作为一个行业,通信卫星已经追溯了摇摆的轨迹。设想将革命进步带入1962年美国通信卫星法案中的电信服务,市场确实通过公私伙伴关系Comsat开放。但是,十年后,随着公开的天空政策的进步大大提高,缓慢的速度被揭示出来。免费入境崩溃的成本用于广播服务的广泛分布,在1980年代推出了美国有线电视行业(破坏电视广播三垄断),然后在1990年代直接访问了苏格尔式卫星电视(对新现有有线电视运营商进行挑战)。在随后的几十年中,财富扭转了。卫星电话和宽带服务提供商(Iridium,Teledesic,Motterient,Intelsat和许多其他人)遭受了崩溃和燃烧。现在可能有证据表明另一种逆转:在过去十年中,服务中的卫星增长了三倍以上。技术进步的痉挛,包括小型设备电子产品的收益,正在推动市场变化:“有些卫星是
功率放大器 (PA) 技术对于国防和商业领域毫米波 (mm-wave) 通信系统的未来至关重要。这些毫米波频率下的大气衰减很高,因此需要能够抵消这种影响的高功率 PA。氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN HEMT) 凭借其宽带隙和高电子速度,已成为在毫米波频率下提供高功率的主要竞争者。为了改进传统的 GaN HEMT 异质结构,我们之前在氮化铝 (AlN) 平台 [1] 上引入了 HEMT,使用 AlN/GaN/AlN 异质结构。二元 AlN 的最大化带隙可防止缓冲器漏电流并增加 HEMT 击穿电压,同时还提供更高的热导率以增强通道温度管理。此外,GaN 增加的极化偏移允许高度缩放的顶部势垒,同时仍能诱导高密度二维电子气 (2DEG)。我们最近展示了 RF AlN/GaN/AlN HEMT 中高达 2 MV/cm 的高击穿电压 [2],以及这些 HEMT 在 6 GHz 下的 RF 功率操作,功率附加效率为 55%,输出功率 ( ) 为 2.8 W/mm [3]。在这项工作中,我们展示了 AlN/GaN/AlN HEMT 的首次毫米波频率操作,显示峰值 PAE = 29%,相关 = 2.5 W/mm 和 = 7 dB 在 30 GHz 下。
* 通讯作者:Tobias Heindel,柏林工业大学固体物理研究所,Hardenbergstraße 36, 10623 Berlin, Germany,电子邮件:tobias.heindel@tu-berlin.de。https://orcid.org/0000-0003-1148-404X Lucas Rickert、Daniel A. Vajner、Martin von Helversen、Sven Rodt 和 Stephan Reitzenstein,柏林工业大学固体物理研究所,Hardenbergstraße 36, 10623 Berlin, Germany,电子邮件:lucas.rickert@tu-berlin.de(L. Rickert)。https://orcid.org/0000-0003-0329-5740(L. Rickert)。https://orcid.org/0000-0002-4900-0277(DA Vajner)。 https://orcid.org/0000-0003-4494-4698(M. von Hervelsen)。 https://orcid.org/0000-0002-1381-9838 (S. Reitzenstein) Kinga Żołnacz,弗罗茨瓦夫科技大学光学与光子学系,Wybrzeże Stanisława Wyspiańskiego 27, 50-370 Wroclaw, 波兰。 https://orcid.org/0000-0002-1387-9371 刘汉清,李树伦,倪海桥,牛志川,中国科学院半导体研究所光电材料与器件重点实验室,北京 100083;中国科学院大学材料科学与光电工程中心,北京 100049,E-mail: zcniu@semi.ac.cn (Z. Niu)。 https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H.刘)。 https://orcid.org/0000-0002-9566-6635 (Z. Niu) Paweł Wyborski,弗罗茨瓦夫科技大学实验物理系,Wybrzeże Stanisława Wyspiańskiego 27, 50-370 Wroclaw, 波兰;丹麦技术大学电气与光子工程系,2800,Kgs.,Lyngby,丹麦 Grzegorz Sęk 和 Anna Musiał,弗罗茨瓦夫科技大学实验物理系,Wybrzeże Stanisława Wyspiańskiego 27, 50-370 Wroclaw, 波兰。 https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G. Sęk)。 https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)
Matthias,DD1US,2024 年 4 月 4 日,修订版 1.0 前段时间,我买了一个有缺陷的 13cm 功率放大器,最初由 Phillip Prinz DL2AM 出售。PCB 上有一个标记 MT2,3Z1W,似乎是型号。两级放大器安装在镀锡机柜中。PCB 看起来像 RT-Duroid,它正确地连接到固体金属散热器上。电源电压范围为 12-15V,放大器具有定向耦合器和二极管检测器,用于测量正向输出功率。放大器坏了,在检查过程中我发现第一级的驱动放大器有缺陷。我用 Mini Circuits VNA25+ 替换了它。第二级使用的是三菱 MGF0904 GaAsFET。更换有缺陷的部件后,PA 现在又正常工作了。以下是该设备的一些图片:
