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INP和III-V化合物
III-V半导体材料组的生长特性与硅具有相似的生长特性，该特性在微电子学中已良好。III-V半导体材料是在单晶半导体底物上的外延生长的。主要区别在于光电特性中，大多数III-V半导体具有直接的带隙，这是制造有效激光器和光学放大器的先决条件，缺少属性硅。此外，几个III-V半导体（例如GAAS和INP）具有比硅具有更好的电子性能，这使它们适合于高端RF插图。各种III-V半导体之间的关键差异是波长范围，它们支持光学功能，例如发光，放大，传输和检测光。对于GAA，这是在半导体激光器中应用的第一种III-V材料，操作窗口的范围为800-1100 nm，使其适用于短期通信。GAAS垂直腔表面发射激光器（VCSELS）是短距离（<几百米）通信的主要光源。用于INP及其第四纪化合物Ingaasp和Ingaalas，可以在INP底物上生长，操作窗口范围为1200-1700 nm，范围涵盖了在更长距离（O波段，C-Band，C-Band和l频段）高速通信的最重要波长。因此，这是长时间和中距离高速通信的首选材料。这使其成为在复杂图片中使用的首选材料，在复杂图片中，必须将广泛的功能集成到单个芯片中。光过滤器）。INP及其化合物Ingaasp和Ingaalas的另一个优点是，它们的光学特性（增益，透明度，吸收和检测以及电光调制效率）可以在晶圆中进行本地设计，同时保留在宽波长范围内优化性能的可能性。示例是连贯的发射器和接收器，更一般而言，需要将激光器和光学放大器与有效调节器和检测器集成在一起的任何电路，以及低损坏的被动光元素（例如，用于钝化和隔离的介电材料与用于硅微电子的介电材料非常相似。电气间连接的金属不同。黄金由于其良好的电气和机械性能而经常用于III-V半导体，而由于它具有扩散到硅非常有害的风险，因此它没有应用于硅上。另一方面，铝和铜很少用于III-V材料。特别是铜杂质在III-V材料中降解电和光学特性。晶片小于硅。对于GAAS 4“，6”和8英寸的直径可在市售。INP晶圆具有2英寸，3英寸和4英寸的直径，质量良好。 较大的6英寸晶片可用于研发目的，其蚀刻坑密度（EPD）稍大，在需求增加时将改善。INP晶圆具有2英寸，3英寸和4英寸的直径，质量良好。较大的6英寸晶片可用于研发目的，其蚀刻坑密度（EPD）稍大，在需求增加时将改善。
铬补偿的砷化甘氨酸传感器...
材料硅GAAS：CR CDTE平均原子重量14 32 50密度（g/cm3）2,33 5,32 5,32 5,85带隙（EV）1,12 1,43 1,5电阻率（OHM-CM） 480 400 100 𝜇𝜏电子> 1 1-5e-4〜1E-3孔> 1〜1e-4 1-4 1-10e-6稳定性（10分钟）<0.01％<0.1％<0.1％1％1-10％
质量控制审查新墨西哥州单一审计...
Jo Ann M. Chavez 行政服务部副主任兼首席财务官 新墨西哥州劳动力解决方案部 401 Broadway NE 新墨西哥州阿尔伯克基 87102 亲爱的查韦斯女士： 本报告旨在正式通知您美国劳工部（DOL）监察长办公室（OIG）对新墨西哥州劳动力解决方案部单项审计进行的质量控制审查（QCR）的结果，该审计由 Moss Adams LLP（“公司”）根据管理和预算办公室（OMB）第 2 章第 200 部分（统一指导）1 完成了截至 2022 年 6 月 30 日的年度审计。我们的目标是确定审计是否按照适用标准进行，包括公认政府审计准则 (GAGAS) 和公认审计准则 (GAAS)，并满足 OMB 统一指导的要求。我们确定，单一审计报告和所进行的审计工作总体上符合 GAGAS、GAAS 和 OMB 统一指导方针的要求。但是，我们发现非失业保险 (UI) 计划和支出被错误地纳入了联邦奖励支出计划 (SEFA) UI 总额中。
在80k
摘要：大规模量子网络要求实现长寿命的量子记忆，因为固定节点与光量线相互作用。外恋种植的量子点具有高纯度和无法区分性的单个单个和纠缠光子的需求产生的巨大潜力。将这些发射器与长期连贯性时间的记忆耦合，可以开发混合纳米光子设备，这些设备结合了两个系统的优势。在这里，我们报告了通过液滴蚀刻和纳米填充方法生长的第一个GAAS/ALGAA量子点，它发射了带有狭窄波长分布（736.2±1.7 nm）的单个光子，接近硅变量中心的零孔子线。极化纠缠的光子是通过biexciton-依赖性（0.73±0.09）产生的。较高的单光子纯度从4 K（g（2）（0）= 0.07±0.02）至80 K（g（2）（0）= 0.11±0.01），因此使该混合系统在技术上具有对现实世界中量子光谱应用的技术吸引力。关键字：GAAS半导体量子点，单光子，纠缠光子对，液氮温度，钻石颜色中心，SIV零声子线Q
晶体硅太阳能电池板 CPV ...
