XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemGASB
嗜热伏能转换的选择性元面过滤器的设计
Design of Selective Metasurface Filter for Thermophotovoltaic Energy Conversion Rajagopalan Ramesh, 1, 2,* Qing Ni, 1, 3 Hassan Alshehri, 1, 4 Bruno Azeredo 2 and Liping Wang 1,* Abstract Optical filters with narrow transmission band above the bandgap of thermophotovoltaic (TPV) cells are not restrained by the rigorous thermal reliability as needed for发射器。在这项工作中，提出了一种由石英底物上的铝纳米（ALNP）阵列制成的新型跨表面滤波器，以在TPV单元的带隙上方实现频谱选择性传输。光学模拟，以确定适当的ALNP周期，直径和高度，以使所得的纳米阵列阵列将在1.9μm的波长下显示窄带传输，该波长接近抗抗氧化和抗氧化衣（GASB）TPV Cell的带状频率。窄带传输增强率可以归因于相邻的Al纳米柱之间的磁极（MP）共振。通过电感能力电路电路模型以及纳米时期，直径，高度以及入射角的影响进一步证实了MP机制。此外，评估了与ALNP MetaSurface滤波器结构增强的TPV性能，还评估了对燃气TPV电池的开路电压，短路电流密度，输出电力和转换效率。
县级会计准则和程序手册
本手册提供了符合美国政府会计准则委员会 (GASB) 规定的公认会计原则 (GAAP) 的统一会计和报告程序。具体账户结构（例如帐号、名称等）的指导由各地方政府自行决定，只要充分满足州审计长办公室 (SCO) 的法定报告要求（例如财务交易报告、分配等）和本手册中的要求即可。
人物角色 (冠军版)
▪ 审查并批准 COA 变更请求 ▪ 指定其他交叉验证规则或安全规则 ▪ 审查/批准日记帐分录 ▪ 批准调整并关闭期间 ▪ 批准期间关闭和打开活动 ▪ 监督总帐会计师 ▪ 监督政策变更以及 GASB、FASB 会计准则变更 ▪ 业务流程文档管理员 ▪ 促进透明度 ▪ 对于 SBF：管理外部审计和多个实体 990 和 990T；相关州税申报 ▪ 负责 1042 和 1099 报告 ▪ 培养团队中的领导者
嗜热伏能转换的选择性元面过滤器的设计
Design of Selective Metasurface Filter for Thermophotovoltaic Energy Conversion Rajagopalan Ramesh, 1, 2,* Qing Ni, 1, 3 Hassan Alshehri, 1, 4 Bruno Azeredo 2 and Liping Wang 1,* Abstract Optical filters with narrow transmission band above the bandgap of thermophotovoltaic (TPV) cells are not restrained by the rigorous thermal reliability as needed for发射器。在这项工作中，提出了一种由石英底物上的铝纳米（ALNP）阵列制成的新型跨表面滤波器，以在TPV单元的带隙上方实现频谱选择性传输。光学模拟，以确定适当的ALNP周期，直径和高度，以使所得的纳米阵列阵列将在1.9μm的波长下显示窄带传输，该波长接近抗抗氧化和抗氧化衣（GASB）TPV Cell的带状频率。窄带传输增强率可以归因于相邻的Al纳米柱之间的磁极（MP）共振。通过电感能力电路电路模型以及纳米时期，直径，高度以及入射角的影响进一步证实了MP机制。此外，评估了与ALNP MetaSurface滤波器结构增强的TPV性能，还评估了对燃气TPV电池的开路电压，短路电流密度，输出电力和转换效率。
年度综合财务报告（ACFR）
16独立审计师的报告20管理层的讨论与分析27历史趋势29结合信托净职位的声明 - 养老基金30结合信托净职位变化的声明结合养老金基金 - 养老基金 - 联合信托净职位的声明 - 保险基金32联合信托立场的变化陈述在信托位置上的变化陈述 - 保险净额33 fid kpppa kpppa 33组合kpppa 33结合范围的范围kppa 33组合成分重大会计政策的摘要38注释B.描述和贡献信息44注意C.现金，短期投资和证券贷款贷款附带45注释D.投资72 Note E.证券贷款交易73 NOTE F.损失的风险G. G. Contingencies 73 Note formenties 73 Note H.定义福利养老金计划74 NOTE I.设备74注意K.无形资产75注释L.精算估值76 NOTE M. GASB 67和GASB 74估值84注释N.养老金立法86注释O.诉讼88注释P.互惠协议89注释Q.退休 - 重新雇用和活跃会员健康保险的补偿90注释R.通用基金拨款90 NOTE S. PRISMA DANIEL BOONE基金调整90 Note T.随后的事件91注释U.雇主戒烟91注释V.相关方
用于热光伏能量转换的具有尖锐截止特性的半导体选择性发射极
半导体发射极有可能实现陡峭的截止波长，这是由于它固有的带隙吸收和几乎为零的亚带隙发射，而无需掺杂。本文研究了一种基于锗晶片的选择性发射极，该发射极具有正面抗反射和背面金属涂层，用于热光伏 (TPV) 能量转换。光学模拟预测波长为 1 至 1.85 µ m 时，光谱发射率高于 0.9，亚带隙范围内的光谱发射率低于 0.2，且在带隙附近具有陡峭的截止波长，表明其具有优异的光谱选择性行为。间接测量的 Ge 基选择性发射极样品的光谱发射率与此高度一致，证实了这一点。此外，还从理论上分析了不同温度下将 Ge 基选择性发射极与 GaSb 电池配对的 TPV 效率。这项工作将促进基于半导体的选择性发射极的开发，以提高 TPV 性能。
利用双台面结构电容电压测量确定 II 型超晶格中的背景掺杂类型
我们提出了一种确定半导体背景掺杂类型的方法，即在过度蚀刻的双台面 pin 或 nip 结构上使用电容电压测量。与霍尔测量不同，此方法不受基板电导率的限制。通过测量具有不同顶部和底部台面尺寸的器件的电容，我们能够最终确定哪个台面包含 pn 结，从而揭示本征层的极性。当在 GaSb pin 和 nip 结构上演示时，此方法确定该材料是残留掺杂的 p 型，这已由其他来源充分证实。然后将该方法应用于 10 单层 InAs/10 单层 A1Sb 超晶格，其掺杂极性未知，并表明该材料也是 p 型。
从密度泛函理论系统地调整二元 III-V 半导体的应变诱导带隙
III-V 半导体带隙性质和大小的改变对于光电应用具有重要意义。应变可用于系统地在很宽的范围内调整带隙，并引起间接到直接 (IDT)、直接到间接 (DIT) 和其他带隙性质的变化。在这里，我们建立了一种基于密度泛函理论的预测从头算方法来分析单轴、双轴和各向同性应变对带隙的影响。我们表明系统性变化是可能的。对于 GaAs，在 1.52% 各向同性压缩应变和 3.52% 拉伸应变下观察到 DIT，而对于 GaP，在 2.63 各向同性拉伸应变下发现 IDT。我们还提出了一种通过将双轴应变与单轴应变相结合来实现直接-间接转变的策略。确定了应变 GaSb、InP、InAs 和 InSb 的进一步转变点，并与元素半导体硅进行了比较。因此，我们的分析为二元 III-V 半导体中的应变诱导带隙调整提供了一种系统且可预测的方法。