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超低功率 K 波段 22.2 GHz 至 26.9 GHz 电流...
摘要：本文提出了一种具有宽调谐范围的超低功耗 K 波段 LC-VCO（压控振荡器）。基于电流复用拓扑，利用动态背栅偏置技术来降低功耗并增加调谐范围。利用该技术，允许使用小尺寸的交叉耦合对，从而降低寄生电容和功耗。所提出的 VCO 采用 SMIC 55 nm 1P7M CMOS 工艺实现，频率调谐范围为 22.2 GHz 至 26.9 GHz，为 19.1%，在 1.2 V 电源下功耗仅为 1.9 mW–2.1 mW，占用核心面积为 0.043 mm 2 。在整个调谐范围内，相位噪声范围从 -107.1 dBC/HZ 到 -101.9 dBc/Hz (1 MHz 偏移)，而总谐波失真 (THD) 和输出功率分别达到 -40.6 dB 和 -2.9 dBm。
GHz范围内的电磁屏蔽材料。 -E-Archivo
已审查了不同电磁屏蔽材料的设计和制造方法的最新技术。由于电信技术开发产生的电磁污染，该主题已成为主流研究领域。审查以吸收性材料为中心，并显示了如何通过几何，组成，形态和填充粒子含量来定制此类复合材料的吸收特性的一般概述。尽管解释了不同类型的材料，但文本主要集中在石墨烯和碳纳米管等碳材料上。通过这种方式，讨论了导电填充剂在不同聚合物矩阵中的重要性。此外，还提出了一项关于新的复杂体系结构（例如基于泡沫的材料）的广泛研究。最后，提到了碳填充剂与其他成分（例如金属纳米颗粒）的组合。在所有这些研究中，讨论了复合材料作为吸收性或反射电磁辐射的效率。
APN244 24 – 28 GHz GaN 功率放大器
i. 施加负栅极电压 (-8 V) 以确保所有器件均已关闭 ii. 将漏极偏压升高至约 10 V iii. 逐渐增加栅极偏压电压，同时监测漏极电流，直到达到工作电流的 20% iv. 将漏极升高至工作偏压 v. 逐渐增加栅极偏压电压，同时监测漏极电流，直到达到工作电流 e. 要安全地对 GaN 器件进行去偏压，请先对输出放大器级进行去偏压（如果适用）：
400 MHz 带宽的 2.4 GHz LNA 的设计
摘要 ：低噪声放大器 (LNA) 是接收器最重要的前端模块。LNA 的噪声系数 (NF) 和散射参数影响整个接收器电路的整体性能。如今，在 5G 技术时代，传输数据的质量得到了提高。因此，需要更高的带宽来以更高的速度传输数据。在这种情况下，通信模块需要更新。这项研究是为了推动 LNA 的发展。LNA 设计的主要目标是降低噪声系数和回波损耗。本文旨在设计一个带宽为 400 MHz 的 2.4 GHz LNA。该电路是借助单短截线微带线设计的。我们试图将微带线的长度保持在尽可能短的范围内。这项工作中使用了晶体管 ATF-21170 砷化镓场效应晶体管 (GaAs FET)。该电路在 Keysight Advance Design System (ADS) 中进行了仿真。该放大器采用标准方法手工设计。LNA 在 2.2 GHz 至 2.6 GHz 的频率范围内无条件稳定。为了构建放大器的阻抗匹配电路，使用了史密斯图。观察到 LNA 增益 (S21) 大于 15.3 dB，NF 小于 1.2 dB，输入回波损耗 (S11) 小于 -13.3 dB，输出回波损耗 (S22) 小于 -17.1 dB，带宽为 400 MHz，范围从 2.2 到 2.6 GHz。据作者所知，这在文献中从未出现过。
单原子催化剂上的氨开裂-orca
摘要CCAT PRIME项目的Fred Young Simbillimimeter望远镜上的主要CAM接收器旨在通过敏感的宽带，极性计和光谱测量来解决重要的天体物理和宇宙学问题。开发中的主要频率频段包括对极化敏感的宽带通道的280、350和850 GHz，对于光谱仪来说包括210-420 GHz。微波动力学电感检测器（MKID）是探测器技术的自然选择，在这些高频下，大格式阵列所需的多种式读数的简单性。我们在这里提出了FeedHorn耦合280 GHz极化MKID阵列的初始实验室表征，并概述了后续MKID阵列的计划以及测试台的开发以表征它们。
