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碳和硅杂质缺陷
摘要：硝酸盐（GAN）中的缺陷单光子发射器（SPE）近年来由于其提供的优势而引起了人们的关注，包括在室温下操作，狭窄的排放线宽和高亮度。尽管如此，由于可能在GAN中形成的许多潜在缺陷，单光子发射机制的确切性质仍然不确定。在这项工作中，我们对从头算计算进行的系统研究表明，碳和硅作为氮化碳中的常见掺杂剂可以与GAN中的固有缺陷相互作用，并形成新的高速缺陷单光子来源。我们的发现确定了三元缺陷n ga v n c n，其寿命短于1 ns，而小零光子线（ZPL）为864 nm。换句话说，此缺陷可以用作短波长窗口中的高速单光子源进行纤维通信。在尖锐的对比度中，Si支持的缺陷N GA V n Si N具有较高的无占缺陷能水平，该缺陷能水平进入传导带，因此不适合单个光子发射。已经对潜在的缺陷，热稳定性和单光子发射特性进行了系统的研究。分别采用了perdew-burke-ernzerhof交换相关功能和HEYD-SCUSERIA-ERNZERHOF交换相关功能的放松计算和自洽计算。这些发现表明了通过碳或硅掺杂剂的高性能单光子来源的潜力。
通过 O2 等离子体处理抑制 AlGaN/GaN HEMT 的电流崩塌并提高阈值电压稳定性
全面研究了 O 2 等离子体处理对 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 动态性能的影响。漏极电流瞬态谱表明，经过 O 2 等离子体处理的 HEMT 的电流衰减过程大大减慢并得到缓解。在负栅极偏压应力下，通过 O 2 等离子体处理实现了 10.7 % 的电流崩塌和 0.16 V 的微小阈值电压漂移。此外，HEMT 的电流崩塌比与应力/恢复时间的关系表明，经过 O 2 等离子体处理的 HEMT 在各种开关条件下均具有优异的性能。特别是在高频开关事件中，电流崩塌比从约 50 % 降低到 0.2 %。最后，通过电容-频率测量证明了经过 O 2 等离子体处理的 AlGaN/金属界面的质量，界面陷阱密度 D 估计为 1.39 × 10 12 cm − 2 eV − 1 。这些结果表明，采用 O 2 等离子体处理的 GaN HEMT 是一种在功率开关应用中很有前途的技术。
2024 年 4 月 26 日 BluGlass 改进了新型 GaN DFB 激光器的性能，以适应量子应用
量子信息科学正在迅速发展，迫切需要紧凑型单波长（单频）激光光源。受激光与原子尺度上的独特材料的相互作用推动了量子计算和量子应用的进步，需要特定波长来针对单个原子相互作用。自然物理学决定了与特定原子、晶体和环境相互作用所需的独特波长。许多这些所需波长都在近紫外 (UVA) 和可见光谱中。由于其独特的激光特性，氮化镓 (GaN) 激光器非常适合解决这些自然界规定的 UVA 和可见波长。新兴量子市场为可见激光二极管制造商（如 BluGlass）提供了巨大的机会，因为许多实现原子跃迁的波长都发生在可见波长，并且在包括先进机器人和生物医疗设备在内的极具前景的应用中越来越受到客户的追捧。脑驱动的假肢自动化和用于军事和商业应用的量子导航原子钟就是这种下一代技术的很好例子。麦肯锡公司在其 2021 年量子报告中指出：“量子计算是我们这个时代最具革命性的技术之一，距离广泛的商业应用还有十年的时间。然而，鲜为人知但具有关键工业和科学意义的两项相关技术将更早面世：量子传感 (QS) 和量子通信 (QComm)。
GaN 功率晶体管的栅极驱动配置
在半桥应用中对交叉传导的灵敏度增加 这两种影响都可以通过使用负栅极驱动电压来减轻。但这种方法也有缺点，因为负栅极驱动会导致反向（第三象限）操作中的电压降增加，从而导致死区期间的传导损耗更高。因此，最佳栅极驱动始终取决于基本应用条件（硬/软开关、功率等级、开关电压、频率等）。本白皮书简要概述了 GIT 和 SGT 产品系列的推荐栅极驱动概念。多功能标准驱动器（RC 接口）可以轻松适应这两种技术。本文档还提供了基本的栅极驱动器尺寸指南和一些典型的应用示例。
光子集成电路（图片）：从INP到Gan- ...
