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柔性硝酸钛/锗− -tin光电探测器...
图1（a）柔性锡/GESN异质结的示意图PDS：（a-i）形成蚀刻孔阵列以促进随后的底切进程。（A-II）HF底切以释放GESN膜，然后在PET底物上进行翻转。（A-III）通过溅射锡形成矩形异质结。（A-IV）NI接触的沉积。（A-V）和（A-VI）分别通过凹形和凸弯曲固定装置应用外部单轴拉伸和压缩菌株。（b）柔性锡/GESN PD的光学图像及其在显微镜图像中放大。图1概述了柔性锡/GESN异质结PD的制造过程。准备
通过快速热退火改善应变GeSn/Ge多量子阱的短波红外响应 赵浩晨 1 ，林光阳 2 ，C
通过快速热退火改善应变 GeSn/Ge 多量子阱的短波红外响应 Haochen Zhao 1、Guangyang Lin 2、Chaoya Han 3、Ryan Hickey 1、Tuofu Zhama 1、Peng Cui 1、Tienna Deroy 4、Xu Feng 5、Chaoying Ni 2 和 Yuping Zeng 1,* 1 美国特拉华大学电气与计算机工程系，美国特拉华州纽瓦克 19716 2 厦门大学物理系，福建省厦门 361005 3 美国特拉华大学材料科学与工程系，美国特拉华州纽瓦克 19716 4 美国特拉华大学化学与生物化学系，美国特拉华州纽瓦克 19716 5 美国特拉华大学表面分析设施，美国特拉华州纽瓦克 19716电子邮件: yzeng@udel.edu
ge/gesn纳米线用于中红外感测和成像
虽然子宫内膜异位症研究受到慢性资金不足的困扰，但这是进步的唯一限制吗？鉴于我们当前的知识，我们是否应该完全重新考虑研究方向？在这场辩论中，一些世界领先的研究人员将领导讨论这些问题。我们是否继续建立在子宫内膜异位研究的关键领域已经取得的进步，还是放弃这些途径并尝试一种全新的新方法。谁会随着子宫内膜异位症世界的这些巨人的胜利解决这个基本问题。
![引用：R Cheng，Z Chen，S C Yuan，M Takeaka，S Takagi，G Q Han和R Zhang，GE和GESN MOSFET的移动性增强技术[J]。 J. Semico](/simg/g:\will\search\icon\source\5\55d067308d0cfb297fafb18c475789cd624e8ccf.webp)
引用：R Cheng，Z Chen，S C Yuan，M Takeaka，S Takagi，G Q Han和R Zhang，GE和GESN MOSFET的移动性增强技术[J]。 J. Semico
在过去的几十年中，SI金属 - 氧化物 - 氧化物 - 官方局部效应晶体管（MOSFET）的设备缩放缩放，遵循摩尔定律，驱动了构成金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 溶剂导体（CMOS）集成的cir- cir- cir- cir- cir- cir- cir- cir-cuits的快速发展[1-3]。最近，随着常规设备缩放的物理极限，Si mosfets的性能提高越来越难以实现[4]。较高的Channel迁移率有效地改善了MOSFET的性能，通过应用扭曲的SI技术，这已经很好地证明了这一点[5，6]。但是，仍然需要先进的MOSFET技术来进一步提高CMOS设备的性能。移动性高于SI的替代通道材料引起了人们对改善MOSFET性能的极大兴趣。在这些高迁移率材料中，GE和GESN由于其高迁移率以及SI平台上的出色整体性而有希望[7-12]。
Wafer -Scale纳米结构的黑色硅具有形态...
Black-Si（B-SI）提供宽带光防反射已成为光电探测器，光电催化，传感器和光伏设备的多功能底物。然而，常规的制造方法具有单一形态，低产量或脆弱性。在这项工作中，我们提出了一种高收益CMOS兼容的技术，可生产具有不同随机纳米结构的6英寸晶片尺度B-SI。B-SI是通过o2 /sf 6基于si晶片的基于O 2 /sf 6等离子体的反应离子蚀刻（RIE）来实现的，该反应离子蚀刻（rie）被GESN层覆盖。在初始GESN蚀刻过程中形成的Sno X F Y层的稳定网格充当了自组装的硬掩模，用于形成亚波长的SI纳米结构。b-Si，例如纳米孔，纳米酮，纳米霍尔，纳米霍克和纳米线。此外，在近红外（NIR）波长范围（1,000-1,200 nm）处B-SI金属 - 溶液中的（MSM）光电探测器的响应能力比平面SI MSM MSM光电量的平面SI MSM光电量高40-200％，对黑暗电流的水平相同，对光元素的应用中有益于光子元素，并在光元素中的应用和光元素的应用。这项工作不仅展示了一种制造晶圆尺度的B-Si晶片的新的非印刷方法，而且还可以提供一种新颖的策略，以使用形态工程制造其他纳米结构表面材料（例如GE或III-V的化合物）。
拉伸应变锗微结构
并无需使用载流子注入即可增强电光调制。与此同时，人们正在努力实现完全集成在硅基平台中的发光器，作为 III – V 族材料的经济高效的替代品。这方面的两个主要途径是使用 Ge 及其与 Si 和 Sn 的合金，以及应变工程。硅 – 锗 – 锡 (GeSn) 合金可能是一种很有前途的解决方案 [4]，因为它的能带结构可以通过其成分来控制，从而在宽光谱范围内实现高发射效率，但这些三元合金对材料生长提出了一些技术挑战。[5] 能带结构控制的替代途径是在 Ge 和 GeSn 合金中引入拉伸应变。这里的目标是利用拉伸应变来降低导带 L 和 Γ 最小值之间的能垒，实现准直接带隙材料，从而提高辐射效率。此外，拉伸应变的作用是消除重空穴 (HH) 和轻空穴 (LH) 价带之间的简并性，并降低导带和价带之间的能量差，[6,7] 从而提供对带隙的所需控制。这些能带结构效应可以通过光致发光 (PL) 实验揭示，而半导体中应变的关键测量可以使用拉曼光谱来实现。机械变形会显著影响 PL 发射、谷分裂的不均匀性或重叠
pic -integenter，均匀的056％tensile trains trains ge -on ...
