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比奇中学八年级学生最近享受了一次华盛顿特区之旅，其中包括在葛底斯堡停留。此次旅行的亮点包括国会大厦、新闻博物馆、国家大教堂、使馆区、杰斐逊纪念堂、史密森尼博物馆、大屠杀纪念馆、肯尼迪中心、林肯纪念堂和越南墙。此次旅行包括参观弗农山庄，在那里学生们参观了华盛顿的故居和种植园，以及参观了阿灵顿国家公墓，在那里他们在无名烈士墓前献上了花圈。学生们还观看了“约瑟夫和彩色梦想 qpat”的表演。参加此次旅行的八年级学生有 David Ahrens、Courtney Aili、Bryan Aldrich、Terence Arnold、Robyn Bailey、Andrea Ball、SbenaBail、Clifton Ballard、Andrea Bassett、Rachel Bazydlo、Kerri Bean、Kyle Bear 和 Marcus Benedict。布列塔尼·贝内特 (Brittany Bennett)、肖恩·伯格曼 (Shawn Bergman)、丹尼尔·宾格 (Daniel Binge)、萨曼莎·博格丹斯基 (Samantha Bogdanski)、杰米·拉夫 (Jamie Rougher)、乔丹·博伊斯 (Jordan Boyce)、惠特尼·布兰森 (Whitney Branson)、丹尼尔·布伦南 (Daniel Brennan)、帕特里克·布鲁克斯 (Patrick Brooks)、杰西卡·伯曼 (Jessica Burman)、肖恩·布什 (Shaun Bush)、黑尔·巴特勒 (Hale Butler)、约翰·卡勒里 (John Callery)、安东尼·奇奥多 (Anthony Chiodo)、布兰登·科菲 (Branden Coffey)、马修·柯林斯 (Matthew Collins)、布雷特·康芒 (Brett Common)、雷切尔·科瑟 (Rachel Corser)、埃里夫塔·科特 (Erifta Cote)、史蒂文·克鲁斯 (Steven Crews)、布莱恩·切尔温斯基 (Brian Czerwinski)、斯宾塞·丹尼尔斯 (Spencer Daniels)、艾米丽·道特 (Emily Dault)、珍妮弗·德沃尔 (Jennifer DeWall)、安娜·德罗 (Anna Drow)、约翰·邓恩 (John Dunn)、布拉德利·埃德加 (Bradley Edgar)、内森·艾森伯格 (Nathan Eisenberg)、约翰·恩格尔伯特 (John Engelbert)、迈克尔·恩斯特 (Michael Ernst)、贾斯汀·埃施 (Justin Esch)、本杰明·费斯 (Benjamin Faeth)、布赖恩·费尔德坎普 (Brian Feldkamp)、约书亚·菲什 (Joshua Fish)、杰弗里·菲奇 (Jeffery Fitch)、瑞安·福特 (Ryan Ford)、娜塔莉·福希 (Natalie Forshee)、霍莉·方丹 (Hollie Fountain)、雷切尔·根茨 (Rachel Gentz)、Nlchole Gtbbs-Risner、艾伦·吉莱切克 (Alan Gileczek)。金
无钴模块化双移动
[1] https://aoanjrr.sahmri.com/annual-reports-2020。[2] F. Farizon、R. de Lavison、JJ Azoulai、G. Bousquet。无水泥氧化铝涂层双活动杯的结果：一项为期 12 年的随访研究。国际骨科杂志。1998；22(4) : 219-224。[3] C. Batailler、C. Fary、R. Verdier、T. Aslanian、J. Caton、S. Lustig。双活动杯的结果和适应症的演变：系统评价。[4] MS Abdelaal、E. Zachwieja、PF Sharkey。全髋关节置换术中发现模块化双活动髋臼部件严重腐蚀。关节置换术今日 8 (2021) 78-83。 [5] R. Civinini、A. Cozzi Lepri、C. Carulli、F. Matassi、M. Villano、M. Innocenti。使用模块化双活动假体和钴铬内金属头进行全髋关节置换术后患者血清金属离子水平升高的风险。