据观察,APT27 针对的是广泛地理区域的广泛组织,包括欧洲、北美和南美、非洲、中东和亚太地区 (APAC)。据观察,该组织主要进行水坑攻击和鱼叉式网络钓鱼攻击,这是其在目标网络中获得初步立足点的主要手段 [ 7 ]。自 2020 年以来,还观察到 APT27 运营商参与基于勒索软件的网络犯罪活动,这表明该组织成员除了进行标准的渗透驱动活动外,还可能进行以经济为动机的活动 [ 8 ]。APT27 还以其高度的操作复杂性而闻名,并经常改变其攻击策略。为了混淆其活动、逃避检测并保持长期的网络持久性,APT27 部署了无文件恶意软件并在目标网络内进行枢纽。与 APT27 相关的事件也与其他威胁团体的活动集群一起被记录下来,这些威胁团体被评估为来自同一民族国家,例如 APT30、APT31 和 GALLIUM。
据观察,APT27 针对的是广泛地理区域的广泛组织,包括欧洲、北美洲和南美洲、非洲、中东和亚太地区 (APAC)。据观察,该组织主要进行水坑攻击和鱼叉式网络钓鱼攻击,这是其在目标网络中获得初步立足点的主要手段 [7]。自 2020 年以来,还观察到 APT27 运营者从事基于勒索软件的网络犯罪活动,这表明该组织成员除了标准的数据泄露驱动活动外,还可能进行出于经济动机的活动 [8]。APT27 还以其高度的操作复杂度而闻名,并经常改变其攻击策略。为了混淆其活动、逃避检测并保持长期的网络持久性,APT27 部署了无文件恶意软件并在目标网络内进行枢纽。与 APT27 相关的事件也与其他威胁团体的活动集群一起被记录下来,这些威胁团体被评估为从同一民族国家开展活动,例如 APT30、APT31 和 GALLIUM。
摘要 — 本文介绍了单片微波集成电路功率放大器的设计和实验结果,其中将 FET 堆叠方法与 Doherty 架构相结合,以最大限度地提高可实现的性能。具体而言,堆叠单元是通过将共源设备拆分为两个较小的设备来实现的,从而形成非常紧凑和对称的结构,而 Doherty 理念则用于实现高回退效率。该芯片采用 100 nm 栅极长度的硅基氮化镓技术实现,面向下行卫星 Ka 波段。两级放大器不仅满足功率要求,还满足空间使用的热约束。在 17.3 GHz 至 20.3 GHz 的频率范围内,测量结果显示线性增益约为 25 dB,峰值功率为 38 dBm,功率附加效率大于 35%。索引词 — Doherty 放大器、高效率、空间应用、氮化镓
I.引入电子组件的发展,例如Schottky二极管,MOS,晶体管和金属分离的半导体,GAN通常使用(MIS)。et cetera。[1-3]。氮化壳是一种非常有前途的材料,用于具有高强度,高频率和宽频率和高电子速度饱和的半导体材料。氮化岩二进制化合物是一种半导体直接带隙,其晶格参数=4.52Å,Eg = 3.22 eV,属于III-V家族的300 K [4]。此二进制化合物(LED),光电探测器(MSM),激光二极管,太阳能电池施加和现场效应微波晶体管[5-9]是光发射二极管中的有前途的材料。gan的高频特性使其适用于高频和高功率应用。[10,11]。已经对Schottky二极管设备生产的许多理论和实验研究进行了研究(Metal-GAN)。项目已经研究了在不同频率下1 kHz-1 MHz范围内Au / Nio / Gan Schottky二极管的电子参数和频率依赖性。
of GaN/p-Si based solar cells N. S. Khairuddin a , M. Z. Mohd Yusoff a,* , H. Hussin b a School of Physics and Material Studies, Faculty of Applied Sciences, Universiti Teknologi MARA, 40450 Shah Alam, Selangor, Malaysia b School of Electrical Engineering, College of Engineering, Universiti Teknologi MARA, 40450 Shah阿拉姆(Alam),马来西亚雪兰莪(Selangor),在这项研究中,我们使用PC1D模拟器来证明基于硝酸盐(GAN)的太阳能电池模型的性能分析。