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保护量子点旋转链中的量子信息...
最近的工作已经证明了一种新的途径，可以通过定期在栅极固定的量子点阵列中驾驶最近的邻居交换相互作用，以在量子自旋链中进行离散时间晶体物理[ARXIV：2006.10913]。在这里，我们在少量的GAAS量子点（包括相图和其他诊断）中介绍了交换驱动的浮子物理物理学的详细分析。我们还表明，新兴的时间结晶行为可以使多旋转状态的保护和操纵受益。对于GAA中的典型核自旋噪声水平，驾驶和相互作用的组合通过数量级增加了纠缠状态的相干时间。对于其他量子点系统，例如Si中的其他量子点系统，可以获得相似的结果。我们进一步展示了如何在具有较高有限的单元 - 三圈量子量之间构造时间晶体启发的CZ门。这些结果表明，定期驱动交换耦合可以增强用于量子信息应用的量子点旋转系统的性能。
三结太阳能电池，其中 39.5% 来自陆地，34.2% 来自...
多结太阳能电池设计既要考虑理论上的最佳带隙组合，也要考虑具有这些带隙的材料的实际局限性。例如，三结 III-V 多结太阳能电池通常使用 GaAs 作为中间电池，因为 GaAs 的材料质量近乎完美，尽管其带隙高于全局光谱的最佳值。在这里，我们使用具有出色电压和吸收率的厚 GaInAs/GaAsP 应变平衡量子阱 (QW) 太阳能电池来修改中间电池的带隙。这些高性能 QW 被整合到一个三结倒置变质多结器件中，该器件由 GaInP 顶部电池、GaInAs/GaAsP QW 中间电池和晶格失配的 GaInAs 底部电池组成，每个电池都经过了高度优化。我们在 AM1.5 全局和 AM0 空间光谱下分别展示了 39.5% 和 34.2% 的三结效率，这高于之前创纪录的六结器件。
通过定期驱动交换相互作用来保护量子点自旋链中的量子信息
最近的研究通过周期性地驱动门定义量子点阵列中的最近邻交换相互作用，展示了量子自旋链中离散时间晶体物理的新途径 [H. Qiao 等人，Nat. Commun. 12，2142 (2021)]。在这里，我们对 GaAs 量子点小阵列中交换驱动的 Floquet 物理进行了详细分析，包括相图和其他诊断。我们还表明，新兴的时间晶体行为有利于多自旋态的保护和操纵。对于 GaAs 中典型的核自旋噪声水平，驱动和相互作用的结合将纠缠态的相干时间增加了几个数量级。对于其他量子点系统（例如 Si），也可以获得类似的结果。我们进一步展示了如何在单重态-三重态量子比特之间构建具有高保真度的时间晶体启发的 CZ 门。这些结果表明，周期性驱动交换耦合可以增强量子点自旋系统在量子信息应用中的性能。
利用 UMS 征服太空
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太阳能
双面光伏和多结系统是克服单结硅光伏理论极限的最有前途的替代方案，这些解决方案也可以组合起来以实现更高的性能。这项工作研究了基于 III-V 半导体与硅异质结技术相结合的双面四端光伏系统的户外性能。通过利用 GaAs 的宽带隙能量、硅异质结的双面性和二向色镜的光谱分裂能力，实现了两个太阳能电池的微型模块之间的最佳电压匹配，开路电压失配为平均值的 4%。在这项研究中，我们展示了双面操作的全部功能，与单面操作相比，全天的功率转换效率提高了 17%。此外，我们表明，虽然太阳光谱从早上到下午变化很大，导致 GaAs 与 Si 微型模块短路电流的比率全天变化高达 43%，但由于两个微型模块的有效耦合，整个系统功率转换效率的变化仍然非常有限，不到最大值的 16%。
补充材料电子结构和特性......
