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信息手册 - 2022 级入学申请 - 印度理工学院 Kharagpur 分校
考试日期：2022 年 2 月 5 日星期六、6 日星期日、12 日星期六和 13 日星期日。每天有两场（上午和下午）。 完全计算机化考试（CBT）。 引入两门新科目试卷： i. 测绘工程（GE） ii. 船舶建筑和海洋工程（NM） 科目试卷总数：29。 GATE 2022 考试的所有试卷将完全是客观题。问题模式将包括一些多项选择题（MCQ），而其余问题可能包括多项选择题（MSQ）和/或数字答案类型（NAT）问题。 允许一篇或两门科目试卷。必须从给定的试卷组合列表中选择两种试卷组合。两份试卷的最终分配仍将取决于基础设施和日期的可用性。 资格标准：目前正在就读任何本科学位课程 3 年级或更高年级的考生或已经完成政府批准的工程/技术/建筑/科学/商业/艺术学位课程的考生有资格参加 GATE 2022 考试。 参加 GATE 2022 考试没有年龄限制。 仅通过 GATE 2022 网站（https://gate.iitkgp.ac.in）在线接受申请。
神经氨酸酶（NA）氨基酸取代的摘要评估了其对神经氨酸酶抑制剂（NAI）抑制的影响。
2018 WHA解决方案（71.8）关于辅助技术，其次是2022年，《联合国儿童基金会》和《联合国儿童基金会全球辅助技术报告》以及其他全球倡议的报告增加了人们对辅助技术的认识和兴趣，作为健康，教育，劳动，人道主义者和其他领域的关键问题。取得了进步，以缩小当前访问差距，包括全球商品和国家一级活动的增长。但是，与日益增长的需求相比，进步的速度，尤其是在低收入和中等收入国家中的速度。在决策者和倡导者中，关于如何实现有效访问辅助技术的倡导者，这也缺乏了解，这是对各种服务用户的需求，提供服务的特定和多样化环境以及数字卫生技术等新兴机会的潜力。
DoD微电子：现场可编程门阵列...
本快速入门指南是 NSA 现场可编程门阵列 (FPGA) 保证级别 (LoA) 指南的概述，为用户提供了如何将 LoA 最佳实践指南应用于其程序。虽然 LoA 系列总共包含九份文件，但应用时不需要所有卷。用户只需阅读并应用最多两份文件中的指南即可。该系列中的其他文件介绍了制定指南的方法、有关如何将此过程复制到其他类型的微电子设备的建议，并包含定义。用户只需关注：
星形胶质细胞控制海马中间神经元 1 中的长期增强
沈伟达 1,6,∗ ，唐叶娇 1,2,6 ，杨菁 1,6 ，朱林静 1,6 ，周文 1 ，项丽阳 2 3,4 ，朱峰 1 ，董静银 1 ，谢逸程 5 ，曾令辉 1,∗ 3 4 1 杭州城市学院医学院浙江省神经修复新靶点与药物研究重点实验室，杭州 310015，浙江 6 2 浙江大学药学院毒理药理研究所，卫生部医学神经生物学重点实验室，杭州 310058，浙江 9 3 浙江省神经电子与脑机接口技术重点实验室，杭州 311121，浙江 11 4 南开大学医学院，天津 300071 12 5 浙江大学医学院儿童医院神经内科、国家儿童保健临床研究中心，杭州 310052，中国 15 16 17 6 这些作者对本文贡献相同。18 ∗ 通讯作者：曾令辉 (zenglh@hzcu.edu.cn)，沈伟达 19 ( shenwd@hzcu.edu.cn ) 20
信息手册 - 2023 号门 - 印度理工学院坎普尔分校
过去，一些公共部门企业 (PSU) 曾使用 GATE 分数来筛选求职者。一些这样的组织是：印度重型电气有限公司（BHEL）、印度电力和天然气有限公司（BSNL）、印度煤炭有限公司（CIL）、铁路信息系统中心（CRIS）、杰纳布河谷电力项目有限公司（CVPPL）、达摩达河谷公司（DVC）、印度电子公司有限公司（ECIL）、印度工程师有限公司（EIL）、印度天然气管理局有限公司（GAIL）、印度石油公司有限公司（IOCL）、马扎冈船坞造船有限公司（MDSL）、国家铝业公司有限公司（NALCO）、印度国家公路管理局（NHAI）、印度国家铁路有限公司（NLCIL）、国家矿产开发公司（NMDC）、印度核电公司有限公司（NPCIL）、国家火电公司（NTPC）、石油天然气公司（ONGC）、印度电网公司（PGCIL）、电力系统运营有限公司（POSOCO）、印度国家电力和天然气有限公司（RINL）等。
GATE 2020，印度理工学院德里分校
要获得经济援助（奖学金/助学金），候选人必须首先确保被中央政府支持的机构之一录取，具体程序可能因机构而异。根据特定机构或机构部门采用的规范，候选人可能根据以下情况直接被录取：仅在 GATE 中的表现；或根据其在 GATE 中的表现以及其申请的部门进行的入学考试/面试和/或候选人的学业成绩。在基于考试/面试的选拔程序中，根据 MHRD 指南，GATE 的表现将至少占 70% 的权重，其余将分配给候选人在考试/面试中的表现和/或学业成绩。但是，录取机构可以规定考试/面试的最低及格分数。
栅极氧化物寿命预测与电荷到寿命预测的比较......
摘要 — 商用碳化硅 (SiC) 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的栅极氧化物可靠性对其应用至关重要。恒压时间相关电介质击穿 (TDDB) 测量通常用于评估正常运行下 SiC 功率 MOSFET 的电介质故障时间。最近提出了一种基于氧化物隧穿电流行为的电荷击穿方法来预测电介质故障时间。该方法耗时较少，但要求器件的氧化物漏电流行为遵循通用包络线。这项工作比较了电荷击穿方法和恒压 TDDB 方法对商用 1.2 kV SiC MOSFET 的预测故障时间。结果表明，在低氧化场 (E ox < 9 MV / cm ) 下应用的恒压 TDDB 方法对器件寿命的预测最为保守。
发布 GATE 2023 IIT 和 PSU 分数线
2 Vikram Beniwal 印度 课堂课程，在线课程，测试系列 4 Sarv Verma 印度 在线课程，测试系列 4 Vitthal Agrawal 印度 邮政课程，在线课程，测试系列 5 Rajat Kumar EC 在线课程，测试系列 6 Bharat Raheja EC 在线课程，测试系列 7 Naveen Jasti EC 测试系列 7 Harshit Dubey 印度 在线课程，测试系列 8 Prashant Lavania EC 课堂课程，邮政课程，测试系列 8 Bharat Raheja 印度 在线课程，测试系列