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Patricia Lee诉Jane Gallina Mecca
14美国宪法。 修正。 xi。 15 Karns诉Shanahan，879 F.3d 504，519（3d Cir。 2018）（引用将诉密歇根州诉 州警察，491 U.S. 58，64（1989））;另请参见Howlett Ex rel。 Howlett诉Rose，496 U.S. 356，365（1990）（“传统上享有第十一修正案的豁免权，该州的州和武器在联邦法院或州法院不适合根据1983年的诉讼。”）。 在针对州官员的诉讼中以正式的禁令救济能力，这些州官员根据1983年被视为人。。 见威尔，491 U.S.，71 N.10。 16参见，例如 ，Johnsonv。NewJersey，869 F. Supp。 289，296-98（D.N.J. 1994）。 17Pa。Fed'nof Sportsen's Clubs，Inc。诉Hess，297 F.3d 310，323（引用MCI Telecomms。 Corp.诉Bell Atlantic-Pennsylvania Serv。 ，271 F.3d 491，503（3d Cir。 2001），证书。 否认，537 U.S. 941（2002））。14美国宪法。修正。xi。15 Karns诉Shanahan，879 F.3d 504，519（3d Cir。 2018）（引用将诉密歇根州诉 州警察，491 U.S. 58，64（1989））;另请参见Howlett Ex rel。 Howlett诉Rose，496 U.S. 356，365（1990）（“传统上享有第十一修正案的豁免权，该州的州和武器在联邦法院或州法院不适合根据1983年的诉讼。”）。 在针对州官员的诉讼中以正式的禁令救济能力，这些州官员根据1983年被视为人。。 见威尔，491 U.S.，71 N.10。 16参见，例如 ，Johnsonv。NewJersey，869 F. Supp。 289，296-98（D.N.J. 1994）。 17Pa。Fed'nof Sportsen's Clubs，Inc。诉Hess，297 F.3d 310，323（引用MCI Telecomms。 Corp.诉Bell Atlantic-Pennsylvania Serv。 ，271 F.3d 491，503（3d Cir。 2001），证书。 否认，537 U.S. 941（2002））。15 Karns诉Shanahan，879 F.3d 504，519（3d Cir。2018）（引用将诉密歇根州诉州警察，491 U.S. 58，64（1989））;另请参见Howlett Ex rel。Howlett诉Rose，496 U.S. 356，365（1990）（“传统上享有第十一修正案的豁免权，该州的州和武器在联邦法院或州法院不适合根据1983年的诉讼。”）。在针对州官员的诉讼中以正式的禁令救济能力，这些州官员根据1983年被视为人。见威尔，491 U.S.，71 N.10。16参见，例如，Johnsonv。NewJersey，869 F. Supp。 289，296-98（D.N.J. 1994）。 17Pa。Fed'nof Sportsen's Clubs，Inc。诉Hess，297 F.3d 310，323（引用MCI Telecomms。 Corp.诉Bell Atlantic-Pennsylvania Serv。 ，271 F.3d 491，503（3d Cir。 2001），证书。 否认，537 U.S. 941（2002））。，Johnsonv。NewJersey，869 F. Supp。289，296-98（D.N.J.1994）。17Pa。Fed'nof Sportsen's Clubs，Inc。诉Hess，297 F.3d 310，323（引用MCI Telecomms。Corp.诉Bell Atlantic-Pennsylvania Serv。 ，271 F.3d 491，503（3d Cir。 2001），证书。 否认，537 U.S. 941（2002））。Corp.诉Bell Atlantic-Pennsylvania Serv。，271 F.3d 491，503（3d Cir。2001），证书。 否认，537 U.S. 941（2002））。2001），证书。否认，537 U.S. 941（2002））。
该后印刷最初是由Elsevier发表的：Scheunemann，J.，Kühn，S.，Biedermann，S。V.，Lipp，M.，Peth，M.