《关节成形术杂志》35 (2020) S294-S298。[6] JM Kolz、CC Wyles、DW Van Citters、RM Chapman、RT Trousdale、DJ Berry。模块化双活动假体的体内腐蚀：一项检索研究。《关节成形术杂志》2020；35 (11): 3326-3329。[7] KA Sonn、RM Meneghini。模块化双活动结构中髋臼腐蚀引起的不良局部组织反应。《今日关节置换术》第 6 卷 (2020) 976-980 页。[8] WC Witzleb、J. Ziegler、F. Krummenauer、V. Neumeister 和 KP Guenther。《金属对金属全髋关节置换术和髋关节表面置换术中铬、钴和钼的暴露》。《矫形学报》2006 年；77:5, 697-705 页。[9] I. De Martino、GK Triantafyllopoulos、PK Sculco 和 TP Sculco。《全髋关节置换术中的双活动杯》。《世界矫形学杂志》2014 年；5(3): 180-187 页。
无钴模块化双移动
[1] https://aoanjrr.sahmri.com/annual-reports-2020。[2] F. Farizon、R. de Lavison、JJ Azoulai、G. Bousquet。无水泥氧化铝涂层双活动杯的结果：一项为期 12 年的随访研究。国际骨科杂志。1998；22(4) : 219-224。[3] C. Batailler、C. Fary、R. Verdier、T. Aslanian、J. Caton、S. Lustig。双活动杯的结果和适应症的演变：系统评价。[4] MS Abdelaal、E. Zachwieja、PF Sharkey。全髋关节置换术中发现模块化双活动髋臼部件严重腐蚀。关节置换术今日 8 (2021) 78-83。 [5] R. Civinini、A. Cozzi Lepri、C. Carulli、F. Matassi、M. Villano、M. Innocenti。使用模块化双活动假体和钴铬内金属头进行全髋关节置换术后患者血清金属离子水平升高的风险。《关节成形术杂志》35 (2020) S294-S298。[6] JM Kolz、CC Wyles、DW Van Citters、RM Chapman、RT Trousdale、DJ Berry。模块化双活动假体的体内腐蚀：一项检索研究。《关节成形术杂志》2020；35 (11): 3326-3329。[7] KA Sonn、RM Meneghini。模块化双活动结构中髋臼腐蚀引起的不良局部组织反应。《今日关节置换术》第 6 卷 (2020) 976-980 页。[8] WC Witzleb、J. Ziegler、F. Krummenauer、V. Neumeister 和 KP Guenther。《金属对金属全髋关节置换术和髋关节表面置换术中铬、钴和钼的暴露》。《矫形学报》2006 年；77:5, 697-705 页。[9] I. De Martino、GK Triantafyllopoulos、PK Sculco 和 TP Sculco。《全髋关节置换术中的双活动杯》。《世界矫形学杂志》2014 年；5(3): 180-187 页。
3.4 迈向硅代工厂兼容、高性能、0.25 微米栅极、高阻 200 毫米硅上的 GaN MMIC 工艺，采用 Cu 镶嵌 BEOL
在高电阻率 200 mm <111> Si 上采用 Cu 大马士革 BEOL 工艺开发与 Si 代工厂兼容的高性能 ≤0.25 µm 栅极 GaN-on-Si MMIC 工艺 Jeffrey LaRoche 1 、Kelly Ip 1 、Theodore Kennedy 1 、Lovelace Soirez 2 、William J. Davis 1 、John P. Bettencourt 1 、Doug Guenther 2 、Gabe Gebara 2 、Tina Trimble 2 和 Thomas Kazior 1 1 Raytheon IDS Microelectronics，362 Lowell St.，Andover，MA 01810 电子邮件：jeffrey_r_laroche@raytheon.com 电话：(512)-952-2927 2 Novati Technologies, Inc.