自 2007 年以来,D-Lightsys ® 收发器一直在军用和商用飞机上使用,并已被证明是要求苛刻的应用的完美解决方案。新的 10+ G 系列采用 D-Lightsys ® 技术,并提供独特的优势,包括非常小的占用空间和扩展的链路预算,适用于需要长期数据传输可靠性的应用。低功耗使这些模块特别适合机载应用(飞机、无人机、卫星)。
规格 WeOS 4 WeOS 操作系统由 Westermo 为其当前和未来的以太网硬件产品系列开发。该第 2 层和第 3 层交换解决方案使 Westermo 能够创建复杂的多媒体环形网络和路由解决方案。WeOS 不仅为许多具有挑战性的工业网络问题提供解决方案,而且还通过确保未来提供完全兼容的解决方案来帮助保护投资。WeOS 是我们最新以太网硬件系列的核心,允许创建复杂的多媒体环形网络和路由解决方案。
在Terahertz(THZ)频段的微型光子设备设想,可以为计算和未来无线通信的数据传输能力和集成密度带来显着增强。宽带硅波引物技术已不断成熟,以推动低损坏平台的集成解决方案。然而,在实现弯曲引起的损失和模式失真引起的弯曲程度不同的紧凑型波形平台时面临挑战。在这里,我们演示了用于多层芯片传输的多个弯曲的光子晶体波导平台。我们的硅互连设备表现出优化的弯曲半径与自由空间波长比为0.74,没有信号失真和透射带宽为90 GHz,代表355 GHz时的25.4%分数带宽。宽带波导互连通过通过多个载体发送复杂的调制数据来实现327 Gbps的汇总数据传输速率。这项工作增强了未来子孙后代的THZ光子集成电路的开发,高数据速率互连和无线通信,范围从第六到X代(6G到XG)。
DSP芯片是在高级填充过程中制造的,具有电吸附调制器驱动程序单一集成并与TX PHY输出共同设计。发射灯SIPHO 4通道粗波长度多路复用(CWDM)光子积分电路(PIC)是在塔中的半导体PH18DA过程中制造的[4]。图中显示了制造流的概念图。1(b):SOI晶圆是用光子设备模式的,然后将III-V模具粘合到晶片的顶部表面,并去除IIII-V模具底物。III-V设备区域进行了进一步处理和图案。最后,形成了线金属互连的后端。通过此过程,单个硅光子晶片可以支持多种类型的III-V设备功能。在此示例中,III-V增益区域用于形成可调激光器,并使用单独的IIII III III III-V电吸附状态形成异质硅/III-V电吸附调制器。将TX PIC翻转到金属有机底物上。低损坏的边缘耦合辫子工艺被用来将图片从图片中的光线搭配到SMF纤维,如图2a。
摘要 - 本文介绍了用于理解基于量子密钥分布(QKD)技术的任务 - 关键地铁级操作环境中高容量量子固定光通道的实施方面进行的实验研究。这项研究的测试床经过精心设计,以模仿此类环境。据我们所知,这是第一次是800 Gbps量子固定的光学频道 - 同时还与C波段上的其他几个密集波长的多路复用(DWDM)频道,并在O-Band上与QKD频道多发性频道 - 在O-Band上与QKD频道进行了多元频道,该频道以距离为100 km的距离,最多可用于实用的范围,可用于实用的范围。此外,在这些试验过程中,将在该建立的通道上运输区块链应用程序被用作证明在量子固定的光通道上确保过境中的金融交易。在现实世界中的操作环境中,这种高容量量子安全的光通道的部署与量子通道多路复用,将由于其严格的要求,例如高发射力和极化波动而不可避免地引入挑战。因此,在此过程中,对对系统性能的影响(尤其是在量子通道)的影响进行了实验研究,该影响是在现实世界中的几个降解因子中,包括渠道间干扰(包括拉曼散射和非线性散射和非线性效应),衰减,极化波动和距离的波动和距离依赖性。这项研究的发现铺平了在大容量,地铁规模,任务至关重要的操作环境中(例如Inter-DATA中心互连)中部署QKD的光通道的道路。
