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发现巨细菌：我们需要改变微生物的定义吗？
随着细菌大小的增加，表面积随着细胞体积的增加而不会增加。细菌取决于扩散物质从环境转移到细胞以及细胞内运输。单元格越大，表面积与体积比率越小。例如，该值从直径分别为10或100 um的单元格的球形单元的6下降，直径为1 um和0.6和0.06。5–7这可能会影响细菌的代谢率。这些大细菌如何解决这个问题？epulopiscium spp。具有高度折叠的细胞膜，可实现细胞表面积的增加。t Magnifica具有包含DNA和核糖体的膜结合的膜囊。8这使得可以对蛋白质和其他细胞分子进行局部合成，而无需长距离行驶的分子。此外，大型中央液泡的存在推动了大细胞周围的细胞质，进一步避免了长距离运输分子的需求。
光遗传学激活果蝇幼虫中巨型 GABA 能中枢脑中间神经元的奖励能力
1 莱布尼茨神经生物学研究所，学习和记忆遗传学系，马格德堡，39118，德国，2 莱比锡大学生物研究所动物生理学系，莱比锡，04103，德国，3 莱比锡大学生物研究所遗传学系，莱比锡，04103，德国，4 魏茨曼科学研究所分子细胞生物学系，雷霍沃特，7610001，以色列，5 亚琛工业大学成像和计算机视觉研究所，亚琛，52074，德国，6 波多黎各大学医学科学园区神经生物学研究所，旧圣胡安，波多黎各，00901，7 剑桥大学生理学、发育和神经科学系，剑桥，CB2 3EL，英国，8 珍妮莉亚研究园区，霍华德休斯医学研究所，阿什本， 20147，弗吉尼亚州，9 莱布尼茨神经生物学研究所，组合神经影像核心设施，马格德堡，39118，德国，10 加利福尼亚大学，分子，细胞和发育生物学系，加利福尼亚州洛杉矶 90095-1606，11 巴黎萨克雷大学，国立科学研究中心，巴黎萨克雷神经科学研究所，萨克雷，91400，法国，12 行为脑科学中心，马格德堡，39106，德国，13 奥托冯格里克大学生物学研究所，马格德堡，39120，德国
通过电流诱导相变对范德华磁体磁阻进行巨大调节
有效的磁化控制是磁学和自旋电子学的核心问题1-8。特别是，对于具有非常规功能的自旋电子器件，对范德华 (vdW) 磁体中磁态的多功能操控的需求日益增加9-13。已经实现了通过自旋扭矩对 vdW 磁体进行磁化切换的电控制，但在没有外部磁场的情况下铁磁状态到反铁磁状态之间的电流诱导相变尚未得到证明12,14,15。在这里，我们报道了电流诱导的 vdW 铁磁体 Fe 5 GeTe 2 中的磁相变，从而产生了巨磁电阻。基于磁输运测量和相关理论分析，我们证明该转变是通过平面电流诱导的跨 vdW 间隙电压差在各层中依次发生的。 34 Fe 5 GeTe 2 中磁相的电流可调性为磁性能的电控制开辟了一条道路，扩展了我们将 vdW 磁体用于各种自旋电子器件应用的能力。36
可打印且可拉伸的巨型磁磁性传感器，用于高度合规和皮肤符合电子产品
事物（IOT）。[9]这些库存的设备的核心是建立高度适应性和皮肤的功能元素，能够通过日常生活的各个方面或通过响应Electials的各个方面或跟踪位置，运动和手势来对环境变化进行重新变化，[2,10]磁性，[2,6,8,11]，[5,6,8,11] [5,6,8,11]和Thermal [12]和Thermal [13]。解决方案可以加工的印刷技术对于实现人类交互式和高度合规的设备非常有吸引力，因为它们简单，成本效益且适应于自由定义的功能元素的各种材料。[14-17]关于印刷电子产品的最新报告揭示了可以准备机械性能的可拉伸印刷传感器（应变，力，压力和弯曲），[18-21]，这些传感器与人工互动系统，人工智能，先进的ProSthetics和Humanoid Robots中的人际关系系统中有关。要实现合规的电子产品，[22]最先进的方法依赖于直接在超薄聚合物箔上的有机和无机材料的薄膜沉积和光刻处理。[23–25]朝着全印刷的可拉伸电子产品[19,26]和可拉伸的薄膜磁通电子的方向取得了令人兴奋的进度。[27]但是，尚未证明将磁电传感器的可打印和伸展质量结合在一起。这些高领域对于皮肤设备是不可接受的，因为世界卫生组织（WHO）规定的持续展示限制小于40 mt。我们在各种机械上不可察觉的功能元件中，符合磁场传感器及其动作距离距离，可以依靠周围的磁场启用无触摸的对皮肤间的活动，用于从人机相互作用到非vasive医学诊断的应用。[5,11,28]与基于箔的磁电机，印刷的磁敏感设备的出色机械和磁化性能形成鲜明对比[29-33]，相当僵硬，支持弯曲到半径超过1 cm [30]，到目前为止，它已用于检测高磁场的高磁场。[34,35]即使对于最佳的印刷磁场传感器，这些传感器基于巨型磁场（GMR）效应，相关场范围的灵敏度也很差。
CRISPR屏幕在IPSC衍生的神经元中揭示了tau proteostasis
摘要：巨型单层囊泡（GUV）的产生在各种科学学科，尤其是在合成细胞的发展中起关键作用。尽管存在许多用于GUV准备的方法，但经过修改的连续液滴界面交叉封装（CDICE）方法提供了简单性和高封装效率的优势。但是，该技术的一个重要局限性是囊泡的产生，具有较大的尺寸分布，无法控制所需的尺寸范围。这提出了一个关键问题：是否可以优化修改的CDICE方法以生产具有控制尺寸分布的GUV？在这项研究中，我们检查了两个实验参数的效果：CDICE室的旋转时间（T腐）和角频率（ω）在GUV的尺寸分布中。我们的结果表明，减少角频率或旋转时间将尺寸分布转移到较大的囊泡，从而实现有效的尺寸选择。这些发现得到了物理模型的进一步支持，该模型提供了对尺寸选择基础机制的见解。这项工作表明，可以通过直接调整系统参数来控制对GUV尺寸分布的控制。微调囊泡尺寸的能力为研究人员提供了一种强大的工具，用于开发可定制的用于合成生物学和相关领域的实验系统。关键字：GUV，合成细胞，CDICE，大小选择