硅电池的输出电压较小，一个电池的输出电压约为 0.6 V。要达到 24 V 的输出电压，至少需要 40 个电池。CPV GaAs 电池的电压大约高出 4 倍。一个电池的输出电压约为 3 V。要达到 24 V 的输出电压，只需要 8 个电池。达到所需电压所需的电池数量越少，CPV 面板的可靠性就越高。
MIL-HDBK-217F-Notice2.pdf - 无 MTBF
分立半导体。简介 .................................................................................... 二极管。低频 ...................................................................................................... 二极管。高频（微波、射频） ........................................................................ 晶体管。低频。双极 ...................................................................................... 晶体管。低频。Si FET ............................................................................. 晶体管，单结 ...................................................................................................... 晶体管，低噪声、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高功率、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高频、GaAs FET ............................................................................. 晶体管，高频、Si FET ............................................................................. 晶闸管和 SCR ............................................................................................................. 光电子学、检测器、隔离器、发射器 ............................................................................. 光电子学、字母数字显示器 ............................................................................. 光电子学、激光二极管 .............................................................................
LIDAR（激光雷达）遥感系统简介
历史背景 • (1930) 探照灯 • (1960) 激光发明 – 提供：高准直性、纯度和光谱相干性（Δλ≈ 0.01 nm） • (1962) Fiocco & Smullin – 从月球反射激光束。研究大气浑浊层 • (1963) Ligda – Q 开关：实现短宽度（τ l）、高能量激光脉冲 – (Ep ≈ 1J，τ l ≈ 10ns，PRF ≈ 10Hz) • (1973) 半导体激光器 (GaAs) – 激光二极管阵列。峰值能量 (Ep) ↓ 和 PRF ↑ 之间的权衡
可调激光应用的砷化加仑光子集成电路平台
摘要 - 在1030 nm波长附近的运行的主动循环集成技术已在炮码（GAAS）光子集成电路平台上开发。该技术利用量子井（QW）稍微垂直从波导的中心偏移，然后在上覆层再生之前有选择地去除以形成主动和被动区域。活性区域由砷耐加仑（INGAAS）QWS，砷耐磷化物（GAASP）屏障，GAAS单独的配置异质结构层和铝铝（Algaas）甲板组成。Fabry Perot激光器具有各种宽度和表征，表现出98.8％的高注射效率，内部活跃损失为3.44 cm -1，内部被动损失为3 µm宽波导的4.05 cm -1。3 µm，4 µm和5 µm宽的激光器在100 MA连续波（CW）电流（CW）电流和阈值电流低至9 mA时显示出大于50 MW的输出功率。20 µm宽的宽面积激光器在CW操作下显示240 MW输出功率，35.2 mA阈值电流，低阈值电流密度为94 A/cm 2，长2 mm。此外，这些设备的透明电流密度为85 A/cm 2，良好的热特性具有T 0 = 205 K，Tη= 577K。
利用 GaAsSb、GaAsSbN 和 GaAlAs 进行带隙工程以用于 NIR 应用
摘要 带隙工程是开发光电器件的关键方法，特别是对于近红外 (NIR) 应用，其中精确控制材料的电子和光学特性至关重要。本研究探讨了三种 III-V 半导体合金——砷化镓锑 (GaAsSb)、砷化镓锑氮化物 (GaAsSbN) 和砷化镓铝 (GaAlAs)——在定制带隙以满足 NIR 器件特定需求方面的潜力。GaAsSb 通过调整锑含量提供可调带隙，使其成为 NIR 光电探测器和激光二极管的多功能材料。GaAsSbN 中的氮进一步降低了带隙，增强了其对长波长应用的适用性，并提供与 GaAs 基板更好的晶格匹配。GaAlAs 以其稳定性和与 GaAs 的兼容性而闻名，可用于形成异质结和量子阱，从而实现高效的载流子限制和发射控制。通过改变这些合金的成分，工程师可以实现精确的带隙调节，从而优化一系列 NIR 波长范围内的器件性能。本摘要强调了成分变化、应变工程和量子阱设计在开发先进 NIR 光电器件中的重要性。尽管存在材料质量和热管理等挑战，但这些材料的持续改进对电信、医学成像和传感技术中的下一代 NIR 应用具有重要意义。简介 带隙工程是半导体技术中的一项基本技术，可以精确操纵材料的电子和光学
MIL-HDBK-217F-Notice2.pdf - 无 MTBF
分立半导体。简介 ................................................................................ 二极管。低频 ...................................................................................................... 二极管。高频（微波、RF） .............................................................................. 晶体管。低频。双极 ...................................................................................... 晶体管。低频。Si FET ............................................................................. 晶体管，单结 ...................................................................................................... 晶体管，低噪声、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高功率、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高频、GaAs FET ............................................................................. 晶体管，高频、Si FET ............................................................................. 晶闸管和 SCR ............................................................................................................. 光电子、检测器、隔离器、发射器 ............................................................................. 光电子、字母数字显示器 ............................................................................. 光电子、激光二极管 ............................................................................................. TJ 测定 ............................................................................................................. 示例 .............................................................................................................................