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碳和硅杂质缺陷
摘要：硝酸盐（GAN）中的缺陷单光子发射器（SPE）近年来由于其提供的优势而引起了人们的关注，包括在室温下操作，狭窄的排放线宽和高亮度。尽管如此，由于可能在GAN中形成的许多潜在缺陷，单光子发射机制的确切性质仍然不确定。在这项工作中，我们对从头算计算进行的系统研究表明，碳和硅作为氮化碳中的常见掺杂剂可以与GAN中的固有缺陷相互作用，并形成新的高速缺陷单光子来源。我们的发现确定了三元缺陷n ga v n c n，其寿命短于1 ns，而小零光子线（ZPL）为864 nm。换句话说，此缺陷可以用作短波长窗口中的高速单光子源进行纤维通信。在尖锐的对比度中，Si支持的缺陷N GA V n Si N具有较高的无占缺陷能水平，该缺陷能水平进入传导带，因此不适合单个光子发射。已经对潜在的缺陷，热稳定性和单光子发射特性进行了系统的研究。分别采用了perdew-burke-ernzerhof交换相关功能和HEYD-SCUSERIA-ERNZERHOF交换相关功能的放松计算和自洽计算。这些发现表明了通过碳或硅掺杂剂的高性能单光子来源的潜力。
通过 MOVPE 沉积 Ga2O3 的研究...
氧化镓 Ga 2 O 3 是一种很有前途的半导体电子材料。近年来，对其性质和合成技术进行了广泛的研究 [1,2]。不幸的是，对其外延生长的研究只集中在一个狭窄的最佳条件范围内。具体来说，还没有发表过关于宽区间温度变化对沉积速率影响的数据。这些数据对于彻底了解金属有机气相外延 (MOVPE) 的机制、充分考虑整个反应器容积内的化学和物理过程以及优化外延反应器的几何形状是必需的。在本研究中，研究了 MOVPE 中 Ga 2 O 3 沉积速率对宽区间温度变化的依赖关系。将获得的结果与众所周知的 GaN 和金属镓 (三甲基镓的单独热解) 的依赖关系进行了比较。为了排除反应器设计和温度测量方法对结果的影响，我们在类似条件下直接在同一反应器中测量了这些依赖关系。与任何其他化学气相外延工艺一样，MOVPE 中的沉积速率对温度的依赖性也具有三个明显的部分。在低温下，沉积速率受表面化学反应速率控制。这种生长方式称为动力学受限方式。在最简单的情况下，阿伦尼乌斯曲线的线性部分与之相对应。在存在分子氢甚至原子氢的情况下，动力学部分向低温（与金属有机化合物的单独热解依赖性相比）移动，这些氢可能由 V 族氢化物提供。在较高温度下，沉积速率受组分向表面的传输控制。
炼金术士 - 关注市场 - 摩根大通
中国反击的选项 • 对美国农产品、化工产品和飞机零部件进口征收关税 • 汇率贬值和出口退税 • 禁止稀土元素出口；中国刚刚禁止向美国出口镓、锗和锑，切断了美国一半的供应 • 对在华经营的美国公司实施反垄断、国家安全和其他处罚（见下文） • 出售美国国债和机构 • 实现贸易关系多元化，如 RCEP（按市场规模计算最大的自由贸易区）及其加入 CPTPP 的申请，这两者都不包括美国
工程研究办公室
研究助理/高级研究助理将加入剑桥大学的纳米科学中心的综合量子光子小组，该研究小组致力于纳米和量子光子设备的仿真，纳米化和光学表征，从而集成量子光发射器。They will work on a research project focused on the investigation of the emission properties of quantum dots and defect centres in Gallium Nitride, in particular when coupled to plasmonic devices, like metallic nano-rings [see Applied Physics Letters 111 , 021109 (2017) , Applied Physics Letters 112 , 221102 (2018) , Applied Physics Letters 120 , 081103 (2022) ，高级量子技术2300149（2023）]。研究人员将通过时间分辨的光致发光光谱和量子光学技术来研究设备的设计，纳米化和光学表征。该项目的目的是实现用于量子通信和成像的量子光的整体，可扩展的来源。他们将支持该项目的开发，包括在小组中工作的本科，研究生和研究人员的协调和监督。初始约会首先将持续12个月。候选人将根据与标准相匹配的经验来考虑适当的角色。有关该项目的更多信息，请联系Luca Sapienza博士（ls2052@cam.ac.uk），有关该小组的研究活动的更多信息，请访问www.quantum.eng.eng.cam.ac.ac.uk
