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单载器NET 400 GBIT/S IM/DD超过400 m纤维，由等离子Mach-Zehnder调制器
要克服常规调节器的带宽限制，可以采用等离子设备。等离子调节剂已显示可运行高达500 GHz [8]，因此是用于此类高宽宽应用的理想解决方案。最近通过微环谐振器调制器（MRR）[9]和高达363 GBIT/s的净数据速率（MACH-ZEHNDER调制器（MZM）[10]）已被证明。这些等离子调节剂基于硅光子（SIPH）平台，因此可以无缝地集成到标准的SIPH过程中以进行整体整合。这有望通过共包装[11]，启用小占地面积[12]和低驾驶电压[13]来进一步改进，这是400 Gbit/s tranceivers的理想候选者。然而，单个载体IM/DD演示仍缺少血浆以上的血浆以上。
25 GBAUD 850 nm VCSEL，用于延长温度范围
I.在高性能计算系统，数据中心和其他短距离光学网络中，垂直腔表面发射激光器（VCSEL）是高速和功率的高速和功率短次光学互连（OIS）的首选光源[1]。这样的OI通常在0至70°C的温度范围内运行。但是，基于VCSEL的OIS的某些新兴应用，例如在某些军事系统中的汽车光学网络[2]和光网络，需要在温度较大的范围内运行，例如从-40到125°C。VCSEL是OI温度敏感的组件，成本和功率效率所需的未冷却/未加热的操作，因此需要在温度依赖性降低的VCSEL上，在温度范围更大的情况下运行。在高温下降低温度依赖和改善的VCSER性能也将使基于VCSEL的光学收发器在高性能计算系统中的共包装受益[3]。
327 Gbps Thz硅光子光子互连与子弯曲
在Terahertz（THZ）频段的微型光子设备设想，可以为计算和未来无线通信的数据传输能力和集成密度带来显着增强。宽带硅波引物技术已不断成熟，以推动低损坏平台的集成解决方案。然而，在实现弯曲引起的损失和模式失真引起的弯曲程度不同的紧凑型波形平台时面临挑战。在这里，我们演示了用于多层芯片传输的多个弯曲的光子晶体波导平台。我们的硅互连设备表现出优化的弯曲半径与自由空间波长比为0.74，没有信号失真和透射带宽为90 GHz，代表355 GHz时的25.4％分数带宽。宽带波导互连通过通过多个载体发送复杂的调制数据来实现327 Gbps的汇总数据传输速率。这项工作增强了未来子孙后代的THZ光子集成电路的开发，高数据速率互连和无线通信，范围从第六到X代（6G到XG）。
Thinksystem PM897A混合使用SATA 6GB SSD
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HKT启动AI超级公路解决方案ASIA的第一个800Gbps大型区域网络用于AI和SuperComputing
hkt（SEHK：6823） - 香港，2025年2月17日 - HKT今天宣布，基于CE2.0技术，AI Superhighway，AI Superhighway，ASIA的首个1 800GBPS 2广阔网络解决方案，为香港提供服务。HKT的800Gbps AI超级公路是一个专用的，基于纤维的专用网络，可提供超速，超低延迟，可靠且高度安全的网络连接。它旨在满足由AI，机器学习，云服务，边缘计算和使用高性能计算的其他数据密集型应用程序驱动的高级超级计算功能的企业和机构的不断增长的需求。最先进的解决方案使基于LLM的大型数据集（大型语言模型）基于AI模型培训，并支持使用高性能计算资源（基因组学和科学模拟）以及AI Agent Agent Adgent Assist和Virtual Adents的AI推理应用程序。Steve Ng说：“ HKT意识到AI和超级计算的不断发展的性质，并具有新的标准和技术。我们的承诺是加速企业AI的采用，并将AI和超级计算资源连接到香港的数据中心，从AI数据中心到研究机构，大学和企业。我们的AI超高速公路解决方案，规格速度高达800GPS，可促进AI和R＆D中心的数据中心之间的AI和超级计算簇的互连。AI超高速公路不仅提供超速和低延迟连接，而且还可以在使用AI时保护敏感和宝贵的企业数据，为香港的先进技术发展奠定了基础。” Fiber Link Global的网络规划和运营负责人Ricky Kwong表示：“作为领先的技术解决方案促进器，HKT致力于为我们的客户提供未来的服务。尤其是我们的AI超级高速公路设计的，在Tseung Kwan O，Chai Wan和Kwai Chung Data Center区域之间使用了优化的光纤路线，并提供了具有800GPS链路的低潜伏连接。” AI高速公路的主要好处包括：