我们提出了用于制备 Greenberger-Horne-Zeilinger (GHZ) 状态的优化提炼方案。我们的方法依赖于以受白噪声影响的 GHZ 状态作为输入来训练变分量子电路。通过对该方案进行一次迭代优化,我们发现可以提高 GHZ 状态的保真度,尽管进一步迭代会降低保真度。同样的方案,作用于相干失真的纯态输入,仅在某些特殊情况下有效。然而,我们表明,当在协议的两次迭代后优化输出时,可以实现截然不同的结果。在这种情况下,获得的方案在从受白噪声影响的输入中提炼 GHZ 状态方面更有效。此外,它们还可以纠正几种类型的相干纯态误差。
摘要 — 本文介绍了一种采用 65 nm CMOS 技术的数字可编程双向 7 位无源移相器。该无源矢量合成移相器的核心是混合正交发生器 (HQG)、级间匹配网络和无源矢量调制器 (PVM)。本文提出了一种基于高耦合因子的正交发生器设计方法,并用紧凑型垂直变压器进行了演示。提出了 HQG 和 PVM 之间的级间匹配网络,以释放带宽瓶颈并实现 34% 的分数频率带宽。I 和 Q 路径中的两个 6 位 X 型衰减器形成高分辨率 12 位控制字。在 32-40 GHz 下,这个 7 位 360 ◦ 移相器实现了测量的 2.8 ◦ 步长,相位误差为 0.45-1.6 ◦ RMS,幅度误差为 0.2-0.36 dB RMS。采用宽带技术,其3dB带宽达到30.2-42.7GHz,相位误差为2.8◦RMS。其带内1dB压缩点为10.2dBm。采用所提出的紧凑型HQG和PVM,该毫米波无源移相器仅占用220×630μm2,并且没有功耗。
飞秒激光器由于其独特的特征(例如超短脉冲宽度和极高的峰值强度)开辟了新的材料加工途径,这为将各种材料加工到其他常规激光器提供了卓越的性能[1,2]。具体而言,飞秒激光处理的最重要特征之一是它能够通过抑制受热影响区域(HAZS)的形成,以高质量地进行超高精确的微型和纳米化。飞秒激光器广泛用于商业应用,包括电子,汽车和医疗组件的微加工和修剪;玻璃和蓝宝石基材的涂抹和划分智能手机和显示器;通过纳米结构的Si太阳能电池,硒化铜硅化铜,硒化铜和无机太阳能电池制造抗反射表面;微光发射二极管显示的缺陷修复和边缘切割;和医疗支架的制造。迫切要求提高吞吐量,以进一步加速其商业化和工业应用。可以想象,可以通过增加激光脉冲的强度和/或重复率很容易地增加吞吐量。然而,较高的强度遭受了血浆屏蔽的影响,降低了消融效率,并且由于沉积过量的能量而经常诱导热损害[3]。重复率高于数百kHz会诱导热量积累会产生较大的HAZ,这不适用于高精度或高质量的微分化[4]。他们称此过程消融冷却。这些结果具有ilday的小组最近证明,具有GHz重复率的飞秒激光脉冲的突发可以提高消融效率,如图1 [5]所示。他们声称,在先前的脉冲沉积的残留热量之前,将目标材料从加工区域扩散,以提高消融效率(一阶较高)。他们进一步声称,消融材料的物理去除将消融质量中包含的热能带走,导致高质量消融,没有热效应。
*通讯作者:托比亚斯·海因德尔(Tobias Heindel),柏林技术大学固态物理研究所,Hardenbergstraße36,10623柏林,德国,电子邮件:tobias.heindel@tu-berlin.de。https://orcid.org/0000-0003-1148-404x Lucas Rickert,Daniel A. Vajner,Martin von Helversen,Sven Rodt和Stephan Reitzenstein,固态物理学研究所lucas.rickert@tu-berlin.de(L。Rickert)。https://orcid.org/0000-0003-0329-5740(L.Rickert)。 https://orcid.org/0000-0002-4900-0277(D.A. vajner)。 https://orcid.org/0000-0003-4494-4698(M. von Hervelsen)。 https://orcid.org/0000-0002-1381-9838(S。Reitzenstein)Kingaicołnacz,弗罗克劳夫科学技术大学的光学和光子学系,WybrzeêeeStanisVAwaWyspiańskiego27,50-370-370-370-poloclaw。 https://orcid.org/0000-0002-1387-9371 Hanqing Liu,Shulun Li,Haiqiao Ni和Zhichuan Niu,光电材料和设备的主要实验室中国科学院学院材料科学与光电工程中心,北京100049,中国,电子邮件:zcniu@semi.ac.ac.cn(Z. NIU)。 https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。 https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。 https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0000-0003-0329-5740(L.Rickert)。https://orcid.org/0000-0002-4900-0277(D.A. vajner)。 https://orcid.org/0000-0003-4494-4698(M. von Hervelsen)。 