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加速度诱発性意识消失（Gravity-induced loss of consciousness
摘要 重力引起的意识丧失 (G-LOC) 是战斗机飞行员面临的主要威胁，可能会导致致命事故。高 +Gz（头到脚方向）加速度力会诱发脑出血，导致周边视力丧失、中央视力丧失（昏厥）和 G-LOC。我们尝试建立一个公式，使用脑氧合血红蛋白 (oxyHb) 值、身高、体重和身体质量指数 (BMI) 来预测 G-LOC。我们分析了 2008 年至 2012 年间测量的 249 名人体离心机受训者的脑氧合血红蛋白值。受训者暴露于两种离心机模式。一种是 4G–15s、5G–10s、6G–8s 和 7G–8s，不穿抗荷服（间隔 60 秒，发作率为 1G/s）。另一组为 8G-15s，起始速率为 6G/s，穿着抗荷服。我们使用近红外光谱仪 (NIRS)（NIRO-150G，日本静冈县滨松光子学株式会社，滨松）测量了受训者的脑氧合血红蛋白值。分析了以下参数。A）基线值为 +Gz 暴露前 30 秒的平均值。B）+Gz 暴露期间氧合血红蛋白的最大值。C）+Gz 暴露期间氧合血红蛋白的最小值。D）氧合血红蛋白从最大值到最小值的变化率（变化率）。使用逻辑回归分析进行统计分析，以建立预测 G-LOC 的公式。受训者的年龄为 24.1 ±1.7（S.D.）（范围，22 ～ 30）
截至2025年9月30日（日本GAAP）的第一季度第一季度的合并财务业绩（日本GAAP）2025年2月6日公司名称：Hamamat
截至2025年9月30日（日本GAAP）的第一季度第一季度的合并财务业绩（日本GAAP）2025年2月6日公司名称：Hamamatsu Photonics K.K.Stock listing: Tokyo Stock Exchange Stock code: 6965 URL: https://www.hamamatsu.com/jp/en.html Representative: Tadashi Maruno, Representative Director and President, Chief Executive Officer Contact: Kazuhiko Mori, Director, Managing Executive Officer & Chief of Finance and Accounting General Headquarters (Phone: +81-53-452-2141)计划开始股息支付的日期： - 已经准备了财务报表的补充材料：不会举行演示文稿来解释财务报表：没有注：所有金额均已四舍五入到最接近的百万日元1。截至2024年12月31日（从2024年10月1日至2024年12月31日）的三个月的合并财务业绩（1）（1）合并操作结果注意：百分比数字代表了与上一年同期相比的变化。
补充信息
1微型和纳米光子结构的关键实验室（MOE），光学科学与工程系，福丹大学，上海200433，200433，中国2北京国家冷凝物质物理学实验室，物理研究所和中国科学院中国科学院，北京大学，北京大学100190，CAMIDEN 3 CAVENDISH LABORIDE，CAMBRIDE，CAMBRED，CAMBRIDE，CAMBRIDE，CAMBRIDE，CAMBRIDE，CAMBREDINE Kingdom 4 ASIC与系统的国家主要实验室，信息科学技术学院，Fudan University，上海，200433年，中国5 Wenzhou Micro-Nano optoelectronic设备，电气和电子工程学院，Wenzhou University，Wenzhou，Wenzhou，Wenzhou，325035，中国。6材料科学系，剑桥大学，剑桥大学27号，剑桥CB3 0FS，英国7FS，英国7电子和材料科学系，工程学院兼光电学系，兼纳米结构学系爱荷华州立大学的艾姆斯实验室，爱荷华州埃姆斯，美国50011，美国
光子学伙伴关系委员会 - 成员
• Pierre Chastanet ，欧盟委员会 CNECT 总司微电子和光子学工业部门负责人 • Werner Steinhoegl，欧盟委员会 CONNECT 总司光子学部门负责人 • Jason Jung，欧盟委员会 CONNECT 总司 • Lutz Aschke ，Photonics Systems Holding GmbH 首席执行官 • Roberta Ramponi，AEIT-CORIFI 总裁 • Peter Seitz，欧洲滨松光子学高级技术专家 • Hugo Thienpont，布鲁塞尔光子学研究团队 B-PHOT 主任兼 VUB 教授 • Joanne Wilson，TNO 光学部研究经理 • Jean-Luc Beylat，诺基亚贝尔实验室总裁 • Thomas Rettich，TRUMPF 研究协调主管 • Jürgen Popp，莱布尼茨光技术研究所科学主任 • Jan-Erik Källhammer，Magna 瑞典视觉增强与认知系统主任 • Eric Belhaire，负责人电光技术横向集团泰雷兹 • Chris van Hoof，imec 研发副总裁 • Mike Wale，埃因霍温理工大学光子集成/工业方面教授
高粒度定时探测器低增益雪崩探测器原型的辐射硬度特性
