相变材料 (PCM) 可以在结晶状态和非晶态之间快速可逆地切换,具有显著的光学和电子对比度。[1–3] 这些特性被广泛应用于电子非挥发性存储器 [4–7] 和纳米光子学等一系列设备中。[8–10] 在基于 PCM 的随机存取存储器 (PCRAM) 中,SET 操作通过结晶实现,RESET 通过熔融淬火非晶化实现。 可以对更复杂的操作进行编程,包括迭代 RESET 和累积 SET,对应于中间和部分结晶/非晶态,用于神经启发计算应用。[11–18] 伪二元 GeTe–Sb 2 Te 3 系列上的 Ge–Sb–Te (“GST”) 化合物 [19] 已得到广泛研究,旗舰化合物 Ge 2 Sb 2 Te 5 和 GeSb 2 Te 4 目前被用作
相变材料 (PCM) 可以在结晶状态和非晶态之间快速可逆地切换,具有显著的光学和电子对比度。[1–3] 这些特性被广泛应用于电子非挥发性存储器 [4–7] 和纳米光子学等一系列设备中。[8–10] 在基于 PCM 的随机存取存储器 (PCRAM) 中,SET 操作通过结晶实现,RESET 通过熔融淬火非晶化实现。 可以对更复杂的操作进行编程,包括迭代 RESET 和累积 SET,对应于中间和部分结晶/非晶态,用于神经启发计算应用。[11–18] 伪二元 GeTe–Sb 2 Te 3 系列上的 Ge–Sb–Te (“GST”) 化合物 [19] 已得到广泛研究,旗舰化合物 Ge 2 Sb 2 Te 5 和 GeSb 2 Te 4 目前被用作
玻璃和相应的晶体通常具有相似的局部顺序和可比的特性。我们通过量化化学键来解释这些相似之处。使用量子化学键合描述符(电子在原子之间转移和共享的电子),我们证明在诸如SIO 2,GESE 2和GESE之类的普通玻璃中,玻璃中的化学键合,相应的晶体几乎没有差异。相反,对于仅在图的不同区域中发现的晶体,由两个粘结描述符跨越,获得了非常规的玻璃,在局部顺序和光学特性上都不同。该区域包含Gete,SB 2 TE 3和GESB 2 TE 4的晶体,这些晶体采用了元键合。因此,我们可以通过识别那些采用特殊键的晶体来设计非常规的玻璃。