摘要：本研究考察了供应链管理对尼日利亚贝努埃州格博科丹格特水泥公司组织绩效的影响
摘要：本研究考察了供应链管理对尼日利亚贝努埃州格博科丹格特水泥公司组织绩效的影响。具体目标是考察供应商关系对丹格特水泥绩效的影响；并确定运输和配送管理对尼日利亚贝努埃州格博科丹格特水泥公司绩效的影响。本研究采用调查研究方法，通过问卷调查从该公司 295 名受访者中获取数据。使用描述性和推断性统计分析数据。回归分析（社会科学统计软件包，版本 25.0）中的 t 检验和 p 值用于假设检验。研究结果表明，供应商关系（t=4.042，p=0.004）以及运输和配送管理（t=3.026，p=0.001）对丹格特水泥公司格博科的绩效有显著/积极的影响。研究的结论是，供应链管理对运输和配送管理以及供应商关系管理具有重要意义，它有可能使水泥制造公司能够帮助维持供应链，并在现有的销售增长、成本效益和市场份额的基础上再接再厉，从而提高绩效。研究建议，丹格特水泥的管理层应强调运输和配送管理中更持久、更完善的结构，从而规划出更理想的仓储位置和有效的运输网络路线，以帮助维持供应链态势，因为这将加强与供应商和利益相关者的合作，使其遵守规定，从而提高销售增长和市场份额，并提高公司的绩效。 1.0 引言 1.1 研究背景 在全球范围内，对更好服务的需求不断增加，这反过来又对制造公司提出了提高绩效的挑战。组织中的绩效和更高生产力是组织的主要目标和梦想。随着竞争的加剧，制造公司已经意识到供应链效率和绩效的必要性，并正在推进其资源以在全球空间中有效竞争。为了提高绩效并保持市场竞争力，最重要和最有价值的方法是拥有高效的供应链管理。在过去十年中，企业和组织最近对供应链管理 (SCM) 表现出越来越浓厚的兴趣，以提高绩效。SCM 已从劳动密集型运营发展到目前的全球网络管理。在当前全球不稳定的背景下，
蔬菜农民对尼日利亚奥贡州的水培农业技术的看法
蔬菜农民对尼日利亚奥贡州的水培养殖技术的感知，Gbolagade Benjamin Adesiji，Mobolaji Omolabake Musa，Mubarakat Musa Musa Musa Musa Ilorin iLorin，农业扩展和农村发展系，PMB 1515，PMB 1515，Ilorin，Nigeria，Nigeria，Phorth234802348023480;电子邮件：musa.mo@unilorin.edu.ng通讯作者：musa.mo@unilorin.edu.ng; mobolajimusa@gmail.com摘要这项研究研究了尼日利亚奥贡州水培技术的蔬菜农民对水培技术的看法。这项研究采用了两阶段的抽样技术来雇用320名蔬菜农民作为受访者。主要数据是通过有组织的访谈和结构化问卷收集的。使用描述性和推论统计来分析收集的数据。的调查结果表明，只有31.3％的人主要参与农业，生计多元化为49.4％，支持贸易/业务。另外，有35％的受访者属于合作社，而90％的受访者对水培法具有有利的看法。该研究检查了对水培法实践的限制，在该实践中，电源供应的关税排名第一。卡方检验的结果对受访者的社会经济特征与他们对水培技术农业技术的看法之间的关系结果表明，只有教育水平和合作社的成员资格表明关系显着。关键词：水培，蔬菜耕作，感知，约束，合作，教育引言农业是许多尼日利亚人的重要部门，是许多尼日利亚人的生活方式，几乎占了该国GDP的近25％，并雇用了70％的劳动力[11]。该研究建议，有关水培技术耕作的授权计划和知识获取计划应针对农民合作社成员的蔬菜农民，这是为了确保该计划的成功知识影响和积极影响。尽管具有经济意义，但尼日利亚的农业部门遇到了几个困难，这些困难会影响其产出[18]。土地终身制不良，农业灌溉不足，气候变化和土地退化是其中的一些挑战。其他因素包括资金不足，收获后损失，最少进入市场，低技术，高生产成本和投入分配不佳[18]。水培法源自希腊语hydro，即水和波诺斯，意思是工作。水培农业是涉及植物开发而无需使用土壤的植物的一种划分，植物从富含营养的水基溶液中获得所有重要的营养[5]。有多种水培方法可以在非土壤培养基中或直接在溶液中培养植物。
FC51J64SJTS1A (2C) eMMC 闪存 3.3V 64 Gbyte ...