摘要：高粒度定时探测器（HGTD）是ATLAS二期升级的重要组成部分，用于应对极高的堆积密度（平均每个束流团穿越的相互作用次数可达200次）。利用径迹的精确定时信息（σt～30ps），可以在“四维”空间进行径迹到顶点的关联。传感器选用低增益雪崩探测器（LGAD）技术，可提供所需的定时分辨率和良好的信噪比。日本滨松光子学株式会社（HPK）已生产出厚度为35 μm和50 μm的LGAD，中国科学技术大学也与中国科学院微电子研究所（IME）合作开发并生产了50 μm LGAD样机。为评估抗辐照性能，传感器在JSI反应堆设施中接受中子辐照，并在中国科学技术大学进行测试。在室温（20 ℃ ）或−30 ℃ 下，通过I-V和C-V测量表征辐照对增益层和本体的影响。提取了击穿电压和耗尽电压，并将其表示为通量函数。受体去除模型的最终拟合得出HPK-1.2、HPK-3.2和USTC-1.1-W8的c因子分别为3.06×10 −16 cm −2、3.89×10 −16 cm −2和4.12×10 −16 cm −2，表明HPK-1.2传感器具有最耐辐照的增益层。采用一种新颖的分析方法进一步利用数据得到c因子与初始掺杂浓度之间的关系。关键词：LGAD；HGTD；定时探测器；硅探测器中图分类号：TL814文献标识码：A
技术注释 / X射线检测器< / div>
X射线首先是由W. Roentgen博士在德国于1895年发现的，目前已在包括物理，工业和医学诊断在内的广泛领域中使用。X射线应用的检测器范围跨越了一个广泛的范围，包括A-SI检测器，单晶检测器和复合探测器。有很多类型的检测器，特别是由SI单晶制成的。应用包括牙科X射线成像和医疗设备领域中的X射线CT（计算机断层扫描），以及对行李，食品和工业产品的无损检查；物理实验；等等。在低能X射线区域中称为软X射线区域，从几百eV到约20 keV，使用了直接检测器，例如Si Pin Photodiodes，Si APD和CCD区域图像传感器。这些检测器提供了高检测效率和高能量分辨率，因此用于X射线分析，X射线天文观察，物理实验等。由于物体的渗透效率很高，因此在工业和医疗设备中使用了高于软X射线的硬X射线区域。闪烁体检测器在这些应用中广泛使用。这些检测器使用闪烁体将X射线转换为可见光，并检测到可见光以间接检测X射线。尤其是在医学领域，使用具有较大光敏区域的X射线检测器的数字X射线方法已成为主流，取代了传统的基于胶片的方法。对于X射线探测器，Hamamatsu提供SI光电二极管，SI APD，CCD区域图像传感器和CMOS区域图像传感器，平板传感器等。在非破坏性检查中，双能量成像允许通过同时检测高能量和低能X射线来捕获深色调的图像。
硅辐射探测器技术：从平面到3D
辐射探测器在几种应用中都普遍存在，从文化遗产到环境监测，以及在许多娱乐性和应用研究中，包括少数，包括高能物理学（HEP），光子科学和铜管科学。从最早的设备开始，辐射的检测是基于不同的物理机制，例如热转导，气电离，闪烁等。[1]。与大多数其他传感器技术一样，半导体在辐射检测中也起着特殊的作用，其主要原因是：（i）它们可以直接将辐射转换为电信号，准备通过电子电路处理，并且（ii）通过利用集成电路技术来利用它们，从而带来了多个优势，导致了几个优势，例如小型成本，且可靠地效果，以及2个改善了[2.2 and Scrips and Import and Import and Import and Import and Import Import and Import and Import and Import and Import and Import and Import [2]。其物理特性（例如原子数，密度，电离能，带隙等）使硅特别适合于检测软X射线和带电的颗粒，而对于硬X射线/γ-rays和中子（用于检测应与合适的转化材料偶联的硅）并不有效[1]。但是，由于其制造技术的无与伦比的优势，硅是检测器应用最广泛使用的半导体。尽管硅探测器是相对简单的设备，但它们需要定制的织物技术来优化其电气和功能特性。日本，在该领域运营。直到最近，随着CMOS图像传感器的显着进展，用CMOS Technologies（所谓的单片活性像素）制成的像素探测器已证明可以产生满足的性能[3]。将来，CMOS像素的利用可能会更大，尤其是在X射线成像和带电的粒子跟踪中。但是，仍然希望定制检测器仍然是大多数应用程序的主要选择。硅探测器的市场被认为是微电子领域内的专业探测器，只有一家主要的工业制造商Hamamatsu Photonics K.K.大多数加工设施均由中小型企业（中小型企业）和主要位于欧洲的研究中心拥有。在本文中，我们将回顾硅辐射探测器技术。第2节将回忆起设备的基本原理和主要要求。第3节将被奉献
一项脑形态计量学研究，在儿童和青少年中使用战斗将军添加剂模型
1奇巴大学医学院儿科学系，Inohana 1-8-1，Chuo-ku，Chiba-shi 260-8677，日本千叶2，日本2号，新生儿医学院，波士顿儿童医院，哈佛医学院，300 longwood Avenue，MA 02115，美国300号，美国300号，美国300号，美国300号。科学，东京大学，东京108-8639，日本4放射学系，国家中心医院，国家神经学和精神病学中心，东京187-8551，日本5日本5儿科学系，纳戈亚大学医学学院，65 tsurumai-cho，showa-ku，日本showa-ku，nagoya，nagoya 466666666666666666666666666666666666666666666666666-85550; doctormasa2011@gmail.com（M.K。）
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