该装置是完全符合 EN54-4 标准的电池充电器,某些型号还包含可与 GFE 所有可寻址面板一起使用的环路接口。它将监控所有故障情况,包括:充电器故障、充电器电压水平、输入电压电源故障和电源移除。它可以作为独立模块提供,也可以装在 ABS 塑料外壳中,包括 28V DC @ 1.7 或 2.4 安培 PSU。独立单元的额定电流为 10A,并配有散热装置。电池电量受到全面监控,电流输出受控制并限制为最大 4 安培。提供两个辅助输出继电器,均配备一组转换触点。一个用于发出故障情况信号。输出继电器仅适用于可寻址版本,可在包含在 IO 组中时使用。
GFET-PV01是用于开发具有环氧封装层的传感应用的,从而可以在传感器修饰和测试过程中保持一致的液体处理和对齐。此外,将三个通道定位为启用每个石墨烯通道的可靠手动或自动化功能,以进行多重和/或内部参考。该设备与随时可用的数据采集系统兼容。
摘要:最近,某些挑战一直存在于pH传感器的应用中,尤其是在使用氧化物(HFO 2)薄膜作为感应层时,其中与敏感性,滞后和长期稳定性障碍性能有关的问题。微波退火(MWA)技术作为解决这些挑战的有前途的解决方案,由于其独特的优势,吸引人的吸引力很大。在本文中,首次研究了使用HFO 2作为传感膜的微波退火(MWA)处理对扩展栅场效应晶体管(EGFET)的传感行为的影响。选择了MWA处理的各种功率水平(1750 W/2100 W/2450 W)以探索最佳处理条件。使用X射线光电学光谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)等技术进行了彻底的物理分析,以表征MWA处理的HFO 2传感薄膜的表面。我们的发现表明,MWA处理有效地增加了HFO 2传感薄膜中的表面位点(NS),从而导致EGFET的pH敏感性提高到59.6 mV/pH,并在长期稳定性中降低了滞后和滞后的降低和增强。这些结果表明,MWA提供了一种直接,能量良好的方法来增强EGFET中的总体HFO 2传感效果性能,为HFO 2应用程序提供了见解和更广泛的微电子挑战。
近年来,电子技术的突破使金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的物理特性不断提升,尺寸越来越小,质量和性能也越来越高。因此,生长场效应晶体管 (GFET) 因其优异的材料特性而被推崇为有价值的候选者之一。14 nm 水平双栅极双层石墨烯场效应晶体管 (FET) 采用高 k 和金属栅极,分别由二氧化铪 (HfO 2 ) 和硅化钨 (WSi x ) 组成。Silvaco ATHENA 和 ATLAS 技术计算机辅助设计 (TCAD) 工具用于模拟设计和电气性能,而 Taguchi L9 正交阵列 (OA) 用于优化电气性能。阈值电压 (V TH ) 调整注入剂量、V TH 调整注入能量、源极/漏极 (S/D) 注入剂量和 S/D 注入能量均已作为工艺参数进行了研究,而 V TH 调整倾斜角和 S/D 注入倾斜角已作为噪声因素进行了研究。与优化前的初始结果相比,I OFF 值为 29.579 nA/µm,表明有显著改善。优化技术的结果显示器件性能优异,I OFF 为 28.564 nA/µm,更接近国际半导体技术路线图 (ITRS) 2013 年目标。
•50 x 50目标,即使没有电气化也可以分析技术可行性(即使用冰车)•市场上的许多车辆已经达到2030年目标燃油经济性(包括ICE,传统混合动力,PHEV和BEV)•许多具有燃油经济性标准和财政燃油燃料经济性政策的国家都可以实现达到GFEI目标。•总体而言,EV最适合于过渡到更大的运输中低碳能源,从而利用向电力部门进行可再生能源的转变。•EV的效率大约是常规汽车的三倍,几乎是混合动力车的两倍。