表 1. 读/写性能 ................................................................................................................................................................ 1 表 2. 分区容量 ................................................................................................................................................................ 1 表 3. 订购信息 ................................................................................................................................................................ 1 表 4. 球描述 ................................................................................................................................................................ 6 表 5. OCR 寄存器 ............................................................................................................................................................. 7 表 6. CID 寄存器 ............................................................................................................................................................. 7 表 7. CSD 寄存器 ............................................................................................................................................................. 8 表 8. 扩展 CSD 寄存器 ................................................................................................................................................ 9 表 9. 总线信号电平 ................................................................................................................................................ 14 表 10. 高速设备接口时序 ................................................................................................................................................ 16 表 11. 向后兼容设备接口时序 ................................................................................................................................ 17 表 12. 高速双数据速率接口时序................................................................................................................................ 19 表 13. HS200 器件时钟时序.............................................................................................................................................. 20 表 14. HS200 器件输入时序................................................................................................................................................ 21 表 15. HS200 器件输出时序............................................................................................................................................. 22 表 16. HS400 器件输入时序............................................................................................................................................. 24 表 17. HS400 器件输出时序........................................................................................................................................................................................ 25 表 18. 总线信号线负载 ...................................................................................................................................................... 26 表 19. HS400 电容和电阻 ............................................................................................................................................. 26 表 20. 电源电压 ............................................................................................................................................................. 27 表 21. 功耗 ............................................................................................................................................................. 27 表 22. 推挽信号电平 - 高电压 ............................................................................................................................................. 28 表 23. 推挽信号电平 - 1.70V-1.95VV CCQ 电压范围 ............................................................................................. 28
FC51J16SJTS1A (2AF) eMMC 闪存 3.3V 16 Gbyte ...
表 1. 读/写性能 ................................................................................................................................................................ 1 表 2. 分区容量 ................................................................................................................................................................ 1 表 3. 订购信息 ................................................................................................................................................................ 1 表 4. 球描述 ................................................................................................................................................................ 6 表 5. OCR 寄存器 ............................................................................................................................................................. 7 表 6. CID 寄存器 ............................................................................................................................................................. 7 表 7. CSD 寄存器 ............................................................................................................................................................. 8 表 8. 扩展 CSD 寄存器 ................................................................................................................................................ 9 表 9. 总线信号电平 ................................................................................................................................................ 14 表 10. 高速设备接口时序 ................................................................................................................................................ 16 表 11. 向后兼容设备接口时序 ................................................................................................................................ 17 表 12. 高速双数据速率接口时序................................................................................................................................ 19 表 13. HS200 器件时钟时序.............................................................................................................................................. 20 表 14. HS200 器件输入时序................................................................................................................................................ 21 表 15. HS200 器件输出时序............................................................................................................................................. 22 表 16. HS400 器件输入时序............................................................................................................................................. 24 表 17. HS400 器件输出时序........................................................................................................................................................................................ 25 表 18. 总线信号线负载 ...................................................................................................................................................... 26 表 19. HS400 电容和电阻 ............................................................................................................................................. 26 表 20. 电源电压 ............................................................................................................................................................. 27 表 21. 功耗 ............................................................................................................................................................. 27 表 22. 推挽信号电平 - 高电压 ............................................................................................................................................. 28 表 23. 推挽信号电平 - 1.70V-1.95VV CCQ 电压范围 ............................................................................................. 28
神经元中GBA的缺失，而不是小胶质细胞，导致Gaucher小鼠模型中的神经退行性
gaucher病是最普遍的溶酶体储存疾病，是由GBA基因的纯合突变引起的，GBA基因负责编码酶葡萄糖脑培合酶。神经性高刺病与小胶质细胞增多症，星形胶质细胞增多和神经退行性有关。然而，小胶质细胞，星形胶质细胞和神经元在疾病中起着作用仍有待确定。在当前的研究中，我们开发了可诱导的，细胞型特异性的GBA -KO小鼠，以更好地了解GBA缺乏对小胶质细胞和神经元的影响。gba有条件地将仅在小胶质细胞或神经元或整个体内淘汰。这些小鼠模型是使用他莫昔芬诱导的CRE系统开发的，他莫昔芬给药开始于断奶时。小胶质细胞特异性GBA -KO小鼠没有疾病的迹象。然而，神经元特异性的GBA KO导致寿命缩短，体重减轻和共济失调。这些小鼠还具有明显的神经变性，小胶质细胞增多症和星形胶质细胞增多症，伴随着葡萄糖基酰胺和葡萄糖基肾上腺素的积累，概括了类似Gaucher病的症状。这些令人惊讶的发现表明，与神经元特异性的GBA缺乏不同，仅小胶质细胞特异性GBA缺乏并不能诱发疾病。中位生存率为16周的神经元乔ch病小鼠模型可能可用于将来的发病机理研究和疗法评估。