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APN318 47.2-51.4 GHz GaN 功率放大器
推荐组装说明 1. 旁路电容应为 100 pF（大约）陶瓷（单层），放置位置距放大器不超过 30 mil。 2. 在输入和输出上使用 <10 mil（长）x 3 x 0.5 mil 的带状线可获得最佳性能。 3. 必须按照指示从两侧偏置部件。 4. 如果漏极电源线干净，则不需要 0.1uF、50V 电容器。 如果要使用设备的漏极脉冲，请勿使用 0.1uF、50V 电容器。 安装过程
GaN 层厚度对两者的影响
A.Bellakhdar a,b,* , A.Telia ba LMSF 半导体和功能材料实验室，Amar Telidji Laghouat 大学，阿尔及利亚 b Laboratoire des Microsystèmes et Instrumentation LMI, Département d'Electronique, Faculté de Technologie, Université des Frères Mentouri, 2 Campus Ahmed Hamani, Ain El Bey, Constantine, Algeria In本研究提出了具有不同 GaN 盖层厚度和重 n 掺杂 GaN 盖层的 GaN/AlInN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。为了研究 GaN 覆盖层对 (GaN/AlInN/GaN) 异质结构性能的影响，通过求解一维 (1 D) 泊松方程，提出了一种简单的 GaN/AlInN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 阈值电压分析模型，从而找到了二维电子气 (2DEG) 与控制电压之间的关系。分析中考虑了 AlInN/GaN 和 GaN/AlInN 界面处的自发极化和压电极化。我们的模拟表明，GaN 覆盖层降低了二维电子气 (2DEG) 的面密度，从而导致漏极电流减小，并且 n+ 掺杂的 GaN 覆盖层比未掺杂的 GaN 覆盖层具有更高的面密度。 （2021 年 11 月 28 日收到；2022 年 2 月 19 日接受）关键词：GaN 帽、GaN/AlInN/GaN HEMT、2DEG、2DHG、自发极化、压电极化
gan和可视化的几何视图-Zhizhong li
在多种学习的背景下解释甘也很自然。在实际应用中，我们正在处理结构化数据，例如自然图像。此类数据的分布通常集中在低维歧管上。因此，我们可以查看GAN的目标是学习通过潜在空间参数化的数据歧管。Wasserstein Gan [1，2]的作者采用这种解释来解释为什么甘斯很难训练。直观地说，数据歧管和生成的歧管都是在高维环境空间中的低维歧管，这意味着它们几乎永远不会具有足够的重叠。在这种情况下，詹森·香农（Jensen Shannon）的差异将根据定义遇到麻烦，这说明了培训中的困难。这证明了几何观点有助于理解甘恩。
GaN微管挠曲电学研究平台的建立
摘要。本文提出了一种经济高效的工艺流程设计与开发，用于研究 GaN 微管的挠曲电性能，微管直径为 2 - 5 μm，微管壁厚为 50 nm。研究了设计以及电化学蚀刻参数（施加电压、阳极氧化持续时间）对获得的通道尺寸的影响。所提出的技术路线意味着在高蚀刻速率下在环保电解质中对 n-InP 半导体晶体进行电化学蚀刻。通过实验优化了工艺流程。建议引入一个垂直通道，微管将放置在该通道中，以便在测量过程中在平台上达到更高的稳定性。
GaN 电机……更小、更快、更精确
EPC9147B 是一款接口板，可接受 TI LAUNCHXL 开发套件（例如 F28379D 或 F28069M，该套件具有 TI C2000 微控制器），并连接到兼容的三相 eGaN® FET/IC 电机驱动逆变器板，如右图所示。该接口板允许用户利用现有的 TI InstaSPIN_UNIVERSAL GUI 资源以及 EPC 专用文件来编程控制器板，并使用无传感器磁场定向控制和空间矢量脉冲宽度调制来控制由 eGaN FET/IC 三相逆变器供电的电机。
具有再生长接触和截止/... 的 Si 基 GaN HEMT
摘要 — 本研究展示了 Si 衬底上 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的高频和高功率性能。使用 T 栅极和 n ++ -GaN 源/漏接触，栅极长度为 55 nm、源漏间距为 175 nm 的 InAlN/GaN HEMT 的最大漏极电流 ID,MAX 为 2.8 A/mm，峰值跨导 gm 为 0.66 S/mm。相同的 HEMT 表现出 250 GHz 的正向电流增益截止频率 f T 和 204 GHz 的最大振荡频率 f MAX。ID,MAX、峰值 gm 和 f T -f MAX 乘积是 Si 上 GaN HEMT 中报道的最佳乘积之一，非常接近最先进的无背势垒 SiC 上耗尽型 GaN HEMT。鉴于 Si 的低成本和与 CMOS 电路的高兼容性，Si 上的 GaN HEMT 对于成本敏感的应用特别有吸引力。
Algan/GaN高电子的制备和表征...
