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基于GNRFET的静态随机访问存储器的设计...
摘要：在本文中，使用HSPICE模拟了使用能源有效GNRFET技术的物联网的静态噪声边距（SNM）和SRAM在不同电压供应和静态随机访问记忆的温度下的功耗。此外，已经提出了GNRFET SRAM的各种波形的模拟。SNM存在于SRAM细胞中，这会影响SRAM细胞的读取操作的稳定性。SRAM细胞稳定性分析是一个基于静态噪声边缘（SNM）的研究。在阅读操作过程中，SRAM细胞SNM分析了各种替代方案以提高细胞稳定性。GNRFET的作用提高了其功率效率和速度，在各种物联网应用中在航空工程中起着至关重要的作用。snm是6.7@1v，平均功率为2.24@1v，snm为2.43@45 o C，平均功率为1.25@45 o C.索引条款：GNR，GNRFET，功耗，电池消耗，细胞比率，CMOS，CMOS，PURPIP RATIO，SNM，SNM），Nano-Electronic。
如何引用这篇文章：Jetya Banothu，Sangeeta Nakhate（2024）基于数字转换器的高速GNRFET模拟设计。图书馆进度Inte
这项工作介绍了利用石墨烯纳米色带效果晶体管（GNRFET）的两，三位和四位模数转换器（ADC）的设计和仿真。该设计中使用的GNRFET设备的通道长度为16 nm，并以0.7 V的电源电压操作。高级设计系统（ADS）用作仿真平台。为了实现紧凑而有效的设计，实施了当前的镜像拓扑来偏置。根据功耗评估了每种ADC配置。在0.7 V电源电压内，设计表现出全范围线性输入特征。这些结果表明，这种ADC设计特别适合在高速纳米电机力学系统（NEM），内存单元和高级计算体系结构中应用。标准晶体管逻辑（STI）的延迟平均降低百分比分别为12％，ADC设计的平均百分比分别为32％。此外，功率优化的三元逻辑电路往往更快地运行。
使用完整加法器的研究探索FinFET和GNRFET ...
随着技术的不断发展，由硅制成的传统晶体管使设备变得更小，更强大，正面临着局限性。为了克服这些挑战，正在探索包括FinFET和GNRFET在内的新型晶体管。finfets以3D设计，以改善对电流的控制，非常适合非常小的设备。gnrfets，由石墨烯（非常薄的材料）制成，承诺效率更好，速度更快，并且由于其独特的特性而使用的功率更少。本文通过分析它们在电路中的性能进行比较，专门针对一个称为“完整加法器”的常用电路。我们发现，尽管FinFET非常适合当前需求，但GNRFET提供了更好的能源效率，并且可能是电子产品的未来，尤其是在节省功率很重要的设备中。分析强调了如何将每种类型的晶体管应用于下一代电子产品中，帮助工程师设计更强大和节能的设备。关键字：FinFET，GNRFET，纳米级晶体管，石墨烯Nanoribbons，3D栅极结构，静电控制，短通道效应，高载流子迁移率，低功率操作，半导体技术，小型技术，小型技术，小型化，设备制造，高级CMOS，高级CMOS，下一代电子产品。1。简介