该后印刷最初是由Elsevier发表的：Scheunemann，J.，Kühn，S.，Biedermann，S.V.，Lipp，M.，Peth，M.，Peth，J.，Gallinat，J。，＆Jelinek，L。（2023）。对边缘人格障碍的自我伤害和自杀行为的隐性认知。行为疗法和实验精神病学杂志，第79条，第1011836条。被授予无效，不可转让，个人和有限的使用本文档的权利。本文档专门用于个人非商业用途。在本文档的所有副本上，必须保留所有版权信息和其他有关法律保护的信息。您不得以任何方式更改此文档，也不能以公共或商业目的复制，发行，驱散，出售或以其他方式使用此文件。在使用本文档时，您可以识别使用条款。
RF Power应用的氮化碳技术
问题陈述：能够高速和高功率处理的半导体设备平台是无数RF电源应用的关键组件级构建块，例如雷达（国防，航空航天和平民 - 汽车），通信（国防，航空航天，航空和平民 - 5G及以后），信号jamming和rf。迫切需要这些技术，尤其是印度的国防和航空航天机构，因为它们是敏感和控制的。
二维炮的非线性光学活动...
图1。晶体学结构和材料表征几层气体 - 纳米片。粘液和球格式的气体晶体表示。（a）三层气体的侧视图，表现为单位电池C =17.425Å由三个气体层组成。（b）气体晶体的顶视图。在这里，GA和S原子分别用绿色和蓝色球表示。（c）SEM图像（LPE样本：左上角和ME样本：右上方）和EDS配置文件（底部）的exfoliated Gas Nanoseets。EDS轮廓中的插图指示所获得的纳米片的原子比。在（d）GA 3D和（E）S 2P和GA 3S结合能区域中气纳米的高分辨率XPS光谱。（f）具有相同强度轴的3L，10L，LPE和散装气体的拉曼光谱。散装气体的拉曼振动模式被标记为𝐸1𝑔
没食子酸与大蒜素联合治疗糖尿病
2 型糖尿病，又称 DM，是一种死亡率和致残率很高的代谢紊乱。氧化应激 (OS) 的发生和激活对 DM 的致病发展至关重要。病理生理学证据表明，OS 通过与高血糖、胰岛素抵抗和炎症的关联，促进 DM 的发生和发展。值得注意的是，越来越多的研究正在研究天然抗氧化剂对治疗 DM 的益处。许多不同类型的烹饪和草药植物分别含有抗氧化剂和抗炎化合物没食子酸 (GA) 和大蒜素。研究作者表示，晚期糖基化终产物 (AGE) 的合成受到抑制，脂肪储存减少，血糖和体重得到改善，身体产生更少的 AGE。使用 GA 和大蒜素治疗后，抑制 RAGE 和预防 AGE 活性可减少氧化应激并增强胰岛素分泌。本文的目的是 (1) 提供证据证明 GA 和大蒜素可能是治疗糖尿病及其并发症的有效降糖疗法，以及 (2) 全面回顾有关研究油酸在该疾病中的作用的当前知识状态。关键词 - 糖尿病、化学成分、治疗、慢性病、氧化应激。
用于高性能深紫外光电探测的微米厚氧化镓薄膜中的定向载流子传输 张文瑞, 1,2 * 魏瓦
微米级氧化镓薄膜中的定向载流子传输用于高性能深紫外光电探测 张文瑞 1,2 * 王伟 1 张金福 1 张谭 1 陈莉 1 王刘 1 张宇 3 曹彦伟 1 季莉 3 叶吉春 1,2 * 1 中国科学院宁波材料技术与工程研究所，浙江省能源光电子材料与器件工程研究中心，浙江 宁波 315201 2 甬江实验室，浙江 宁波 315201 3 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室，上海 200433 关键词：紫外光电探测器，宽禁带半导体，氧化镓，载流子传输，缺陷
耦合CRISPR/Cas9和Lambda Red重组工程系统对鸡沙门氏菌进行基因组编辑及ssaU敲除突变体对细菌毒力的影响