沉积技术 基片厚度密度参考温度 （nm） （g/cm 3 ） （◦ C） 脉冲激光沉积 石英玻璃 120-140 4.88- 5.4 取决于房间 Kim 等人 [1] （PLD） 激光功率、O 2 分压、目标-基片距离 80mJ、10Pa、35mm 时为 4.88（低 VO ） 80mJ、5Pa、35mm 时为 5.39（高 VO ） 等离子增强原子 Si 和蓝宝石 37.8 5.154 80 Yang 等人 [2] 层沉积（PEALD） 2500 W 5.325 250 PEALD Si (100) 10 4.83 100 Li 等人[3] 100 W ≥ 5.5 ≥ 150 电子束蒸发 GaAs 和 Si 95.5 5.152 200-350 Passlack 等人 [4] 4.5-4.8 40 分子束外延 GaAs (001) 85.5 5.30 具有一定结晶性 420-450 Yu 等人 [5] (MBE) 射频磁控溅射 SiO 2 /Si 25 5.32 有 O 2 室溅射 Han 等人 [6] 4.84 无 O 2 (更快的蚀刻速率) 射频磁控溅射 Si 498.9 4.78 室 Liu 等人 [7]
2024_BCICTS-高级计划草案-08.14.JP_MDR.pdf
摘要：单晶半导体衬底上的外延和薄膜形成工艺直接实现了各种复杂的 III-V 异质结器件设计，因此决定了最终的电子或光电器件性能。III-V 异质结不仅包括结上掺杂剂种类变化的概念，更重要的是，还包括半导体晶体的变化，从而区分了 III-V 器件设计选项以及与硅基器件相比的伴随性能优势。最早的商业化实例是 AlGaAs/GaAs 结，它利用能带隙差异来设计电荷载流子限制。GaAs 的带隙比 AlGaAs 窄，并且可以通过精确控制 Al 的成分来“调整”AlGaAs 的带隙。数十年的研究已经导致整个半导体光谱中 III-V 异质结化合物的开发；元素周期表的 III 列中的 B、Al、Ga 和 In，以及 V 列中的 N、P、As 和 Sb。该演讲将深入探讨 III-V 外延和薄膜沉积技术、关键工艺考虑因素、异质结挑战和局限性等主题，并提供对未来机遇的看法。
MIL-HDBK-217F - TQU GROUP
6： 分立半导体 分立半导体，简介 ................................................................00.......... 二极管，低频 ..............................................................................................， 二极管，高频（微波，RF） ................................................................ 晶体管，低频，双极 ........................................................................................ 晶体管，低频，Si FET ........................................................0................................ 单结晶体管 ................................................................................................ 晶体管，低噪声，高频，双极 .............. G O.*......**.*.......................... 晶体管，大功率，高频，双极 .......0..... ........................................ 晶体管，高频，GaAs FET ............ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... ....... ....... ....... ....... .......
NMU教职员工研究目录
我研究了半导体中分离的氢，除了开发新的实验技术以做到这一点。活动/项目包括：“ Beo中的Muonium State的微波研究”，“ GAAS负电荷的Muonium上的光电子化光谱”； “通过光激发哑光自旋光谱探测的ZnSE中的受体氢状态”； “中性和磁磁性muonium作为β-GA2O3中分离氢的类似物”； “研究金红石，解剖酶和布鲁克特二氧化钛的MU/H样状态”； “探测磁性，金属到半导体过渡的金属以及H中H中H的性质”； “研究透明导电氧化物中的氢动力学和稳定性”； “氢杂质在CIGS和CZTS化合物中的作用和行为（下一代太阳能电池材料）”； “描述锡氏合金中H杂质的早期历史”； “开发激发态（MUSES）技术用于半导体的MUON光谱”； “研究MU（类似于H的）国家，包括停止位点，动力学以及碳化硅中的供体和受体水平”；“ GE中的Muonium-Photocarrier相互作用”； GAAS中的“ Muonium-photoionization和Muonium-Photocarrier相互作用”； “旋转北极星候选材料的调查”
MIL-HDBK-217F
6：分立半导体 分立半导体，简介 ................................................................00.......... 二极管，低频 ..............................................................................................， 二极管，高频（微波，RF） ................................................................ 晶体管，低频，双极 ........................................................................................ 晶体管，低频，Si FET ........................................................0................................ 晶体管，单结 ........................................................................................................ 晶体管，低噪声，高频，双极 .............. G O.*......**.*..........................晶体管，高功率，高频，双极 .......0..... ........................................ 晶体管，高频，GaAs FET ............ ...........0。 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。