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采用磁控溅射层间电介质直接形成 n+ 工艺，用于自对准共面氧化铟镓锌薄膜晶体管
具有交错结构（例如蚀刻停止 (ES) 和背沟道蚀刻 (BCE) 结构）的铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜晶体管 (TFT) 已被证明可用作平板显示器中的电路器件 [1,2]。然而，由于栅极和源/漏极 (S/D) 电极之间的重叠，这些交错结构器件不可避免地具有较大的寄生电容，从而导致 TFT 器件的工作速度较低。自对准 (SA) 共面结构是克服该寄生电容问题的一种有前途的解决方案 [3]。形成导电的 n + -IGZO 以获得有源 S/D 区和 S/D 电极之间的欧姆接触是 SA 共面器件的重要工艺。已经提出了许多用于该工艺的方法，并且制备的 IGZO 器件具有良好的性能。通常使用等离子体处理（Ar、H2 等）[4,5] 和深紫外（DUV）照射 [6] 。然而，这些解决方案需要一个额外的步骤，如图 1a 所示，这会导致额外的工艺成本。在 SiO2 栅极绝缘体（GI）过蚀刻期间形成 n + -IGZO 是一种简单的方法 [7,8]。然而，当 GI 蚀刻等离子体可以蚀刻 IGZO 薄膜时，这种方法并不适用。最近，已经证明通过简单地涂覆有机层间电介质（ILD）可以形成 n + -IGZO 区域，并且获得了 24 Ω·cm 的沟道宽度归一化 S/D 串联电阻（R SD W）[9]。本报告展示了在 ILD 沉积过程中形成 n + -IGZO 区域的可能性。基于这个想法，其他制造低 R SD W SA 共面 IGZO TFT 的新方法值得研究。在这项工作中，我们使用磁控溅射工艺沉积 SiO x ILD 并同时为 SA 共面 IGZO TFT 形成 n + -IGZO 区域。这样，ILD 沉积和 n + 形成可以合并为一个步骤，如图 1b 所示。制造的器件具有相当低的 R SD W 。降低 IGZO 薄膜的机制
GAZYVA®（obinutuzumab）输液相关反应指南
GALLIUM 试验. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 推荐的输注前用药. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ...
综述了晶体硅，三硫酸镉，硒化铜，硒化铜，染料敏感，有机和钙钛矿太阳能电池的特定降解：了解成熟技术的可靠性如何增强新兴技术
• Loss of absorption due to absorber layer degradation (intrinsic, moisture or photoinduced) (A) • Migration of dopant from interlayer to absorber layer (A) • Phase separation (A) • Crystallographic changes (A) • Change in energy levels (A, I) • Hole/electron transport layer degradation (I) • Dopant diffusion into active layer (I) • Change of uniformity of interlayers (I)
国际路线图
Chemistry Element Unit Lab Result Chemistry Element Unit Lab Result Aluminum (Al) mg/L 0.3 Silver (Ag) mg/L 0.01 Antimony (Sb) mg/L 0.02 Sodium (Na) mg/L 237 Arsenic (As) mg/L 0.03 Strontium (Sr) mg/L 1.9 Barium (Ba) mg/L 0.15 Tantalum (Ta) mg/L 0.01铍（BE）mg/L 0.01 TIN（SN）mg/L 0.01二晶型（BI）mg/l 0.01钛（Ti）mg/l 0.01硼（b）mg/l 0.42 0.42含0.42凡帕（V）vanadium（v）mg/l 0.02 cadmium（cad）mg/l 0.01 mg/l 0.01 mg/zn 0.01 mg/zn zn 0.01 mg/zn 0.01 mg/zn 0.01 mg/zn 0.01 mg/zn 0.01 mg/l 0.01 mg/zn。 72锆（Zr）mg/L 0.01铬（CR）mg/l 0.38铵（NH4+）mg/L 2.5钴（CO）Mg/L 0.02溴化物（BR-）Mg/L 0.23 COPPER（CU）COPPER（CU）MG/L 1.2氯化物（Cu）mg/l 1.2氯化物（Cl-）Mg/l 3557.0 GALDIUM（Cl-）MG/L 30.4 Gallium（Cl-）MG/L 30.4 Gallium（Cl-l 30.4 Gallium） （F-）Mg/L 1.1锗（GE）mg/L 0.01硝酸盐（NO3-）Mg/L 35铁（Fe）Mg/L 0.1磷酸盐（PO4 X-）Mg/L 0.5铅（Pb）Mg/L 0.5