https://orcid.org/0000-0002-1381-9838(S。Reitzenstein)Kingaicołnacz,弗罗克劳夫科学技术大学的光学和光子学系,WybrzeêeeStanisVAwaWyspiańskiego27,50-370-370-370-poloclaw。 https://orcid.org/0000-0002-1387-9371 Hanqing Liu,Shulun Li,Haiqiao Ni和Zhichuan Niu,光电材料和设备的主要实验室中国科学院学院材料科学与光电工程中心,北京100049,中国,电子邮件:zcniu@semi.ac.ac.cn(Z. NIU)。 https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。 https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。 https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0000-0002-4900-0277(D.A.vajner)。https://orcid.org/0000-0003-4494-4698(M. von Hervelsen)。https://orcid.org/0000-0002-1381-9838(S。Reitzenstein)Kingaicołnacz,弗罗克劳夫科学技术大学的光学和光子学系,WybrzeêeeStanisVAwaWyspiańskiego27,50-370-370-370-poloclaw。https://orcid.org/0000-0002-1387-9371 Hanqing Liu,Shulun Li,Haiqiao Ni和Zhichuan Niu,光电材料和设备的主要实验室中国科学院学院材料科学与光电工程中心,北京100049,中国,电子邮件:zcniu@semi.ac.ac.cn(Z. NIU)。https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。 https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。 https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0000-0002-9566-6635(Z.Niu)PawełWyborski,弗罗克瓦夫(Wroclaw)的实验物理学系,斯坦尼斯·威斯皮亚斯基(StanisławWyspiański)27,50-370-Poloclaw,poloclaw,poland,wroclaw Unive Science of Science of Science of Science of Science and Inive Science of Science and Inive Science of Science and Technology of Science of Science and Technoic丹麦技术大学电气和光子学工程系,2800,KGS,Lyngby,Denmark Grzegorzsęk和AnnaMusiał,AnnaMusiał,弗罗克瓦夫科学与技术大学实验物理系,StanisławWyspiański海岸,Poland,50-370 Wroclaw。
1 Institute of Solid State Physics, Technical University Berlin, Hardenbergstraße 36, 10623 Berlin, Germany 2 Department of Optics and Photonics, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeże Stanisława Wyspiańskiego 27, 50-730 Wroclaw, Poland 3 State Key Laboratory for Superlattice and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy中国北京100083科学,北京4材料科学与光电工程中心,中国科学院,北京大学100049,中国100049,中国5个实验物理学系,弗罗克劳夫科学技术系,Wybrze问StaniSławaWyspiańskiego27丹麦,2800,公斤。Lyngby,丹麦 *通讯作者:lucas.rickert@tu-berlin.de,zcniu@semi.ac.cn,tobias.heindel@tu-berlin.deLyngby,丹麦 *通讯作者:lucas.rickert@tu-berlin.de,zcniu@semi.ac.cn,tobias.heindel@tu-berlin.de
