1 Vida Products, Inc.,美国加利福尼亚州罗纳特公园 94928 2 加州大学伯克利分校,美国加利福尼亚州伯克利 94720 3 内布拉斯加大学林肯分校物理与天文系,美国内布拉斯加州林肯 68588 4 劳伦斯伯克利国家实验室分子铸造厂,美国加利福尼亚州伯克利 94720 5 劳伦斯伯克利国家实验室材料科学部,美国加利福尼亚州伯克利 94720 6 加州大学圣克鲁斯分校物理系,美国加利福尼亚州圣克鲁斯 95064 7 劳伦斯伯克利国家实验室分子铸造厂国家电子显微镜中心,美国加利福尼亚州伯克利 94720 8 长冈工业大学材料科学与技术系,日本新泻长冈 940-2188 9科罗拉多州立大学,科罗拉多州柯林斯堡 80523,美国 10 斯坦福大学 Geballe 先进材料实验室,加利福尼亚州斯坦福 94305,美国 11 斯坦福大学应用物理系,加利福尼亚州斯坦福 94305,美国 12 奥本大学电气与计算机工程系,阿拉巴马州奥本 36849,美国 13 高折射率光学公司,加利福尼亚州海沃德 94545,美国 14 内布拉斯加大学林肯分校内布拉斯加材料与纳米科学中心,内布拉斯加州林肯 68588,美国 15 圣克拉拉大学电气与计算机工程系,加利福尼亚州圣克拉拉 95053,美国
通过固相反应制备了 Nd 3 + 掺杂的 Y 3 Al 2 Ga 3 O 12 石榴石陶瓷颗粒,并以此为原型研究 Nd 3 + 激活石榴石荧光粉作为低温和高温范围玻尔兹曼温度计的潜力。尽管近红外发射 Nd 3 + 激活荧光粉通常用于生物应用,但它们的实际用途受到生理温度范围内低灵敏度的阻碍。相反,100 800 K 范围内的光致发光分析在低温和高温范围内都表现出有趣的性能。事实上,通过利用 4 F 3 / 2 的斯塔克能级(Z 能级)以及 4 F 5 / 2 和 4 F 3 / 2 激发态的发射率,可以在同一材料中构建两个可靠的玻尔兹曼温度计,分别在低温范围(100 220 K)和高温(300 800 K)下工作。
1 北京航空航天大学微电子学院费尔特北京研究所,北京 100191 2 瑞士洛桑联邦理工学院材料研究所(IMX)纳米磁性材料与磁子学实验室,洛桑 1015 瑞士 3 科罗拉多州立大学物理系,科罗拉多州柯林斯堡 80523 美国 4 中国科学院大学物理研究所北京凝聚态物理国家实验室,北京 100190 5 北京大学物理学院电子显微镜实验室,北京 100871 6 北京大学物理学院国际量子材料中心,北京 100871 7 南方科技大学深圳量子科学与工程研究院、物理系,深圳 518055 8 量子物质协同创新中心,北京 100871,中国 9 洛桑联邦理工学院(EPFL)工程学院微工程研究所(IMT),洛桑 1015,瑞士
在图案化的周期性周期性纳米线上大大增强了Faraday旋转,在二晶型铁石榴石膜上[10]。大多数表面等离子体的研究都集中在金属等贵金属上。但是,这些金属必须与光学活性材料结合使用,以提供血浆的主动控制。特别是,可以用应用于磁性金属杂种系统的磁场来控制磁质量[11,12]。磁光kerr效应(moke)将线性极性光转换为Mo材料中的椭圆极化光。最近,Moke已用于检测磁性纤维中的SOC相关扭矩,例如通过电子旋转角动量和光线之间的相互作用,例如绝缘Yttrium-Iron Garnet(YIG)和金属COFEB以及重金属PT异质结构[13,14]。YIG中的摩克很小,对于近红外波长。用二晶体或稀土元素代替Yttrium可以增强摩克,而磁矩只有很小的变化[15-18]。双掺杂的YIG中的大Mo效应是由原子内轨道偶极子偶极转变在CE的4F和5D状态之间或Inter- inter-
然而,在实现基于LLZ的ASSB的主要挑战中,具有促进电池操作的属性的阴极/LLZ界面形成,例如低界面电阻和良好的接触。因此,LLZ的densi cation采用了高于1000°C的温度下的犯罪策略,以增强其对LI金属的离子电导率和稳定性。然而,这种高温犯罪不可避免地会导致形成高电阻的电极/LLZ相间,从而导致电池较差。12,13可以通过两条路线形成阴极/LLZ接口。在第一个路径中,涉及将阴极层涂在烧结的LLZ磁盘上,LLZ在升高的温度下呈密密度密度,然后使用诸如筛网印刷和浸入等方法与阴极层涂层,并且所得的PORTODE/LLZ系统是在低温到
