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在电机驱动应用中使用 GaN HEMT 降低系统成本
Alfred Hesener 是 Navitas Semiconductor 公司工业和消费应用高级总监，该公司位于美国加利福尼亚州托伦斯，位于德国慕尼黑。他目前的工作重点是利用宽带隙半导体推动工业电源转换和电动机应用领域的发展。曾任英飞凌科技工业产品部应用工程和产品定义主管，以及飞兆半导体区域营销和应用工程主管。他拥有达姆施塔特工业大学微电子学硕士学位。
面向共同创造 GAN 应用中的人机交互模式框架
摘要 随着生成对抗网络 (GAN) 的兴起，人工智能越来越多地成为人类设计师共同创造文化产品的合作伙伴。虽然生成模型已应用于各个学科的各种创造性任务，但理解人机 GAN 协作的理论基础尚未开发。借鉴混合主动性共同创造社区的经验，我们提出了一个初步框架来分析共同创造的 GAN 应用。我们确定了四种主要的交互模式：策划、探索、发展和条件。建议的框架使我们能够讨论共同创造 GAN 应用背后的不同类型交互的可供性和局限性。
GaN/AlGaN 和 SiC 电子和光子器件中的辐射损伤
宽带隙半导体 SiC 和 GaN 已商业化用于电力电子和可见光至紫外发光二极管（例如 GaN/InGaN/AlGaN 材料系统）。对于电力电子应用，SiC MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）和整流器以及 GaN/AlGaN HEMT 和垂直整流器在高功率水平下提供比 Si 器件更高效的切换，现在正用于电动汽车及其充电基础设施。这些器件还可应用于涉及高温和极端环境的电动飞机和太空任务。在本综述中，将它们的固有辐射硬度（定义为对总剂量的耐受性）与 Si 器件进行了比较。宽带隙半导体的固有辐射硬度更高，部分原因是它们产生缺陷的阈值能量（原子键强度）更大，更重要的是因为它们的缺陷复合率高。然而，现在人们越来越认识到，SiC 和 GaN 功率器件中重离子引起的灾难性单粒子烧毁通常发生在电压约为额定值的 50% 时。在高线性能量传输速率和高施加偏压下，离子诱导泄漏发生在外延区域内的临界功率耗散之上。沿离子轨道耗散的功率量决定了漏电流衰减的程度。最终结果是沿离子轨道产生的载流子发生碰撞电离和热失控。发光器件不受这种机制的影响，因为它们是正向偏置的。应变最近也被确定为影响宽带隙器件辐射敏感性的一个参数。
四个中电压应用，其中gan将转换电子设计
•功率供应单元（PSU）。开放计算项目的变化正在增加48V输出的普及；但是，与以前的溶液相比，所需的80V和100V硅溶液的损失（门驱动和重叠损失）明显更高。GAN溶液（例如LMG3100）可以帮助最大程度地减少电感 - 电感 - 伴随阶段（LLC阶段）的同步整流器中的这些损失。•中间总线转换器（IBCS）。此系统将中间电压（48V）从PSU的输出转换为较低的电压，然后将其转换为服务器。随着48V电压级别流行，IBC有助于减少服务器子系统分布期间的I 2 r损失，并启用总尺寸和成本降低总线杆和携带电源的电线。IBCS的缺点是，它们为电源转换增加了另一个步骤，这可能会降低效率。因此，除了OEM正在测试高效率和功率密度的最佳组合外，还要利用高效gan设备（例如LMG2100和LMG3100）等高效GAN设备。•电池备用单元。降压阶段通常将电池电压（48V）转换为总线电压（48V）。当电源线路熄灭并且功率流是双向时，您也可以使用BBU进行电池电源转换。不间断的电源使用此阶段，因为它可以通过直接从电池直接执行DC到DC转换来避免由DC到AC-AC-TO-DC转换造成的损失。
新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs 器件耐压分析
摘要 本文通过对有源区耗尽层的分析，首次得出AlGaN/GaN HEMT中耗尽层过程不同于硅功率器件的结论。基于AlGaN/GaN HEMT这种特殊的破坏原理，提出了一种新的RESURF AlGaN/GaN HEMT结构，以降低表面电场，提高击穿电压。该结构在极化AlGaN层中引入两个不同的负电荷区，通过耗尽2DEG来降低高边缘电场；在近漏极加入正电荷，首次降低了漏极高电场峰值。应用ISE仿真软件，在器件中验证了虚拟栅极效应。
基于薄膜氮化镓 (GaN) 的声流体镊子
志勇、苍怀兴和杨鑫 2020. 基于薄膜氮化镓 (GaN) 的声流体镊子：建模和微粒操控。超声波 108，106202。10.1016/j.ultras.2020.106202
中子辐照 GaN 肖特基势垒二极管的温度相关电特性
明确研究了直径 400 μ m 的中子辐照 (NI) GaN 肖特基势垒二极管 (SBD) 的温度相关电特性。根据 CV 测量，与原始样品相比，NI 二极管的电子浓度明显下降，表明存在热增强载流子去除效应。中子辐照会导致明显的肖特基势垒高度不均匀性，这可以通过双势垒模型进行研究。数据表明，中子辐照会对漏电流以及低频噪声水平产生微小但可测量的抑制。尽管发现了新的深能级陷阱，但温度相关的电学结果表明 GaN SBD 具有出色的抗中子辐照性能和在极端工作温度下的稳定性。
全球最大硅基氮化镓晶体成功生长
日本制钢所和三菱化学株式会社正在 NEDO 的“节能技术战略创新计划”下，致力于电力电子用大直径块状氮化镓 (GaN) 基板的示范和开发。该示范和开发在 2021 年 5 月建立的世界上最大的 GaN 基板制造示范设施（大型示范设施）中进行。我们使用“SCAAT TM -LP”进行了 4 英寸 GaN 基板量产晶体生长实验，这是一种低成本的高质量 GaN 基板制造技术。实验结果，我们已确认 4 英寸 GaN 晶体正在按计划生长。与中试设施相比，大型示范设施的规模显著扩大，可以制造大量的 GaN 基板。未来，我们将在大型示范设施中进一步进行示范实验，旨在通过稳定供应高质量的GaN基板，为超高效器件的开发做出贡献，并于2022财年初开始向市场供应。
高能物理中的双参数量子电路GAN模型
摘要。生成模型，尤其是生成对抗网络（GAN），正在作为蒙特卡洛模拟的可能替代方法。已经提出，在某些情况下，可以使用量子gan（qgans）加速使用gan的模拟。我们提出了QGAN的新设计，即双参数量子电路（PQC）GAN，该设计由一个经典的歧视器和两个采用PQC形式的量子代理组成。第一个PQC在n -pixel图像上学习了一个概率分布，而第二个PQC则为每个PQC输入生成了单个图像的归一化像素强度。为了了解HEP应用程序，我们评估了模仿热量计输出的任务的双PQC体系结构，转化为像素化图像。结果表明，该模型可以复制尺寸降低及其概率分布的固定数量的图像，我们预计它应该使我们可以扩展到实际热量计输出。