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和铂医药控股有限公司HBM Holdings Limited
在此公告之日起，公司仍在最终确定该小组截至2024年12月31日的年度结果。本公告中包含的信息只是董事会的初步评估，基于该小组的未经审核的合并管理帐户止当年截至2024年12月31日目前可供该公司可用的年度，并且不是基于董事会审计委员会（审计委员会审核委员会）审查或确认的任何数字或信息，或审核或审查了该公司或审核的公司。截至2024年12月31日的年度小组的实际结果可能与本公告中披露的结果不同。不得将它们作为该集团当前或未来的运营或财务绩效的量度或指示，也不应将其作为相应数字组的代表作为代表。因此，仅为股东和投资者的参考提供了上述数字。建议股东和潜在投资者仔细阅读截至2024年12月31日的年度公司的年度业绩公告。
美国商务部宣布加强对 HBM 和半导体设备的管控
o.2、q.1、q.2)、3B994、3D993.a（仅限于此处规定的一般许可项目）、3D993(.b~d)、3D994、3E993.a（仅限于此处规定的一般许可项目）、3E993.b、3E994。详情请参阅补充材料1。参见第 736 部分 (d)(1)。 33) 请注意，所有 EAR 适用物项均包括商业管制清单中未列出的所有一般产品。34) 由于 D:1、D:4 和 D:5 已对管制物项的出口、再出口和转让施加了许可要求，因此适用最终用途管制，这是一种全面管制。
Agilex™7 FPGA M系列HBM2E开发套件用户指南
©Altera Corporation。Altera，Altera徽标，“ A”徽标和其他Altera标记是Altera Corporation的商标。Altera和Intel保证其FPGA和半导体产品的保证按照Altera或Intel的标准保修为适用，但保留随时随时更改任何产品和服务的权利，恕不另行通知。Altera和Intel不承担由于本文所述的任何信息，产品或服务的申请，产品或服务所产生的责任或责任，除非明确同意Altera或Intel的写作。Altera和Intel客户被建议在依靠任何已发表的信息之前并在下达产品或服务订单之前获得最新版本的设备规格。*其他名称和品牌可能被称为他人的财产。
第七届 OHBM 阿尔卑斯分会研讨会 - provicon
OHBM 阿尔卑斯分会和 ÖGfMRT 大会 11 月 27 日星期三，17:00 - 18:00 外科大楼（Haus 8）1 楼研讨室，Leiterzone Radiologie
适用于汽车 AI 应用的 LPDDR、GDDR 和 HBM
• 12 x 32 LPDDR DRAM @ 9.6Gb/s • 标准 PCB 制造（384 个数据引脚） • 更大的电路板和芯片面积 • 良好的内存密度
HBM2 DRAM 芯片中 RowHammer 的实验分析
RowHammer (RH) 是现代 DRAM 芯片的一个重大且日益恶化的安全性、可靠性问题，可利用该问题来破坏内存隔离。因此，了解真实 DRAM 芯片的 RH 特性非常重要。遗憾的是，之前没有研究广泛研究现代 3D 堆叠高带宽内存 (HBM) 芯片的 RH 漏洞，而这种芯片通常用于现代 GPU。在这项工作中，我们通过实验表征了真实 HBM2 DRAM 芯片的 RH 漏洞。我们表明：1) HBM2 内存的不同 3D 堆叠通道表现出明显不同级别的 RH 漏洞（误码率相差高达 79%），2) DRAM 组末尾的 DRAM 行（具有最高地址的行）表现出的 RH 位翻转明显少于其他行，3) 现代 HBM2 DRAM 芯片实现了未公开的 RH 防御措施，这些措施由定期刷新操作触发。我们描述了我们的观察结果对未来 RH 攻击和防御的影响，并讨论了理解 3D 堆叠存储器中的 RH 的未来工作。
高性能计算应用中带 HBM 的 FO-MCM 组装技术
随着行业向超摩尔时代迈进，下一代封装技术也朝着高密度芯片或芯片分割封装集成方向发展。尤其是对于高性能计算应用，先进封装技术通过硅或有机中介层集成多个芯片芯片，从而提供经济效益。有机中介层是芯片到芯片互连的替代接口之一。FO-MCM 以同质封装集成概念应用于芯片集成和 ASIC 到 Serdes 芯片集成而闻名。由于人工智能计算和 HPC 市场增长的推动，将封装的 HBM 集成到封装模块中作为异构集成封装 (HIP) 的趋势已经形成。近年来，两种平台（以硅中介层为基础的 2.5D 和以部分桥接芯片为互连介质的 FO-EB）已投放市场。还讨论了采用纯有机中介层的 FO-MCM 应用于异构集成领域的可行性。全有机中介层可以为 HPC 产品提供多个 RDL 层和线路/空间的灵活设计。本研究旨在解决采用纯有机中介层的 FO-MCM 平台实现集成 HBM 的异质封装。FO-MCM 中的芯片最后方法具有控制 RDL 质量和采用“已知良好的 RDL”以节省顶层芯片成本的优势。扇出型 RDL 配置为 4 层，最小 L/S 为 2/2um。在验证过程中，基于模拟分析，通过材料和底部填充选择优化了翘曲和应力。组装结果表明，翘曲和可靠性验证通过了 MSL4、TCT700x、uHAST96 和 HTST1000hrs 条件。关键词 扇出型 MCM；芯片最后；异质集成；芯片分区；高性能计算；HBM