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Š到12 GHz的交通拥堵：卫星广播的简短历史...
作为一个行业，通信卫星已经追溯了摇摆的轨迹。设想将革命进步带入1962年美国通信卫星法案中的电信服务，市场确实通过公私伙伴关系Comsat开放。但是，十年后，随着公开的天空政策的进步大大提高，缓慢的速度被揭示出来。免费入境崩溃的成本用于广播服务的广泛分布，在1980年代推出了美国有线电视行业（破坏电视广播三垄断），然后在1990年代直接访问了苏格尔式卫星电视（对新现有有线电视运营商进行挑战）。在随后的几十年中，财富扭转了。卫星电话和宽带服务提供商（Iridium，Teledesic，Motterient，Intelsat和许多其他人）遭受了崩溃和燃烧。现在可能有证据表明另一种逆转：在过去十年中，服务中的卫星增长了三倍以上。技术进步的痉挛，包括小型设备电子产品的收益，正在推动市场变化：“有些卫星是
基于SIC平台上Fermi级托管障碍二极管的300 GHz频段的低噪声平衡搅拌机
复杂的编码方案，例如正交相移键合和正交振幅调制，由于其较高的频谱效率而被广泛用于宽带无线通信系统中[1，2，3，4]。在这些方案中，正交混合器是向下转换接收到的信号（i）和正交相（q）中间频率（if）信号的关键元素。使用半导体设备[5,6,7,7,8,9]制造此类接收器电路，预计当载体频率较高时，例如在Terahertz（THZ）波范围内，由于在半导体底物上制造的平面波导在thz-Wave范围内变得相当损失和分配。一个基于半导体的设备还需要接线或翻转芯片键[6，13]，通常用石英底物制造的波导耦合器，这些连接可能会导致反射和/或损失高频
300-GHz 52-MW CMOS接收器带有片上LO生成
I。300-GHz带具有高速数据通信[1]，[2]，[3]，[4]，[5]的巨大潜力。随着2017年IEEE 802.15.3d标准的创建，用于从252至322 GHz的无牌频带中运行的无线电[6]，现在对开发Ter-Ahertz（THZ）收发器的兴趣更高。此外，许多研究人员已经证明了这种无线电在CMOS技术中的生存能力[3]，[4]，[5]，[7]，[8]，[8]，[9]，[10]，[11]，[11]，[12]，描绘了一个有希望的未来。我们应该指出，这些示例在140 [8]至650 MW [9]之间消耗，并使用片外局部振荡器（LO）信号产生。在本文中，我们认为THZ数据通信无线电的可行性取决于其功耗。然后，我们提出一个绘制52 MW的单芯片接收器（RX）和LO Generator。该原型已在28 nm CMOS技术中制造，并占据了0.06 mm 2的活性面积。第二节涉及与THZ RX设计有关的一般问题，第三部分描述了拟议的RX体系结构。
移相器，X 波段，6 位，8 - 12 GHz
MACOM Technology Solutions Inc.（“MACOM”）。保留所有权利。这些材料与 MACOM 的产品一起提供，作为对其客户的服务，仅供参考。除其销售条款和条件或任何单独协议中规定外，MACOM 不承担任何责任，包括 (i) 这些材料中的错误或遗漏；(ii) 未能更新这些材料；或 (iii) 因未来更改规格和产品描述而引起的冲突或不兼容性，MACOM 可能随时进行此类更改，恕不另行通知。这些材料不授予任何知识产权明示或暗示的许可。这些材料按“原样”提供，不提供与销售和/或使用 MACOM 产品相关的任何明示或暗示的保证或责任，包括针对特定用途的适用性、适销性、侵犯知识产权、准确性或完整性，或因使用这些材料而导致的特殊、间接、偶发或后果性损害。MACOM 产品不适用于医疗、救生或维持生命的应用。MACOM 客户使用或销售 MACOM 产品用于此类应用时，自行承担风险，并同意对因此类不当使用或销售而造成的任何损害向 MACOM 进行全额赔偿。
移相器，6 位 6 - 18 GHz
MACOM Technology Solutions Inc.（“MACOM”）。保留所有权利。这些材料与 MACOM 的产品一起提供，作为对其客户的服务，仅供参考。除其销售条款和条件或任何单独协议中规定外，MACOM 不承担任何责任，包括 (i) 这些材料中的错误或遗漏；(ii) 未能更新这些材料；或 (iii) 因未来更改规格和产品描述而引起的冲突或不兼容性，MACOM 可能随时进行此类更改，恕不另行通知。这些材料不授予任何知识产权明示或暗示的许可。这些材料按“原样”提供，不提供与销售和/或使用 MACOM 产品相关的任何明示或暗示的保证或责任，包括针对特定用途的适用性、适销性、侵犯知识产权、准确性或完整性，或因使用这些材料而导致的特殊、间接、偶发或后果性损害。MACOM 产品不适用于医疗、救生或维持生命的应用。MACOM 客户使用或销售 MACOM 产品用于此类应用时，自行承担风险，并同意对因此类不当使用或销售而造成的任何损害向 MACOM 进行全额赔偿。
SiC 基板上的 15 GHz 外延 AlN FBAR - Debdeep Jena
摘要 — 展示了 SiC 衬底上的外延 AlN 薄膜体声波谐振器 (FBAR)，其一阶厚度扩展模式为 15-17 GHz。对于 15 GHz epi-AlN FBAR，其品质因数 Q max ≈ 443、机电耦合系数 k 2 eff ≈ 2 . 3 % 和 f · Q ≈ 6 . 65 THz 品质因数在 Ku 波段 (12-18 GHz) 中名列前茅。具有高品质因数的干净主模式使此类 epi-AlN FBAR 可用于具有干净频带和陡峭抑制的 Ku 波段声波滤波器。由于这种外延 AlN FBAR 与 AlN/GaN/AlN 量子阱高电子迁移率晶体管 (QW HEMT) 共享相同的 SiC 衬底和外延生长，因此它们非常适合与 HEMT 低噪声放大器 (LNA) 和功率放大器 (PA) 进行单片集成。
APN228TAB 27-31 GHz GaN 功率放大器