关键字：从第一个实用的（商业）系统实现（SOC）实现到当前状态的基于INP的光子积分电路（PICS）的光子集成电路，光发射器，光子接收器，光子传感器，量子计算抽象进步的抽象进步。使用基于GAN的半导体扩展到光子IC到可见的和近脉冲光谱，有望在光学通信，传感和量子溶液中大量应用。ntroduction Modern Electronics始于晶体管的发明和少数载体注入的发现[1]。综合电路（IC）的发明以及半导体技术的可扩展性[2，3]急剧改变了我们的现代世界，因为晶体管和半导体技术的能力不断提高固态循环的功能，性能和可靠性，同时降低其大小，电力，电力，成本和成本。此缩放率是指数级的，如今导致了每芯片超过500亿晶体管的综合电路，每晶体管成本<0.1微米。集成电路的关键值是通过消除需要通过半导体批处理和晶圆刻度处理来提供设备和电路连接来实现这些改进的能力。半导体激光[4]，半导体合金激光[5]以及化合物半导体合金[5]的相关可行性引发了将电子集成电路概念扩展到光子学的可能性。这是Miller [6]在《贝尔系统技术杂志》中首次提出的：本文概述了针对激光束电路微型形式的提案……光刻技术可能允许同时构建复杂的电路模式……如果实现……经济应产生。在该提案以来的过去50多年中，有许多有关图片的研究演示。但是，从综合组成部分中得出的经济价值通常不会超过整合本身的成本，这限制了图片的商业成功和发展。迄今为止，图片的介绍和缩放主要是由它们用于光学通信的使用
基于 GaN 晶体管的 LLC 转换器变压器的特性和 SPICE 建模
谐振转换器是电动汽车车载充电器和储能应用的理想选择。它能够有效控制能源、电池或高功率负载之间的功率流动。简单的 LLC 转换器可以扩展为双向 CLLLC 转换器，从而实现智能功率控制并提高器件效率 [1]。为了减少开关损耗并减小尺寸，必须使用高频开关器件，例如 GaN 晶体管。与硅或碳化硅等效晶体管相比，GaN 晶体管的 R DS(ON) 参数较低，因此传导损耗较小 [2]。零反向恢复、快速开关速度和较低的死区时间使 GaN 晶体管成为转换设计的理想选择 [3]。此类转换器的设计在 [4、5] 中进行了描述。除了由晶体管制成的 H 桥开关外，变压器对功能和功率效率也具有至关重要的影响。设计中必须考虑变压器的实际参数 - 即自谐振频率，因为它会影响转换器的最大工作频率 [6]。本文介绍了
光栅栅控 AlGaN/GaN 二维电子气中的原位可调巨电各向异性
Ting-Ting Wang 1,2 , Sining Dong 1,2,* , Chong Li 1,2 , Wen-Cheng Yue 1,2 , Yang-Yang Lyu 1,2 , Chen-Guang Wang 1,2 , Chang-Kun Zeng 1 , Zixiong Yuan 1,2 , Wei Zhu 3 , Zhi-Li Xiao 4, 5 , Xiaoli Lu 6 , Bin Liu 1 , Hai Lu 1 , Hua-Bing Wang 1,2,7 , Peiheng Wu 1,2,7 , Wai-Kwong Kwok 4 and Yong-Lei Wang 1,2,7,*
PQFN GAN设备可靠组装的焊料模具设计指南
转移和回光后，沉积的焊球合金量是孔径k，孔是焊接开口的总面积，T是其厚度，k是焊料粘贴系数。用于脚趾土地图案a脚趾，焊接量大约为脚趾的焊料。焊接连接组件以外的脚趾除以基于剩余的沉积焊料量确定焊料对峙高度。通过此逻辑，可以计算每个引线的焊料对峙高度（SOH），如等式5所示。
OKI技术评论，第242期，利用QST x CFB实现垂直GaN器件社会化应用的新技术
随着实现碳中和目标的加速，为提高社会能源效率，对更高性能半导体器件的需求日益增长。2006年，OKI在全球首次通过独特的CFB（晶体薄膜粘合）*1）技术1）成功量产集成不同材料LED和IC的器件。从那时起，集成LED元件的出货数量已超过1000亿点，已成为具有高量产可靠性的核心技术。上述案例将LED集成到具有反射结构的IC上，从而提高了发光效率，并改善了器件的能源效率。使用CFB开发的新结构将进一步为半导体器件创造附加值。“CFB解决方案”（图1）是一项举措，它不仅将CFB技术应用于LED，而且还将其应用扩展到其他各种晶体材料和器件，以创造具有附加值的新半导体器件。 CFB基板是通过将具有不同功能（晶体层膜）的高性能材料和器件从种子基板上剥离并将它们粘合到不同的基板上而制成的。
在电机驱动应用中使用 GaN HEMT 降低系统成本
Alfred Hesener 是 Navitas Semiconductor 公司工业和消费应用高级总监，该公司位于美国加利福尼亚州托伦斯，位于德国慕尼黑。他目前的工作重点是利用宽带隙半导体推动工业电源转换和电动机应用领域的发展。曾任英飞凌科技工业产品部应用工程和产品定义主管，以及飞兆半导体区域营销和应用工程主管。他拥有达姆施塔特工业大学微电子学硕士学位。