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当经济衰退时慈善捐赠会发生什么？
不。总体而言，过去 64 年来，扣除通货膨胀因素后，捐赠总额年均增长率为 3.3%。但如果将经济增长与经济萎缩时的情况进行比较，情况就会有所不同。经济增长的年份，平均捐赠额增长了 4.7%。经济衰退的年份，平均捐赠额实际上下降了 0.5%。
战略计划2023-2027
氦艺术成立于2010年，从那以后成倍增长。我们的最后五年策略使我们接触了3,000名儿童，包括在大流行期间重新构想我们的模型。通过Creative Ireland确保艺术委员会和四个政府部门的信托和投资，我们的年收入已从15万欧元增至60万欧元。我们的影响报告始终显示我们的工作与儿童健康的增加之间的连通性。
芦荟和...
芦荟的故事植物芦荟的历史可以追溯到圣经时代。芦荟植物不是仙人掌，而是树莉莉家族的成员，称为芦荟。它在春季产生一朵管状黄花，是百合家族的典型特征。世界各地种植的芦荟超过250种。商业上只有两种物种：芦荟Barbadensis Miller和Aloe Aborescens。芦荟植物在温暖的热带地区种植，无法在冰冻温度下生存。在美国，大部分芦荟都在南德克萨斯州，佛罗里达州和南加州的里奥格兰德谷种植。在国际上，可以在墨西哥，太平洋国家，印度，南美，中美洲，加勒比海，澳大利亚和非洲找到芦荟。芦荟植物的最初用途是生产芦荟，这是一种黄色的SAP多年来用作制药行业的泻药成分。另一种主要成分：芦荟凝胶，一种清晰无色的半固体凝胶，也稳定和销售。这种芦荟凝胶从50年代开始，作为一种商品，作为营养饮料的基础，作为保湿剂，以及化妆品和OTC药物中的治愈剂的尊重。化学分析表明，这种透明的凝胶含有氨基酸，矿物质，维生素，酶，蛋白质，多糖和生物刺激剂。有关更多信息，请访问芦荟研究链接。公共利益是芦荟已经迅速增长，现在对芦荟的各种组成部分进行了大量研究，以找到我们对其性质的更多信息并表征这些成分，以便更具体的研究可以为芦荟归因于“魔术”的线索。
采用 SI 和 GE 模板的无切口晶圆方法，用于 SI、GE 和 III-V 外延
摘要：我们致力于将 CZ 晶片转移到具有多孔分离层的可重复使用衬底上的外延生长 Si 和 Ge 晶片（“无切口晶片”），以减少材料和能源消耗。我们报告了将无切口晶片方法应用于 Si 和 Ge 晶片的进展。对于 Si，多年来，我们在自制的 CVD 反应器（“RTCVD”）中开发模板和外延生长晶片（SiEpiWafers），现在使用新的微电子 CVD 反应器（“PEpi”）将它们的质量提升到一个新的水平，这使我们能够生长具有可调厚度和掺杂水平（n 型和 p 型）的 6 英寸和 156x156 mm²（M0）外延 Si 晶片。在第一次测试运行中，我们实现了高达 840 µs 的生长寿命和约 10% 的总厚度变化。对于 Ge，我们成功开发并理解了多孔层堆栈，从而获得了 4 英寸可拆卸 Ge 模板，用于未来的 Ge 或 III-V 外延生长。
通过一致反馈抑制控制酶活性*
最近的研究-4关于微生物中天冬氨酸家族氨基酸生物合成的最终产物调节的研究揭示了存在几种神经控制模式。本报告描述了在光合细菌中观察到的一种现象，该现象为一个控制方案提供了一个基本元素，即，在分支的生物合成途径中，通过两种氨基酸源产物的同时作用。我们认为，这种效应可能被认为是一致的反馈抑制，它将被证明具有一般意义，尤其是在分支或相互连接的生物合成途径中。Materials and Methods.-Growth of bacteria: The strain of Rhodopseudomonas capsulatus used was a new isolate, with properties closely corresponding to those described by van Niel.5 It was grown photosynthetically in a synthetic medium identical to that specified by Ormerod et al.,6 except that the nitrogen source was 0.1 per cent L-glutamate instead of ammonium sulfate, and thiamine添加盐酸盐（1 mg/L）代替生物素。细胞，以制备提取物。酶制备：提取物是通过悬浮在0.05 m磷酸钾 + 0.02 m的声音破坏（10-kc示波器）中制备提取物，在氩气的大气下，磷酸钾 + 0.02 m，F-磁乙醇缓冲液pH 7.2。通过以18,500 x g离心30分钟来阐明Sonicate，然后在30,000 rpm下进行第二个离心16小时（Spinco RotorN1O。30）。饱和硫酸铵溶液，
esee1206.pdf
Study of Optoelectronic Properties and Density Functional Theory of Kesterite Cu 2 ZnSnS 4 Thin Film Grown by Facile Solution Growth Technique Nanasaheb P. Huse 1,* Harshal P. Borse, 2 Gourisankar Roymahapatra 3 and Ramphal Sharma 4 Abstract Facile solution growth technique was implemented to deposit nanostructured Cu 2 ZnSnS 4 (CZTS) Kesterite薄膜到玻璃基板上。AR级硫酸锌，硫酸铜，硫酸盐和硫酸盐用于制备前体溶液。种植的CZTS薄膜被表征为研究其结构，光学和电性能。CZTS薄膜的Kesterite结构已从X射线衍射模式中得到证实。计算出的晶格参数与标准报告的值非常吻合。光学性质显示kesterite czts膜在可见区域具有较高的吸收。从TAUC的图中获得带隙能量，该图被发现为〜1.7 eV，位于太阳光谱具有较高辐照度的范围内导致较高的光吸收。理论带结构是通过基于GGA近似的DFT计算获得的，GGA近似显示了直接带隙约为0.6 eV。i-V测量已在黑暗中进行，并在光线照明下进行，导致在黑暗和光照射下产生高光电流。计算了光敏性和光响应率，发现〜60％和70 µA/w，证明了其对太阳能电池的有希望的候选人资格。
2025-2027 战略计划
过去十年，基金会对 NDSU 的影响急剧增长。已筹集超过 7.25 亿美元。截至 2024 年 9 月，我们的捐赠价值已从 2015 年的 1.34 亿美元增长至近 5 亿美元，直接支持学生奖学金、教师教学和研究、体育和其他项目。对校园的支持（根据捐赠者意向支出的金额）已从 2015 年每年 520 万美元（不包括设施）增加到 2024 年的约 2300 万美元。
