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通过高解析度阐明氮化钛中的位错核心结构
术语 TiN：氮化钛 MgO：氧化镁 TMN：过渡金属氮化物 FCC：面心立方 B1：岩盐结构 UHV：超高真空 TEM：透射电子显微镜 STEM：扫描透射电子显微镜 HAADF：高角度环形暗场 DFT：密度泛函理论 MEAM：改进的嵌入原子方法 XRD：X 射线衍射 ToF-ERDA：飞行时间弹性反冲检测分析 BF：明场 FIB：聚焦离子束 SEM：扫描电子显微镜 FFT：快速傅里叶变换 DOS：态密度 FWHM：半峰全宽 GSFE：广义堆垛层错能 OP：重叠布居
手稿1..13
图4。常规的2D TEM成像和AS合成CGO和HF-CGO的光谱。HF-CGO（D）结构的AS合成CGO（A）和HAADF图像的 HRTEM图像。 获取鳗鱼光谱图像的区域在（a）和（d）中以绿色标记。 在（b）中显示了AS合成的CGO和HF处理的CGO的（b）中显示了频谱图像区域的分段颜色图及其相应的参考光谱。 共同获得的ADF图像，顶部覆盖线扫描分析的路径，并且沿着这些线的鳗鱼信号量化的阳离子比在（c）中显示了HF处理的CGO的（c）中的cGO和（f）。 在ADF图像和阳离子比例定量的散点图中都标记了线扫描所用的晶界。 散点图内的红色数字是沿着与x轴距离（NM）相对应的线路路径的像素位置。HRTEM图像。获取鳗鱼光谱图像的区域在（a）和（d）中以绿色标记。在（b）中显示了AS合成的CGO和HF处理的CGO的（b）中显示了频谱图像区域的分段颜色图及其相应的参考光谱。共同获得的ADF图像，顶部覆盖线扫描分析的路径，并且沿着这些线的鳗鱼信号量化的阳离子比在（c）中显示了HF处理的CGO的（c）中的cGO和（f）。在ADF图像和阳离子比例定量的散点图中都标记了线扫描所用的晶界。散点图内的红色数字是沿着与x轴距离（NM）相对应的线路路径的像素位置。
绝缘亚铁磁性和垂直的出现......
图 1(a) 显示了使用脉冲激光沉积 (PLD) 的 LSMIO 薄膜顺序双靶沉积过程的示意图。在生长过程中，LSMO 和 SIO 靶材会周期性地反复旋转。在每次重复中，都会沉积亚单层 0.3 晶胞 (uc) LSMO 和 0.2 uc SIO，确保两个陶瓷靶材在原子尺度上均匀混合。LSMIO 薄膜的标称化学计量为 La 0.4 Sr 0.6 Mn 0.6 Ir 0.4 O 3 。LSMIO 薄膜的晶体取向可以通过改变基底取向来控制。如图 1(b) 所示，通过 X 射线衍射 (XRD) 2 θ-θ 扫描表征晶体结构。LSMIO 薄膜的峰已被标记，位于 SrTiO 3 (STO) 基底的左侧。该结果表明薄膜被轻微压缩（<0.1%）并且为不含杂质相的高质量单晶。为了进一步表征界面质量和结构均匀性，对 (001) 取向的 LSMIO 薄膜进行了扫描透射电子显微镜 (STEM) 测量，如图 1（c）-1（h）所示。图 1（c）中 LSMIO 和 STO 基板之间的鲜明对比，结合图 1（d）中 LSMIO 薄膜的高角度环形暗场 (HAADF) STEM 图像，表明薄膜具有较高的结晶质量。图 1（e）-（h）显示了 La、Sr、Mn 和 Ir 元素相应的能量色散 X 射线谱 (EDS) 映射。所有测量的元素在复合薄膜中都以原子级均匀分布，没有可观察到的聚集区域。
范德华异质结构的超干净装配
图1：VDW异质结构的无机组装。（a）几个从硅芯片伸出的悬臂的SEM显微照片。（b）示意图和（c）横截面高角环形暗场（HAADF）扫描透射电子显微镜（STEM）图像，显示了悬臂的多层金属涂层，可容纳2DM标本（样品中显示了多层MOS 2晶体中的样品）。（d）使用能量色散X射线光谱法在（c）中显示的区域的元素映射。（E）涂层过程后悬臂表面的AFM显微照片。均方根粗糙度值（r rms）在图像e上指示。 （F-H）采用的步骤将HBN晶体拾起到制造的悬臂上：（f）对齐，（g）接触和（h）升降。sem（l）和悬臂的光学（M）显微照片，拾取了厚（约40 nm）HBN晶体后。（i，j）拾取石墨烯晶体的步骤：对齐（I），接触和升降（J）。（n）光学显微照片显示了SIO 2上与石墨烯接触的悬臂（用虚线突出显示）。悬臂的灵活性可以准确控制层压过程。（k）石墨烯/HBN堆栈沉积在底部HBN晶体上。在整个底部HBN晶体被悬臂覆盖以选择性释放堆栈而不是将其捡起之前，层压过程要停止。（O）光学显微照片显示了氧化硅晶片上产生的异质结构，显示了较大的均匀区域。可以在补充第2节中找到有关其他样本的更多数据。