量子随机数生成器 (QRNG) 承诺生成完全不可预测的随机数。然而,以随机模型形式对随机数进行安全认证通常会引入难以证明或不必要的假设。两个重要的例子是将对手限制在经典机制中以及连续测量结果之间的相关性可以忽略不计。此外,不严格的系统特性会打开一个安全漏洞。在这项工作中,我们通过实验实现了一个不依赖于上述假设的 QRNG,其随机模型是通过严格的计量方法建立的。基于真空涨落的正交测量,我们展示了 8 GBit/s 的实时随机数生成率。我们的安全认证方法提供了许多实际好处,因此将在量子随机数生成器中得到广泛应用。特别是,我们生成的随机数非常适合当今的传统和量子加密解决方案。
本演讲是由JPMorgan Chase&Co。的全球技术应用研究中心为信息目的准备的。本演讲不是JPMorgan Chase&Co。或其分支机构研究部的产物。JPMorgan Chase&Co。或其任何关联公司都不明确或暗示代表或保证,也不承担与本演示文稿有关的任何责任,包括无限制,在本文所包含的信息的完整性,准确性或可靠性以及潜在的合法性,合规性,合规性,税收,税收,税收,税收效果。本文档不打算作为投资研究或投资建议,也不是作为购买或出售任何安全,金融工具,金融产品或服务的建议,要约或征集,也不是以任何方式用于评估参与任何交易的优点。
摘要 本文提出了一种30 Gbps 1.25 pJ/b光接收机模拟前端(Rx_AFE),主要由有源电压电流反馈跨阻放大器(AVCF-TIA)和交错有源反馈限幅放大器(LA)组成。通过在所提出的TIA中采用有源电压电流反馈技术,大输入电容得到很好的隔离,而不受低电源电压的限制,并且大大缓解了跨阻增益和输出极点频率之间的直接矛盾。同时,通过在LA设计中采用交错有源反馈技术进一步扩展了带宽。所提出的Rx_AFE采用40 nm bulk-CMOS工艺制造,跨阻增益为63.8 dBΩ,3 dB带宽为24.3 GHz。从电源电压 1.0 V 开始,当运行 30 Gbps PRBS 时,电路的功耗和功率效率分别为 37.5 mW 和 1.25 pJ/b。核心电路占用的芯片面积为 920 µ m × 690 µ m。关键词:光接收器、跨阻放大器 (TIA)、有源电压-电流反馈、交错有源反馈、限幅放大器 (LA)、CMOS。分类:集成电路(存储器、逻辑、模拟、RF、传感器)
摘要 本文提出了一种30 Gbps 1.25 pJ/b光接收机模拟前端(Rx_AFE),主要由有源电压电流反馈跨阻放大器(AVCF-TIA)和交错有源反馈限幅放大器(LA)组成。通过在所提出的TIA中采用有源电压电流反馈技术,大输入电容得到很好的隔离,而不受低电源电压的限制,并且显著缓解了跨阻增益和输出极点频率之间的直接矛盾。同时,通过在LA设计中采用交错有源反馈技术,带宽进一步扩展。所提出的Rx_AFE采用40 nm bulk-CMOS工艺制造,跨阻增益为63.8 dB Ω,3 dB带宽为24.3 GHz。从电源电压 1.0 V 开始,当运行 30 Gbps PRBS 时,电路的功耗和功率效率分别为 37.5 mW 和 1.25 pJ/b。核心电路占用的芯片面积为 920 µ m × 690 µ m。关键词:光接收器、跨阻放大器 (TIA)、有源电压-电流反馈、交错有源反馈、限幅放大器 (LA)、CMOS 分类:集成电路(存储器、逻辑、模拟、RF、传感器)