已经发现,当GAN底物的层厚度生长时,太阳能电池的效率会降低。这是通过比较GAN和硅底物上的掺杂浓度和层厚度来发现的。随着P掺杂SI层的厚度升高,细胞效率恰好增加。GAN和P -Silicon的最佳掺杂浓度分别为1x10 18 cm -3和1x10 17 cm -3。与其他设计相比,GAN/P-Silicon太阳能电池的效率最高25.26%。(2023年6月21日收到; 2023年9月1日接受)关键字:太阳能电池,甘恩,氮化碳,硅,硅,pc1d1。简介硝酸盐(GAN)设备自然会获得市场份额。gan收入将以75%的累积年增长率扩大。电力电子专家目前面临与电路设计技术,被动组件选择,热管理和实验测试有关的问题,这是由于其高开关速度和操作开关频率[2]。gan合金具有可调的直接间隙,这就是光伏使用它们的原因。用于光电和微电子学中的应用,III-V硝酸盐(如氮化岩(GAN),氮化铝(ALN)和硝酸铝(Innride)及其合金及其合金都特别吸引人。他们的带盖是最初[3]最诱人的地方之一。si还旨在在低温血浆增强化学蒸气沉积(PECVD)方法中作为N型掺杂剂掺入,因为它是高温GAN中的众所周知的供体掺杂剂[4]。由于其直接带隙(例如〜3.4 eV),整个可见光谱中的透射率超过82%,高电子迁移率(〜1,000 cm2/vs)[5] [5],高导热率和出色的化学稳定性和出色的化学稳定性[6],氮化物(GAN)具有出色的光学和电气性能。Ingan材料系统的带隙现在跨越了红外线到紫外线。INGAN材料系统对于光伏应用是有利的,因为它可用于制造第三代设备,例如中型太阳能电池,除了高效的多官方太阳能电池外,由于其直接和宽的带隙范围[7]。氮化物具有有利的光伏特性,例如低有效的载体,高迁移率,高峰值和饱和速度,高吸收系数和辐射耐受性,除了宽带间隙范围[8]。IIII-V硝酸盐技术能够生长高质量的晶体结构并创建光电设备的能力证实了其高效光伏的潜力[9]。上述情况使我们能够控制费米水平显然随着gan厚度的上升而向上移动,并减少传导带最小值(CBM)值和价值最大(VBM)值[10]。压缩应力的松弛和较厚的GAN层的载体浓度增加是依赖厚度依赖性带结构的初步解释[11]。
摘要 - 用氧气和碳植入的氮化甘露的氮化岩在室温下显示载体介导的自旋机制。使用Tris(环戊二烯基)Gadolinium前体通过金属有机化学蒸气沉积生长的GD掺杂的GAN显示出普通的霍尔效应,并且在室温下没有浪漫主义。在o或c植入GD掺杂的GAN中,观察到表明载体介导的自旋和铁磁性的异常大厅效应。即使在植入后也保持良好的晶体质量。o和c偏爱间质站点,并在GD掺杂的GAN中占据了深层的受体型状态。由GD掺杂的GAN诱导的gadolinium诱导的室温自旋和铁磁性被占据间隙部位的O和C激活。载体介导的自旋功能的机制显示了对控制和操纵自旋作为氮化壳中的量子状态的潜力。这使gagdn:o/c成为室温旋转和量子信息科学应用的潜在半导体材料基础。在本文中,研究了使用离子植入,使用X射线衍射的结构表征在GD掺杂GAN中掺杂,并研究了使用高级HALL效应的自旋相关测量,并进行了相应的讨论。
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永磁材料 声学匹配场处理 脉冲 X 射线照相术 氮化镓晶体管开发 经济性和可持续性 伽马射线照相术 断裂力学原理 分子结构分析和诺贝尔奖 合成润滑剂 海军用聚四氟乙烯 定量 X 射线荧光分析 改进的锅炉水处理 断裂试验技术 半绝缘砷化镓晶体 离子注入冶金术 氟化网络聚合物 磁性材料和半导体技术 低太阳吸光度船用涂料 快速固化防腐涂料 顶部伪装和防滑甲板涂料 高温防滑甲板 空间研究与技术 首次探测到太阳的远紫外光谱 首次探测到来自太阳的 X 射线 维京探空火箭计划 先锋计划 — 火箭先锋计划 — Minitrack 和空间监视先锋计划 — 卫星和科学 X 射线天文学太阳辐射 (SOLRAD) I 美国第一颗作战情报卫星 TIMATION 和 NAVSTAR GPS 高层大气遥感星载太阳日冕仪海事领域意识深空计划科学实验 (Clementine) 光波长干涉测量战术卫星自主系统龙眼无人系统氢燃料电池