8-40 GHz 宽带雪量测量仪的进展
• 第一年/第二年/第三年的地面实验 • 由博伊西州立大学的 HP Marshall 执行 • 目标是初步演示如何使用宽带天线进行 SWE 测量 • 使用 Harris IR&D 开发的 2-18 GHz CSA 天线和在此基础上开发的 Alpha Build 天线 • 利用博伊西州立大学现有的 FMCW 雷达成功测量积雪深度和分层 • 演示了使用更窄波束的 alpha build 天线改进的测量结果性能
ALP291 71–86 GHz 低噪声放大器
初步信息：本文档中包含的数据描述了处于开发样品或预生产阶段的新产品，仅供参考。诺斯罗普·格鲁曼保留更改适用于本产品的特性数据和其他规格的权利，恕不另行通知。本数据表所代表的产品受 EAR 法规中所含的美国出口法的约束。
朝向连贯的O波段数据中心互连
ntegrated Photonics已使数字通信时代依靠各级的光网络以非常高的速度和低成本传输数据。大规模数据中心需要高度集成的成本效益的光学通信解决方案，因为数据中心互连已成为主要成本因素之一。与光学互连相关的技术和经济必需品促进了当今普遍存在的1,300–1,600 nm范围内使用的两种综合光子技术平台的开发和快速成熟。这些平台通常用其材料基础来计数：（1）硅光子学和（2）基于磷化物（INP）基于磷化物（INP）的集成光子学。这两个平台的重要性远远超出了光电收发器和光学通信。硅光子学和基于INP的光子学都在Terahertz的产生和传感，高速信号处理以及潜在的神经形态计算中发现了应用。尽管硅光子学比INP整体光子学具有明显的优势，例如其可扩展性高达300毫米的晶片，并通过高速电子设备与高速电子设备协调，但使用INP 1、2实现了最终和基准的光电测量。基于INP的波导耦合光二极管，即使是几年前，也已经证明了170 GHz的3-DB带宽（F 3-DB），竞争激烈，竞争激烈，竞争势力为0.27 a w-1（参考文献3）。相比之下，在主要硅光子平台上可用的锗光二极管通常显示在50-70 GHz范围内的带宽（参考文献。4 - 7）。以外，具有F 3-DB≈120GHz和相当高的深色cur的细菌光电二极管的演示脱颖而出，由于测量限制8，关于带宽的不确定性8。在本文中，我们证明了一个真正的硅光子光子检测器，从光扣带宽和响应性方面接近最终性能，这是一种基于表面上种植的锗的硅波导偶联P – I-N光电二极管。我们的锗光电二极管显示超过260 GHz
带宽超过 100 GHz 的氮化硅高速光电二极管
从长途光纤链路到短距离无线网络，数字通信系统越来越依赖于光子集成电路。然而，对更高带宽的追求正在将当前的解决方案推向极限。硅光子平台因其可扩展性和成本效益而备受赞誉，它依赖于诸如硅上 III-V 族元素异质外延[ 3 ]或在 SOI 波导上放置锗鳍片[ 1 ]等解决方案，以实现超高速应用。在所有硅光子技术中，氮化硅 (SiN) 材料平台具有一些独特的优势：它们提供非常低损耗的波导，由于非常高 Q 值的谐振器而具有非常好的滤波器，并且由于没有双光子吸收（与硅相比），因此可以处理非常高的功率。然而在 SiN 上，无法直接生长。一种可能的解决方案是将 III-V 族元素晶圆键合到 SiN 波导上[ 2 ]。在这项工作中，我们提出了一种多功能且可扩展的方法，通过微转印（µTP）单行载流子（UTC）光电二极管在 SiN 上创建波导耦合光电探测器。
1×16矩形介质谐振器天线阵列24 GHz
对于小型汽车雷达来说，微型的平面天线，任何雷达系统的头发和眼睛都知道自50年代以来的巨大进展。微带天线阵列被最大的汽车制造商用于雷达[5] - [7]，因为重量轻，并且成本低成本制造以用于大量产量，但是它们的主要弱点是由于焦耳效应和狭窄的带宽而导致的能量损失，这限制了在MM-Wave和超越MM Wave和超越斑点天线的使用。然而，在1983年著名的Long实验[9]之后，发现了微带天线的艰苦竞争者和雷达系统的出色候选[8]，这是介电谐振器天线（DRA），其中金属散热器被介电材料代替。传统上，介电谐振器成功用于MM波谐振器和微波炉，但没有人想到使用它们来辐射电磁波。