*通讯作者:托比亚斯·海因德尔(Tobias Heindel),柏林技术大学固态物理研究所,Hardenbergstraße36,10623柏林,德国,电子邮件:tobias.heindel@tu-berlin.de。https://orcid.org/0000-0003-1148-404x Lucas Rickert,Daniel A. Vajner,Martin von Helversen,Sven Rodt和Stephan Reitzenstein,固态物理学研究所lucas.rickert@tu-berlin.de(L。Rickert)。https://orcid.org/0000-0003-0329-5740(L.Rickert)。 https://orcid.org/0000-0002-4900-0277(D.A. vajner)。 https://orcid.org/0000-0003-4494-4698(M. von Hervelsen)。 https://orcid.org/0000-0002-1381-9838(S。Reitzenstein)Kingaicołnacz,弗罗克劳夫科学技术大学的光学和光子学系,WybrzeêeeStanisVAwaWyspiańskiego27,50-370-370-370-poloclaw。 https://orcid.org/0000-0002-1387-9371 Hanqing Liu,Shulun Li,Haiqiao Ni和Zhichuan Niu,光电材料和设备的主要实验室中国科学院学院材料科学与光电工程中心,北京100049,中国,电子邮件:zcniu@semi.ac.ac.cn(Z. NIU)。 https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。 https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。 https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0000-0003-0329-5740(L.Rickert)。https://orcid.org/0000-0002-4900-0277(D.A. vajner)。 https://orcid.org/0000-0003-4494-4698(M. von Hervelsen)。 https://orcid.org/0000-0002-1381-9838(S。Reitzenstein)Kingaicołnacz,弗罗克劳夫科学技术大学的光学和光子学系,WybrzeêeeStanisVAwaWyspiańskiego27,50-370-370-370-poloclaw。 https://orcid.org/0000-0002-1387-9371 Hanqing Liu,Shulun Li,Haiqiao Ni和Zhichuan Niu,光电材料和设备的主要实验室中国科学院学院材料科学与光电工程中心,北京100049,中国,电子邮件:zcniu@semi.ac.ac.cn(Z. NIU)。 https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。 https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。 https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0000-0002-4900-0277(D.A.vajner)。https://orcid.org/0000-0003-4494-4698(M. von Hervelsen)。https://orcid.org/0000-0002-1381-9838(S。Reitzenstein)Kingaicołnacz,弗罗克劳夫科学技术大学的光学和光子学系,WybrzeêeeStanisVAwaWyspiańskiego27,50-370-370-370-poloclaw。https://orcid.org/0000-0002-1387-9371 Hanqing Liu,Shulun Li,Haiqiao Ni和Zhichuan Niu,光电材料和设备的主要实验室中国科学院学院材料科学与光电工程中心,北京100049,中国,电子邮件:zcniu@semi.ac.ac.cn(Z. NIU)。https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。 https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。 https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0009-0004-7092-2382(H。Liu)。https://orcid.org/0000-0001-7645-8243(G。sęk)。https://orcid.org/0000-0001-9602-8929(A.Musiał)https://orcid.org/0000-0002-9566-6635(Z.Niu)PawełWyborski,弗罗克瓦夫(Wroclaw)的实验物理学系,斯坦尼斯·威斯皮亚斯基(StanisławWyspiański)27,50-370-Poloclaw,poloclaw,poland,wroclaw Unive Science of Science of Science of Science of Science and Inive Science of Science and Inive Science of Science and Technology of Science of Science and Technoic丹麦技术大学电气和光子学工程系,2800,KGS,Lyngby,Denmark Grzegorzsęk和AnnaMusiał,AnnaMusiał,弗罗克瓦夫科学与技术大学实验物理系,StanisławWyspiański海岸,Poland,50-370 Wroclaw。