摘要:为了实现高温下的量子反常霍尔效应(QAHE),采用磁邻近效应(MPE)的方法,破坏拓扑绝缘体(Bi0.3Sb0.7)2Te3(BST)基异质结构中的时间反演对称性,并与具有垂直磁各向异性的亚铁磁绝缘体铕铁石榴石(EuIG)形成异质结构。这里我们证明了大的异常霍尔电阻(R AHE),在 300 K 时超过 8 Ω(ρ AHE 为 3.2 μ Ω · cm),并在 35 个 BST/EuIG 样品中维持到 400 K,超过了 300 K 时 0.28 Ω(ρ AHE 为 0.14 μ Ω · cm)的过去记录。大的 R AHE 归因于 BST 和 EuIG 之间原子突变的富 Fe 界面。重要的是,AHE 环的栅极依赖性随着化学势的变化没有显示出符号变化。这一观察结果得到了我们通过在 BST 上施加梯度塞曼场和接触势进行的第一性原理计算的支持。我们的计算进一步表明,这种异质结构中的 AHE 归因于固有的贝里曲率。此外,对于 EuIG 上的栅极偏置 4 nm BST,在高达 15 K 的负顶栅电压下观察到与 AHE 共存的明显的拓扑霍尔效应(THE 类)特征。通过理论计算的界面调谐,在定制的磁性 TI 基异质结构中实现了拓扑不同的现象。关键词:拓扑绝缘体、磁性绝缘体、异常霍尔效应、磁邻近效应、第一性原理计算、贝里曲率
结构化的RNA位于许多中心生物学过程的核心,从基因表达到催化。RNA结构预测由于缺乏与有机体表型相关的高质量参考数据而无法为RNA功能提供的,因此无法进行预测。我们提出了石榴石(GTDB获得了带有环境温度的RNA),这是一个固定在基因组分类数据库(GTDB)的RNA结构和功能分析的新数据库。石榴石将RNA序列与GTDB参考生物的实验和预测的最佳生长温度联系起来。使用石榴石,我们开发了序列和结构感知的RNA生成模型,重叠的三重态Tokeni-Zation为GPT样模型提供了最佳的编码。在石榴石和这些RNA生成模型中利用高嗜热RNA,我们确定了核糖体RNA中的突变,这些突变赋予了赋予大肠杆菌核糖体的热稳定性。此处介绍的GTDB衍生的数据和深度学习模型为理解RNA序列,结构和功能之间的连接提供了基础。
________________________________________________________ 学生签名 _________________________________________ ______________________________ 印刷姓名 USC ID _____________________ 日期 ___________________________________________________________ 顾问签名 ___________________________________________________________ 印刷姓名 _____________________ 日期 ___________________________________________________________ GARNET 顾问 ___________________________________________________________ 印刷姓名 _____________________ 日期
在valpelline单元中,带有玉米岩的含有玉米岩的类型是最引人入胜的类型,但对它们的P-T进化知之甚少。由于对这些岩石的完全理解是由岩石和多尺度结构研究的相互作用引起的,因此提供了一种多学科的方法,结合了定量的微结构和Minero化学数据,提供了不同世代的叠加叶子和阶段的区分。在中微观和显微镜下定义了两个主要变形阶段:第一个(d 1)是一种固态变形,开发了叶面(s 1),保留为同时折叠;第二个(D 2)与主要叶片的发展(S 2)有关,与玉米岩和石榴石生长以及熔体产生有关。区域s 2包裹玉米岩,石榴石和熔体聚集体。通过将生物岩校准的地图和ti-in-in-in-biotite温度计结合在〜700至780°C范围内获得的Cordierite种植阶段的温度。
图2。y 3+x al 5-x o 12(0≤x≤0.4)的结构演变得出了SXRD数据的分析。(a)Y 3.4 Al 4.6 O 12(R WP = 8.79%,χ= 1.16)的Rietveld细化具有高角度拟合插图的变焦。Blue tick marks indicate garnet reflections (99.77(2) wt.%), green tick marks indicate perovskite reflections (YAlO 3 , 0.33(2) wt.%) (b) The garnet structure of Y 3.4 Al 4.6 O 12 projected along (100), and a fragment projected along (111) showing the three different cation environments (orange atoms = Y 3+ ; dark blue octahedra = Alo 6;浅蓝色四面体= ALO 4)。(c)具有线性拟合覆盖(实线)的精制晶格参数A,并通过y 3+对16个位点的精制占用率,名义占用覆盖(虚线)。(d)在三种不同的阳离子环境中精制的金属氧距离(m-o)x,在y 3 al 5 o 12(m- o)0时标准化为其值。蓝色三角形=直接结晶样品;洋红色倒三角=玻璃结晶样品。错误栏对应于细化中的10x ESD。