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Gate 2 增长战略
我们主要通过十年左右的长期贷款获得融资。同时，我们旨在通过避免长期贷款偿还集中在任何特定财政年度来降低再融资风险。因此，截至 2024 年 3 月底，一年内到期的计息债务约占总计息债务的 21%，五年以上到期的百分比约为 41%。对于五年以上到期的债务，我们发行了 20 年期公司债券并安排了其他形式的计息债务，还款期最长为 2045 年*，旨在构建长期到期阶梯。此外，我们持有足够的现金和存款来偿还一年内到期的所有计息债务，并已获得承诺额度，可灵活获取资金。
三重材料双门TFET的分析建模，具有异性登录门堆栈
摘要已开发了不对称扩展源隧道场效应晶体管（AES-TFET）的二维分析模型，以获得更好的设备性能。已通过求解2-D Poisson的方程来分析并执行所提出的设备模型。表面电势分布，电场变化和带对频带隧道（BTBT）速率已通过此数值建模研究。TFET新颖结构的源区域已扩展（不同的2 nm至6 nm），以结合角效应，从而通过薄薄的隧道屏障进行了BTBT，并具有受控的双极传导。这最终为N通道AES-TFET产生了更好的源通道接口隧道。2-D数值设备模拟器（Silvaco TCAD）已用于模拟工作。最终通过AES-TFET的分析建模来验证模拟工作。更好的是，我关闭和切换比是从这个新颖的TFET结构中获得的。关键字AES-TFET·表面电势分布·电场变化·BTBT·TCAD·数值建模。1介绍纳米科学和纳米技术在纳米级设备中的出现，晶体管的物理大小已被绝对地缩小。通过遵循2022年摩尔的法律预测，微型化已达到其对金属氧化物施加效应晶体管（MOSFET）的极限[1]。在这方面，过去二十年中已经出现了各种扩展问题。短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。 ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com为了克服这些问题，在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。但是，在目前的情况下，在60mv/十年的MOSFET上有限的子阈值摇摆（SS）是研究人员的主要缺点。
AlGaN 势垒对具有 p-GaN 栅极的功率 HEMT 长期栅极可靠性的影响
阈值电压不稳定很大程度上被归因于 p-GaN/AlGaN 堆栈中存在的两种竞争机制，即空穴和电子捕获，分别导致负和正的 V TH 偏移 [3-9]。其中一种机制的盛行程度可能取决于栅极偏压和温度 [3]、技术种类 [11] 以及应力 / 表征时间 [12]。总体而言，来自栅极金属的空穴注入和 / 或高场耗尽肖特基结中的碰撞电离已被确定为导致 V TH 不稳定的此类现象的根本原因。提出了一些工艺优化措施，例如降低栅极金属附近 p-GaN 层中的活性镁掺杂浓度 [11]、降低 AlGaN 势垒中的铝含量 [3] 以及优化 p-GaN 侧壁的蚀刻和钝化 [10]，以限制正向栅极应力下的负和正 V TH 偏移。
预计 DLT 门操作
• 节假日休息 • 营业时间将从 3 月 4 日 Craycroft 因施工而关闭时开始更改，并可能根据利用率进行调整。S. WILMOT - 周一至周五 / 0500-0900 和 1330-1800
GATE 截止最终结果.xlsx
项目 项目 ID UR OBC EWS SC ST UR-PWD OBC-PWD EWS-PWD SC-PWD ST-PWD 化学工程 CH 232 232 232 232 232 277 土木工程 CE 455 438 424 352 278 246 计算机科学与工程 CS 686 646 654 469 364 335 311 数据分析 DA 687 661 646 487 375 335 284 数据分析 MA 567 481 540 291 地震科学与工程 GP 355 339 319 271 215 270 304 电子工程（通信与信号处理） SP 512 447 459 341 276 452 244 电子工程（光通信与集成光子学） OC 420 368 375 286 251 219 电子工程（射频与微波工程） RF 405 400 345 295 251 219 电子工程（VLSI 设计） VL 523 499 514 365 276 249 环境科学与工程 ES 462 443 431 319 175 277 190 燃料与能源工程 FE 249 249 249 249 215 364 测绘学 GM 442 372 362 297 245 工业工程与管理 MS 514 447 498 351 270 246 机械工程（机械设计） MD 477 475 469 343 277 273 245 236 机械工程（制造工程） MF 397 379 397 310 241 351 213 236 机械工程（热能工程） TH 447 428 429 310 245 245 236 冶金工程 MT 146 146 146 146 146 364 矿物工程 FM 196 196 196 196 196 364 采矿工程 MN 448 436 426 307 239 石油工程 PE 446 348 293 266 150 制药科学与工程 CY 382 366 325 257 237 335 电力电子与电气驱动 PD 490 472 490 345 288 332 249 电力系统工程 PS 457 437 442 354 288 332 249 隧道与地下空间技术 TU 359 359 307 297 196 270 304