摘要：发展中国家的养禽业仍然面临着鸡伤寒的巨大威胁，这种疾病由鸡沙门氏菌引起，在经济较发达国家已得到较好的控制。除了大型毒力质粒 (85 kb) 表现出的毒力外，鸡沙门氏菌致病岛 2 还通过其 III 型分泌系统 (TTSS) 在介导疾病方面发挥关键作用。TTSS 分泌效应蛋白穿过含有沙门氏菌的液泡，并通过调节囊泡通道介导细菌的内化。在本研究中，使用 CRISPR/Cas9 和 lambda 重组系统通过同源定向修复，成功从本土分离的鸡沙门氏菌基因组中删除编码 III 型分泌系统的候选毒性 ssaU 基因 (~1 kb)。基于 CRISPR/Cas9 的家禽鸡沙门氏菌基因组编辑此前尚未见报道，这可能与其遗传工具效率低下有关。这是首次展示从该细菌基因组中完全进行基于 CRISPR/Cas9 的基因删除的研究。更重要的是，采用家禽实验模型评估了该突变菌株 (∆ ssaU_ S G18) 的毒力潜力，与野生型菌株相比，该突变菌株无法在实验攻毒的鸟类中产生任何死亡率。在我们的攻毒模型中，没有观察到对体重增加的影响，而细菌无法在肠道和肝脏中定植。突变菌株体内毒力的丧失使该系统具有出色的功能，可用于开发针对这种耐药性和致病性细菌的活疫苗。
采用磁控溅射层间电介质直接形成 n+ 工艺，用于自对准共面氧化铟镓锌薄膜晶体管
具有交错结构（例如蚀刻停止 (ES) 和背沟道蚀刻 (BCE) 结构）的铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜晶体管 (TFT) 已被证明可用作平板显示器中的电路器件 [1,2]。然而，由于栅极和源/漏极 (S/D) 电极之间的重叠，这些交错结构器件不可避免地具有较大的寄生电容，从而导致 TFT 器件的工作速度较低。自对准 (SA) 共面结构是克服该寄生电容问题的一种有前途的解决方案 [3]。形成导电的 n + -IGZO 以获得有源 S/D 区和 S/D 电极之间的欧姆接触是 SA 共面器件的重要工艺。已经提出了许多用于该工艺的方法，并且制备的 IGZO 器件具有良好的性能。通常使用等离子体处理（Ar、H2 等）[4,5] 和深紫外（DUV）照射 [6] 。然而，这些解决方案需要一个额外的步骤，如图 1a 所示，这会导致额外的工艺成本。在 SiO2 栅极绝缘体（GI）过蚀刻期间形成 n + -IGZO 是一种简单的方法 [7,8]。然而，当 GI 蚀刻等离子体可以蚀刻 IGZO 薄膜时，这种方法并不适用。最近，已经证明通过简单地涂覆有机层间电介质（ILD）可以形成 n + -IGZO 区域，并且获得了 24 Ω·cm 的沟道宽度归一化 S/D 串联电阻（R SD W）[9]。本报告展示了在 ILD 沉积过程中形成 n + -IGZO 区域的可能性。基于这个想法，其他制造低 R SD W SA 共面 IGZO TFT 的新方法值得研究。在这项工作中，我们使用磁控溅射工艺沉积 SiO x ILD 并同时为 SA 共面 IGZO TFT 形成 n + -IGZO 区域。这样，ILD 沉积和 n + 形成可以合并为一个步骤，如图 1b 所示。制造的器件具有相当低的 R SD W 。降低 IGZO 薄膜的机制
用于碳化硅和氮化镓电子设备的高介电常数二元氧化物薄膜的结构和绝缘行为
摘要：高κ电介质是介电常数高于二氧化硅的绝缘材料。这些材料已经在微电子领域得到应用，主要用作硅 (Si) 技术的栅极绝缘体或钝化层。然而，自过去十年以来，随着宽带隙 (WBG) 半导体的广泛引入，如碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)，后硅时代开始了，这为高κ材料在这些新兴技术中的应用开辟了新的前景。在此背景下，铝和铪的氧化物（即 Al 2 O 3 、HfO 2 ）和一些稀土氧化物（例如 CeO 2 、Gd 2 O 3 、Sc 2 O 3 ）是有前途的高κ二元氧化物，可用作基于 SiC 和 GaN 的下一代大功率和高频晶体管的栅极介电层。本综述论文概述了用于后硅电子器件的高介电常数二元氧化物薄膜。特别地，重点关注通过原子层沉积在 WBG 半导体（碳化硅和氮化镓）上生长的高 κ 二元氧化物，无论是非晶态还是晶体膜。讨论了沉积模式和沉积前或沉积后处理的影响。此外，还介绍了这些薄膜的介电行为，并报告了一些应用于 SiC 和 GaN 晶体管的高 κ 二元氧化物的示例。强调了这些技术的潜在优势和当前的局限性。