基于分子动力学的氮化镓/石墨烯/ 金刚石界面热导研究*
设备，采用非平衡分子动力学方法来研究工作温度，界面大小，缺陷密度和缺陷类型对氮化碳/石墨烯/钻石异种结构的界面导热率的影响。此外，计算各种条件下的声子状态密度和声子参与率，以分析界面热传导机制。结果表明，界面热电导随温度升高而增加，突出了异质性固有的自我调节热量耗散能力。随着温度从100升的增加，单层石墨烯结构的界面热电导增加了2.1倍。这归因于随着温度升高的重叠因子的增加，从而增强了界面之间的声子耦合，从而导致界面导热率增加。此外，在研究中发现，增加氮化岩和石墨烯的层数会导致界面热电导量减少。当氮化壳层的数量从10增加到26时，界面的导热率降低了75％。随着层数增加而减小的重叠因子归因于接口之间的声子振动的匹配减少，从而导致较低的热传递效率。同样，当石墨烯层的数量从1增加到5时，界面热电导率降低了74％。石墨烯层的增加导致低频声子减少，从而降低了界面的导热率。此外，多层石墨烯可增强声子定位，加剧了界面导热的降低。发现引入四种类型的空缺缺陷会影响界面的导电电导。钻石碳原子缺陷导致其界面导热率增加，而镀凝剂，氮和石墨烯碳原子的缺陷导致其界面导热降低。随着缺陷浓度从0增加到10％，由于缺陷散射，钻石碳原子缺陷增加了界面热电导率，增加了40％，这增加了低频声子模式的数量，并扩大了界面热传递的通道，从而提高了界面热电导率。石墨烯中的缺陷加强了石墨烯声子定位的程度，因此导致界面导热率降低。胆汁和氮缺陷都加强了氮化炮的声子定位，阻碍了声子传输通道。此外，与氮缺陷相比，甘露缺陷会引起更严重的声子定位，因此导致界面的界面热电导率较低。这项研究提供了制造高度可靠的氮化炮设备以及广泛使用氮化壳异质结构的参考。
用于瞬态航天器载荷的全金属相变热管理系统
摘要：在这项工作中，我们探索了镓作为一种有效的相变材料在热管理应用中的热性能。将镓制造的散热器的热存储和散热与传统的相变散热器进行了比较。比较结果显示，由于高密度、热导率和熔化潜热，相变过程中的温度可能降低 50 倍（80 K 对 1.5 K）。镓在瞬时加热时会产生浅热梯度，从而产生近乎等温的过程。使用集中总和参数的计算估计能够提供简单的模型来预测结果。基于镓的相变装置兼具体积小、整个装置温降小、制造和设计简单以及高能量存储应用等特点。DOI：10.1061/(ASCE)AS.1943-5525.0001150。本作品根据知识共享署名 4.0 国际许可证条款提供，https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ 。
紫外线LED 101 UV LED技术的基础
高带gap（较短的波长）材料由III-V半导体组合形成，允许在紫外线范围内进行辐射排放。通过改变铝，粘液和凝胶的比率，可以获得特定的发射波长。UV LED进一步分类为UVA，UVB和UVC LED。在UV和UVA LED附近使用Ingan在活动区域中使用Ingan，并且主要在蓝宝石底物上生长。氮化铝含量是低于365 nm的波长的首选材料。对于发射较短的紫外线波长的设备，需要具有更大铝含量的组合物。蓝宝石底物含有氮化铝或氮化铝铝铝层，也用于提高较短波长的LED质量[4]。
代码 描述 费用 90281 免疫球蛋白 (Ig)，人类...
注射剂，钆基磁共振造影剂，未另行指定（编号），每毫升 1.48 美元 A9580 氟化钠 F-18，诊断用，每研究剂量，最高 30 毫居里 按报告定价 A9581 注射剂，钆塞酸二钠，1 毫升 14.70 美元 A9583 注射剂，钆磷维赛特三钠，1 毫升 按报告定价 A9584 碘 1-123 碘氟烷，诊断用，每研究剂量，最高 5 毫居里 2,756.29 美元 A9585 注射剂，钆布醇，0.1 毫升 0.28 美元 A9586 Florbetapir F18，诊断用，每研究剂量，最高 10 毫居里 2,931.70 美元 A9587 镓Ga-68，Dotatate，诊断，0.1 毫居里 $ 57.01 A9588 Fluciclovine F-18，诊断，1 毫居里 $ 507.08 A9589 滴注，六氨基乙酰丙酸盐盐酸盐，100 毫克 $ 1,378.71 A9590 碘 I-131，Iobenguane，1 毫居里 价格报告 A9591 氟雌二醇 F 18，诊断，1 毫居里 $ 752.40 A9592 铜 Cu-64，Dotatate，诊断，1 毫居里 $ 987.53 A9593 镓 Ga-68 Psma-11，诊断，（Ucsf），1 毫居里 价格报告 A9594 镓 Ga-68 Psma-11，诊断，（Ucla），1毫居里价格报告 A9595 Piflufolastat F-18，诊断，1 毫居里 $ 595.39 A9596 镓 Ga-68 Gozetotide，诊断，（Illuccix），1 毫居里 $ 1,009.58