，2706 Montopolis Drive，Austin，TX 78741 关键词：GaN、HEMT、硅、MBE、大马士革、200 mm 摘要 雷神公司正在开发一种 200 mm GaN on Si MMIC 工艺，该工艺适用于独立的高频 MMIC 应用，以及与 Si CMOS、SiGe BiCMOS 和其他 III-V 族的异质集成。在之前的 100 mm 和 200 mm GaN-on-Si 工作 [1-5] 的基础上，这项工作报告了在完全集成的 MMIC 方面取得的进展，以及在 200 mm 直径的 Si 晶片上实现世界上第一个 X 波段 GaN 0.25 µm 功率晶体管。这种 GaN-on-Si HEMT 在 V d = 28 V 时可提供 4.7 W/mm 的功率和 9 dB 的增益，PAE 为 49%。晶圆由商业 CMOS 代工厂 Novati Technologies 制造，采用完全减成、无金、类硅的制造方法。简介 在过去十年中，氮化镓 (GaN) 在电力电子以及高功率密度和高线性度 RF 应用中引起了广泛关注。很显然，200 mm 硅基 GaN 晶圆的大规模商业化生产将由电力电子应用推动。然而，随着这些应用开始填充 200 mm 代工厂，高性能硅基 GaN RF MMIC 应用将自然跟进，并利用大直径晶圆和背景晶圆体积来降低 RF IC 的成本。除了在 200 mm 晶圆上制造的硅基 GaN MMIC 的成本优势之外，与芯片到晶圆方法相比，大直径晶圆制造还为 GaN HEMT 与硅 CMOS 的异质集成（以实现附加功能）提供了优势。虽然与芯片到晶圆集成兼容，但 200 毫米 GaN IC 与 200 毫米 CMOS 的晶圆到晶圆异质集成在缩短互连长度和提高高密度、高性能 IC 产量方面更有前景。为了促进未来成本、产量和功能的改进，雷神公司正在高电阻率 200 上开发亚微米（≤0.25 µm 栅极）GaN-on-Si MMIC 工艺
结果显示对德克萨斯州和国家具有“巨大”的价值
2022 年，休斯顿航道及其码头还为全国提供了 340 万个就业岗位，其中包括 150 万个德克萨斯州的就业岗位。自 2018 年以来，在休斯顿港两个公共码头集装箱活动强劲增长的推动下，海运货物活动的增长为德克萨斯州带来了近 19 万个新就业岗位，并为德克萨斯州带来了超过 1000 亿美元的经济价值。坎波主席对休斯顿港的员工、合作伙伴、社区、利益相关者、劳工和行业表示自豪和深切的感谢，包括国际码头工人协会、美国海岸警卫队和美国陆军工程兵团，以及港口委员会对支持这一“增长轨迹”的指导和承诺。这项研究的积极成果进一步巩固了港口委员会继续投资休斯顿港未来的道路。该报告的数据还将帮助休斯顿港规划设施和基础设施。马丁联合公司已经代表全球港口进行了 1100 多项经济和规划研究。完整报告可通过此链接访问。执行董事 Roger Guenther 向港口委员会提交的报告呼应了研究结果：“今年，休斯顿港的集装箱出口量继续超过 2022 年的历史水平。”截至 4 月，休斯顿港的两个公共集装箱码头共处理了 1,026,260 个满载的 20 英尺当量单位 (TEU)，今年早些时候就超过了 100 万大关，这是有史以来的第一次。全年装卸集装箱总计 1,241,910 TEU。然而，执行董事警告说，“与 2022 年创纪录的货运量相比，我们继续看到进口集装箱货运量略有下降”，预计“集装箱货运量将按预期和预算正常化”。下一次港口委员会例会将于 2023 年 6 月 27 日举行。关于休斯顿港一百多年来，休斯顿港一直拥有并经营着休斯顿航道沿线的公共码头和码头，包括该地区最大的散货设施和美国最高效的两个集装箱码头。休斯顿港是航道的倡导者和战略领导者。休斯顿航道综合体及其 200 多个私人码头和 8 个公共码头统称为休斯顿港，是美国最大的水运吨位港口，也是休斯顿地区、德克萨斯州和美国的重要经济引擎。休斯顿港支持在德克萨斯州创造近 150 万个就业岗位，在全国创造 340 万个就业岗位，在德克萨斯州创造总额为 4,390 亿美元的经济活动，在全国产生 9,060 亿美元的经济影响。欲了解更多信息，请访问网站 PortHouston.com。联系人：Lisa Ashley-Daniels，公共关系总监，办公室电话：713-670-2644；手机：832-247-8179；电子邮件：lashley@porthouston.com