维多利亚州双性恋联盟 黑色彩虹 新南威尔士州计划生育 原住民残疾人网络 拉筹伯大学澳大利亚性、健康与社会研究中心(ARCSHS)的维多利亚州男女同性恋健康中心(GLHV) 澳大利亚艾滋病毒感染者/艾滋病毒携带者全国协会(NAPWHA) 全国少数民族残疾人联盟(NEDA) 全国 LGBTI 健康联盟 澳大利亚双性人人权协会 澳大利亚残疾人协会 新南威尔士州积极生活 澳大利亚骄傲基金会(前身为 GALFA) 骄傲残疾人服务有限公司 悉尼和西南悉尼地方卫生区。 维多利亚州跨性别者协会 维多利亚州性别与性问题专员 维多利亚州卫生与公众服务部多元化部门 澳大利亚残疾妇女 WWILD 性暴力防治协会。
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摘要 提出了一种用于快速检测IGBT去饱和短路的自适应消隐时间(SABT)电路。在IGBT正常开通或发生负载故障(FUL)时,通过检测IGBT集电极-发射极电压V CE 的变化来实现消隐时间的确定;而当IGBT发生硬开关故障(HSF)时,通过检测栅极电压V GE 来确定消隐时间。利用UMC 0.6μm 700V工艺进行仿真表明,提出的SABT电路能够快速检测FUL和HSF。与传统消隐时间电路相比,SABT电路可以将FUL的故障检测时间从1.3μs缩短到35.5ns,而HSF条件下的故障检测时间从2.329μs缩短到294ns。 关键词:消隐时间,IGBT,去饱和短路保护 分类:功率器件与电路
在功率循环实验中,需要估算开关的温度。当一个开关由几个并联的芯片组成时,这些芯片的温度可能不一样。在没有对每个芯片进行单独监控的情况下,通常假设平均温度是由最常见的 TSEP(热敏电参数)如 Von 估算的。然而,每个芯片的温度都是未知的。一些研究解释并评估了初始温度不平衡 [1]。当模块由于热机械循环而老化时,引线键合会退化和剥离,从而改变流向芯片的电流路径,从而改变损耗和温度分布。[2, 3] 分别在单芯片和多芯片的情况下评估了估算温度(即 Von)随退化的变化。然而,文献中没有通过实验获得温度分布随退化的变化。
摘要 提出并研究了一种用L形SiO 2 层将LDMOS和LIGBT隔离的RC-LIGBT。L形SiO 2 层显著增强了击穿状态下的体电场,并大大降低了表面电场。正向传导时,A点之前电流以单极模式(LDMOS)为主,B点之后电流以双极模式(LIGBT)为主,由于电导率调制受到LIGBT区的抑制,A点和B点之间消除了回弹。反向传导状态下,LDMOS区实现了续流二极管(FWD)。与传统RC-LIGBT相比,所提出的器件表现出无回弹特性,同时将BV提高了107%。 关键词:RC-LIGBT,击穿电压,回弹现象 分类:功率器件与电路
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欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件,甚至造成永久性故障,从而影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时,请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. IGBT 是对静电敏感的器件,使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作,如有定期更改,恕不另行通知。无锡华润华晶微电子有限公司。
虽然这些法律和政策提供了至关重要的法律保护——以及必要时的法律补救措施——但仅靠它们还不足以解决反 LGBTQ 欺凌和骚扰的问题。学校管理人员和其他主要领导人执行和实施 LGBTQ 包容性政策的程度存在很大差异。学校必须有意为 LGBTQ 学生创造一个受欢迎、安全的环境。第一步可以包括提供专业发展机会、LGBTQ 包容性反偏见计划和持续监控政策合规性。
IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种功率半导体器件,已获得电力电子电路设计工程师的认可,用于电机驱动和功率转换器应用。这些器件兼具功率 MOS 和 MOS 的最佳特性。