采用 GaAs 的集成 SAW
石英是 SAW 传感器的典型基板，但它不是半导体，而硅是微电子器件的典型半导体，但它不是压电材料，需要沉积压电薄膜才能激发 SAW。这使得砷化镓 (GaAs) 成为集成 SAW 微传感器应用的独特材料。GaAs 的压电特性与石英相似，因此可以直接在 GaAs 基板上制造 SAW 器件，而无需沉积压电薄膜。图 1 中的数据显示，GaAs SAW 传感器的灵敏度与石英 SAW 传感器相当。此外，GaAs 是一种成熟的半导体器件材料，可用于制造集成高频射频微电子器件。
芯片液体金属塞发电机
镀仑及其合金在近年来引起了人们的关注。[1,2]尽管凝胶的熔点为29.8°C，但它可以与其他金属合金（例如impium（in）和TIN（SN）（SN）合成，以进一步降低其熔点。在过去的十年中，特定的焦点一直放在共晶的gal- lium im依（Egain; 75 wt％ga，25 wt％in;熔点：14.2°C）和galinstan（68.5 wt％ga，21 wt％，21 wt％，21 wt％in，10 wt％sn; 10 wt％sn;熔点：13.2°C）。[3]这些基于甘露的液体金属合金具有包括高电导率在内的金属的证明（约3.4×10 6 s m-1，比铜低约17倍），低粘度（大约是水的粘度的两倍），高表面张力（大约600-700-700-700 mn-m-nm-n m-nm-n m-nm-n m-n m-n m-n m-n m-n m-n m-n m-n m-n m-n ligible vapor and pa pa and pa pa and paepers），<<10 - <处理无需在烟雾罩中工作。[4] Gal-Instan和Egain在微电力机械系统和微富集学中引起了人们的关注，其应用，包括可拉伸的电子设备，[5,6]可重新配置的天线，[7,8]软机器人和可穿戴设备，[9-11]微流体的固定器，[9-11]微流体 - 液化剂，[12,14-14] [12,1,3] [12,-1--13]。液滴发生器。[15,16]由于固有的挑战，诸如将液体金属注入微通道内部，因此由于它们的高表面十足，液滴发生器允许可重复生成可配置尺寸的液滴的生成仍然具有挑战性。这样的液滴发生器将为执行器等应用的纳米和微螺旋铺平道路，[17,18]泵，[19,20]触觉设备，[21]
GA2O3来自机器学习驱动的分子D 在NIST的基于模块的键 - ... 上的研讨会上的摘要
𝛽 -Gallium氧化物（𝛽 -GA 2 O 3）对电子应用显示了巨大的希望，特别是在未来的空间操作设备中，长时间暴露于严酷的辐射环境中。这项研究的重点是这种材料中辐射损伤的关键，但尚未完全探讨，例如阈值位移能和各种辐射诱导的Frenkel Pairs的形成。根据我们的机器学习势分析超过5,000个分子动力学模拟，我们得出的结论是，两个GA位点的阈值位移能量，四面体（22.9 eV）和八面体（20 eV）（20 eV），差异比三个不同的O位点（在17 ev之间）的值强，而在17 ev和17.4 ev之间仅相同。阈值位移能量的映射揭示了所有五个原子位点的位移的显着差异。我们新开发的缺陷识别方法成功地将多个Frenkel对类型分类为𝛽 -GA 2 O 3，在O1位点具有超过十个不同的GA和两个主要O的O型ga和两个主要O的O型O型O分裂。最后，计算出的重组能屏障表明，fenkel对比GA更可能重新组合。这些见解对于理解GA 2 O 3中的辐射损伤和缺陷的形成至关重要，为GA 2 O 3基于具有较高辐射电阻的基于GA 2 O 3的电子产品的设计提供了基础。
电子功能材料研究中心
●涵盖了多种用于光学应用的晶体：激光和非线性光学晶体，磁光晶体，闪烁体/剂量计晶体，宽带隙半导体，压电和铁电晶体等等等等。●我们当前的主要研究目标是：用于高亮度照明设备的单晶磷光器。用于激光机械的光学隔离器的法拉迪旋转器。用于高温使用的压电晶体，例如燃烧压力传感器。氧化包胶作为新型宽带隙半导体。用于IR光学应用的Chalcogenide●积极促进与大学，国立研究所和行业的合作，并积极追求国际合作，以促进新的观点和原始思想。