4.1 简介 ................................................................................................................ 58 4.2 最先进的氮化镓衬底 ................................................................................ 59 4.2.1 块状单晶 GaN 衬底 ........................................................................ 59 4.2.2 异质衬底上的 GaN：蓝宝石和碳化硅 ........................................................ 61 4.2.3 硅衬底上 GaN 技术与块状硅和绝缘体上硅 (SOI) 衬底的集成 ............................................................................................................................. 63 4.3 SOI 和块状 Si 衬底上 AlGaN/GaN 异质结构的生长和特性 ............................................................................................................. 66 4.3.1 实验细节 ........................................................................................................ 66 4.3.2 AlGaN/GaN 异质结构的生长 ............................................................................................. 66 4.3.3 结果与讨论 ............................................................................................................. 69 4.4 制备和特性体硅和 SOI 衬底上的 HEMT ...................................................................................... 78 4.4.1 实验细节 ...................................................................................................... 78 4.4.2 AlGaN/GaN HEMT 电气特性 ...................................................................... 78 4.4.3 使用微拉曼分析探测 AlGaN/GaN HEMT 通道温度 ............................................................................................................. 82 4.5 章节摘要 ............................................................................................................. 96
石墨烯泡沫可有效冷却 GaN 晶体管
本研究中使用的石墨烯是一种基于三维碳（3D-C）的纳米结构泡沫状 TIM，具有相对较高的固有热导率（~80 W/mK）。[6] 中介绍了该材料的制备工艺和物理特性，以镍泡沫为模板来生长 GF，在环境压力下通过在 1,000 °C 下分解 CH4 将碳引入其中，然后在镍泡沫表面沉淀石墨烯薄膜。由于热膨胀系数的差异，石墨烯薄膜上形成了波纹和皱纹。在用热 HCl 溶液蚀刻掉镍结构之前，在石墨烯薄膜表面沉积一层薄薄的聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)，作为支撑，以防止石墨烯网络在此过程中坍塌。随后用热丙酮小心地去除PMMA层，即可得到连续、相互连接的石墨烯三维网络整体。
Ingan/ganμled的香料建模，尺寸依赖...
在用于混合和/或虚拟现实的便携式应用中，高亮度微型播放的需求吸引了对基于Ingan/GAN的微型微型发光二极管（µLEDS）的重要研究浪。我们建议使用香料建模技术来描述和模拟µLED的电流行为。整个设备的子电路刻画将用于描述基于ABC模型的设备的电流 - 电压性能和光功率性能。我们建议一种创新的方法，即从模拟电流中立即得出载体浓度，以确定µLED量子效率。在第二步中，还将统计方法添加到香料模型中，以了解实验数据的差异。这种µLED香料建模方法对于允许设计可靠的像素驱动电路非常重要。
CSPP1，TMEM67，PLP1和GAN相关的突变...
背景和目标：神经系统疾病严重影响患者的心理，性格和运动功能，全球患病率上升，尤其是在低收入和中等收入的国家。这项研究旨在评估儿科神经系统疾病中的基因突变，使患者有助于我们对这些疾病的遗传基础的理解。方法：在当前的调查中，所有在2023年至2024年期间被转诊至神经病学部门的母体迹象的患者均已评估。使用Agilent Sureselect Human All Exon Kit V6富含来自患者的DNA样品，然后根据制造商的程序在Illumina HISEQ 4000平台上进行了测序。结果：在当前的横断面研究中，评估了13例母体神经系统疾病患者，包括6名男性（46％）和7个女性（54％）。我们的结果确定了遗传性神经系统疾病，包括乔伯特综合征，Pelizaeus-Merzbacher病和巨型轴突神经病1。我们的数据在PLP1基因的外显子8（NM_001128834.3：c.772a> c; p.met258leu）中鉴定出了一个新的错义突变，并在患有pelizaeus-merzbacher病的患者中具有X连锁的隐性遗传。基因变体，包括外显子20（NM_001382391.1：c.2259_2260delaa; P.Glu7555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555GLYFSTER30）和常染色体隐性膜体固体TMEM67在Exon 8（Exon 8（NM_1537）中> C.725）在乔伯特综合征患者中检测到p.asn242ser）。最后，在患有巨大轴突神经病1的患者中，检测到纯合gan突变（NM_022041.4：c.1177t> c; p.cys393arg）。结论：我们的发现对于理解神经系统疾病的病理生理可能很有用。此外，这项研究还表明了遗传分析在使用神经系统疾病患者中使用治疗策略的重要性。