摘要：机械应变工程对于许多集成的光子应用一直很有希望。然而，对于材料电子带隙的工程，应变均匀性与与光子集成电路（图片）的集成兼容性之间存在权衡。在此，我们采用了氮化硅（SIN X）应激源的简单凹陷型设计，以达到均匀的应变，并在图片上感兴趣的材料中具有增强的幅度。正常的，均匀的0.56％薄层紧张的锗（GE） - 隔离剂（GOI）金属 - 肌电指挥剂 - 金属光二极管。该设备在1,550 nm时表现出1.84±0.15 A/W。在1,612 nm处提取的GE吸收系数增强了〜3.2×至8,340 cm -1，并且优于0.53 Ga 0.47的高度，最高为1,630 nm，受测量光谱限制。与非衰退的设备相比，观察到C频带中的额外吸收系数改善10％至20％，在L频带中观察到40％至60％。这项工作促进了自由空间PIC应用的凹陷GOI光电二极管，并为各种铺平了道路（例如ge，GESN或III-V基于图片上均匀紧张的光子设备。
debasri sahaAbhijit Biswas
校长研究者：A。Biswas教授，共同投资者：A。Mallik教授CSIR资助（2012-2015）（ii）（ii）标题：基于硝酸盐的灯光发射二极管研究，以实现增强绩效绩效首席研究员的研究人员：SERB（SERB（SERB）（2013-2017）（III II）（III II）（III II）（III II）（III II）（III II）（III II）（III II）（III II）（III II）（III II）（III II）（III II）（III II）（III II）（III II）（III II）。从2015年起生效。首席研究员：S。Pandit博士，共同投资者：Meity（IV）资助的A. Biswas教授（IV）标题：有关高移动性IIII IIII IIII III-V，GE和GESN NANO CMOS设备的调查，包括类似/RF的放射效应以及由SERB资助的逻辑应用程序，奖学金/奖项/认可/荣誉：（i）。大学赠款委员会（UGC）研究奖的获得者（2012-2014）（ii）。工程师研究所（FIE）的研究员（III）。生活成员，印度体育社会（IV）。终身会员，电子和电信工程师机构（IETE），印度（V）。终身会员，科学家，工程师和技术人员论坛（FOSET），加尔各答（VI）。成员，IEEE电子设备协会和光子协会（VII）。比利时国际互联网微电子中心（IMEC）的博士研究工作（2007年）。（viii）2019年8月获得了全球经济进步与研究协会的“印度最佳公民金牌奖”。7。在以下期刊中担任审稿人：国际：（a）IEEE Electron。设备lett。（b）IEEE Trans。电子设备（C）IEEE量子电子杂志（D）IEEE Trans。Nanotechnology (e) Superlattices and Microstructures (f) Optics & Laser Technology (g) Microelectronics Reliability (Elsevier) (h) Materials Science in Semiconductor Processing (Elsevier) (i) Microsystem Technologies (Springer) (j) IET Circuits, Devices and Systems (k) Journal of Optical Communications (i) Semiconductor Science and Technology National: (a) IETE研究杂志（b）国防科学杂志8。与国际会议Micro-2018相关的Microsystem Technologies（Springer）期刊编辑。
Abigail Nieves Delgado b i o g r a p h y 通过粘附光刻悬浮的单层石墨烯 2月10日星期一 年轻，青少年大脑的科学和及时的职业决定 ge/gesn纳米线用于中红外感测和成像 2025年5月21日，星期三 葡萄牙经济的Azorean海事与与海事相关的活动... 通过金属有机化学蒸气沉积的2D半导体的合成和掺杂 Lumit细胞因子传单 - hibit蛋白质标签 fady R. Mohareb 活细胞中的激酶目标参与 katja pinker-domenig博士 北极冬季冰的气候和年际变异性在ICESAT-ERA Moiré材料 自动移动机器人
我是乌得勒支大学弗洛伊达尔研究所的副教授。我的研究专注于生命科学的历史和哲学。我的研究的主要目的是停止科学和社会中的种族主义。为此，我研究了科学史以及当代生物医学研究（例如，在微生物组研究和表观遗传学）和生物识别技术（例如面部识别）中的种族化实践。我还调查了拉丁美洲的跨学科知识生产和民族生物学历史的政治。我是由荷兰研究委员会（NWO）资助的“微生物组研究与种族”项目的主要研究者（2024-2029）。