光遗传学激活果蝇幼虫中巨型 GABA 能中枢脑中间神经元的奖励能力
1 莱布尼茨神经生物学研究所，学习和记忆遗传学系，马格德堡，39118，德国，2 莱比锡大学生物研究所动物生理学系，莱比锡，04103，德国，3 莱比锡大学生物研究所遗传学系，莱比锡，04103，德国，4 魏茨曼科学研究所分子细胞生物学系，雷霍沃特，7610001，以色列，5 亚琛工业大学成像和计算机视觉研究所，亚琛，52074，德国，6 波多黎各大学医学科学园区神经生物学研究所，旧圣胡安，波多黎各，00901，7 剑桥大学生理学、发育和神经科学系，剑桥，CB2 3EL，英国，8 珍妮莉亚研究园区，霍华德休斯医学研究所，阿什本， 20147，弗吉尼亚州，9 莱布尼茨神经生物学研究所，组合神经影像核心设施，马格德堡，39118，德国，10 加利福尼亚大学，分子，细胞和发育生物学系，加利福尼亚州洛杉矶 90095-1606，11 巴黎萨克雷大学，国立科学研究中心，巴黎萨克雷神经科学研究所，萨克雷，91400，法国，12 行为脑科学中心，马格德堡，39106，德国，13 奥托冯格里克大学生物学研究所，马格德堡，39120，德国
增强的X射线发射与螃蟹脉冲星的巨型无线电脉冲一致
teruaki enoto 1† *，toshio terasawa 2,3,4† *，shota kisaka 5,6,7† *，下巴hu hu 1,8,9† *，塞巴斯蒂安·吉洛特10，塞巴斯蒂安·吉洛特10，Natalia Lewandowska 11，Natalia Lewandowska 11，Christian Malacaria 12,13，Christian Malacaria 12,13,13,13，Paul S. Ray 14，Wiyn wyn wyn wyn wyn wyn wyn wiy n.ho 11,15，爱丽丝·K Ick Foster 24，Yasuhiro Murata 25,26,27，Hiroshi Takeuchi 25,27，Kazuhiro Takefuji 26,28，Mamoru Sekido 28，Yoshinori Yonekura 29，Hiroaki Misawa 30，Fuminori Tsuchiya Tsuchiya 30，Takahiko Aoki 31，Takahiko aoki 31，Muntechi 32，Munthy 32 ，35，Tomoaki Oyama 33，Katsuaki Asano 2，Shinpei Shibata 36，Shuta J. Tanaka 37
二维范德华异质结构中的电气可调巨型Nernst效果
图S4。 扫描跨INSE通道的NERNST效果的光电流图：（a）设备示意图显示了跨INSE通道的GR/5L-INSE异质结构和电气检测的照明。 在此示意图之后，任何测得的电流都被迫流过半导体。 （b）与扫描光电流图同时测量的感兴趣区域的激光反射图。 这种测量使我们能够将激光的位置与观察到的信号相关联。 被选中的位置分别标记为石墨烯和INSE/石墨烯异质结构的位置1和2分别为位置（c）Nernst效应信号记录了不同的磁场和50µW的激光照明和50µW的激光照明和V_G = 0 V的位置1和2，位于1和2的位置，在1和2中亮着，在1和2的位置上，在Chemaine ElectereDere和Hersossctuction上闪闪发光。 裸露的石墨烯信号以蓝色显示，通过一个数量级放大，以更好地突出两条曲线之间的斜率差异。 进行测量是没有任何应用偏差的，因为它会掩盖Nern的效果，从而诱导图片中的其他光电流机制。 （d）扫描光电流图显示了在完整设备上的完整设备的测得的光电流，以-1T的施加了平面外电场。 （e）和（f）分别为0T和1T显示的类似扫描光电流图。图S4。扫描跨INSE通道的NERNST效果的光电流图：（a）设备示意图显示了跨INSE通道的GR/5L-INSE异质结构和电气检测的照明。在此示意图之后，任何测得的电流都被迫流过半导体。（b）与扫描光电流图同时测量的感兴趣区域的激光反射图。这种测量使我们能够将激光的位置与观察到的信号相关联。被选中的位置分别标记为石墨烯和INSE/石墨烯异质结构的位置1和2分别为位置（c）Nernst效应信号记录了不同的磁场和50µW的激光照明和50µW的激光照明和V_G = 0 V的位置1和2，位于1和2的位置，在1和2中亮着，在1和2的位置上，在Chemaine ElectereDere和Hersossctuction上闪闪发光。裸露的石墨烯信号以蓝色显示，通过一个数量级放大，以更好地突出两条曲线之间的斜率差异。进行测量是没有任何应用偏差的，因为它会掩盖Nern的效果，从而诱导图片中的其他光电流机制。（d）扫描光电流图显示了在完整设备上的完整设备的测得的光电流，以-1T的施加了平面外电场。（e）和（f）分别为0T和1T显示的类似扫描光电流图。