参数 最小值典型值最大值 单位 工作频率 27 31 GHz 28V 小信号 小信号线性增益 18.5 20 dB 输入回波损耗 -35 -20 dB 输出回波损耗 -26 -16 dB 28V 晶圆上脉冲功率 Psat（27 dBm 时） 42 dBm 功率增益（27 dBm 时） 19.1 19.6 20.1 dB P1db 41.20 42 42.5 dBm PAE（27 dBm 时） 30.5 32.5 34 % 最大 PAE 31 32.9 33.8 % 24V、25⁰C 固定 CW 外壳温度 Psat（28 dBm 时） 38.1 39 39.6 dBm 功率增益（28 dBm 时） 15.3 16.9 17.8 dB PAE（28 dBm 时） 19.1 22 24.7 % 最大 PAE 24 28.4 % 漏极电压 28 V 第 1 阶段栅极电压 -3.925 V 第 2 阶段栅极电压 -3.925 V 第 1 阶段 Idq 240 mA 第 2 阶段 Idq 960 mA
双平衡混频器 3 - 10 GHz
MACOM Technology Solutions Inc.（“MACOM”）。保留所有权利。这些材料与 MACOM 的产品一起提供，作为对其客户的服务，仅供参考。除其销售条款和条件或任何单独协议中规定外，MACOM 不承担任何责任，包括 (i) 这些材料中的错误或遗漏；(ii) 未能更新这些材料；或 (iii) 因未来更改规格和产品描述而引起的冲突或不兼容性，MACOM 可能随时进行此类更改，恕不另行通知。这些材料不授予任何知识产权明示或暗示的许可。这些材料按“原样”提供，不提供与销售和/或使用 MACOM 产品相关的任何明示或暗示的保证或责任，包括针对特定用途的适用性、适销性、侵犯知识产权、准确性或完整性，或因使用这些材料而导致的特殊、间接、偶发或后果性损害。MACOM 产品不适用于医疗、救生或维持生命的应用。MACOM 客户使用或销售 MACOM 产品用于此类应用时，自行承担风险，并同意对因此类不当使用或销售而造成的任何损害向 MACOM 进行全额赔偿。
欧洲频率分配和应用表（频率范围 8.3 kHz 至 3000 GHz） (ECA 表)
鉴于 CEPT 国家对相关频率范围的使用和要求，与 CEPT 国家军事当局进行联络也是必要的。尽管没有一个代表所有 CEPT 成员国的单一军事代表机构，但北大西洋公约组织 (NATO) 有一个联合民用/军用频率协议（NATO 联合民用/军用频率协议 (NJFA)，公开披露摘录，2017 年 2 月 14 日），北约国家将其视为无线电频率规划和政策制定的基础贡献。CEPT 还建立了一个论坛，让所有 CEPT 国家的民用和军用频率管理人员可以会面。这个论坛，即民用军事会议，考虑了协调军事使用频谱的要求，以满足北约和非北约 CEPT 国家的需求，并邀请 WGFM 考虑采取后续行动。军事要求因活动和国家而异。在一些国家，国家要求可能高于 ECA 表中所示的要求或北约和北约成员国为军事用途特别协调的要求。
PAN7420 产品说明书2.4GHz 无线收发SOC 芯片
1 概述 ........................................................................................................................................... 1 1.1 主要特性 ....................................................................................................................... 1 1.2 典型应用 ....................................................................................................................... 2 2 系统结构方框图 ....................................................................................................................... 3 3 引脚定义和说明 ....................................................................................................................... 4 3.1 引脚图 ........................................................................................................................... 4 3.2 引脚说明 ....................................................................................................................... 5 3.3 内部连接 ..................................................................................................................... 10 4 参考原理图 ............................................................................................................................. 11 5 封装尺寸 ................................................................................................................................. 13 6 注意事项 ................................................................................................................................. 16 7 储存条件 ................................................................................................................................. 17