-Gallium（β-GA 2 O 3）已成为追求更有效的电力转换系统和电力驱动技术的关键参与者。尽管其相对较低的导热率相对较低，但氧化甘高的带有令人印象深刻的宽带隙（〜4.8 eV），高击穿场（8 mV/cm），Excel借出的电气性能以及潜在的较低的制造成本（与SIC和GAN相比），使其适合于高功率和高电量应用。这些独特的属性使电力电子设备的设计能够以良好的效率，降低的损失和提高的性能设计。基于氧化危的设备有可能革新各种技术领域，包括电动汽车，新型能源系统和电网。
砷化镓器件的可靠性
过去几年中，砷化镓 (GaAs) 晶体管和集成电路在太空和军事领域的应用大大扩展。开发这种化合物半导体的主要原因是 GaAs 器件可以在更高频率下工作，并且比硅器件具有更高的抗辐射能力。然而，目前硅技术在可靠性方面仍然占有相当大的领先地位。硅优越可靠性的基础是与生俱来的，在于其氧化物的性质，这种氧化物可以在受控条件下生长，并具有更好的保护性能。不幸的是，GaAs 的氧化物不具备这些品质。我们对市售 GaAs 信号晶体管进行可靠性研究的目的是独立评估它们在星载射频 (RF) 系统（如 X 波段发射器和 S 波段信标接收器）中的使用成熟度。具体来说，在本文中，我们报告了对高电子迁移率晶体管 (HEMT)、信号金属半导体场效应晶体管 (MESFE T)、功率 MESFET 和数字过程控制监控设备的评估。为了帮助读者理解 GaAs 技术，