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双倍数据速率 (DDR) 内存设备
首字母缩略词 定义 政府 GPU 图形处理单元 GRC NASA 格伦研究中心 GSFC 戈达德太空飞行中心 GSN 目标结构化表示法 GTH/GTY 收发器类型 HALT 高加速寿命试验 HAST 高加速压力试验 HBM 高带宽存储器 HDIO 高密度数字输入/输出 HDR 高动态范围 HiREV 高可靠性虚拟电子中心 HMC 混合存储立方体 HP 实验室 惠普实验室 HPIO 高性能输入/输出 HPS 高压钠 HUPTI 汉普顿大学质子治疗研究所 I/F 接口 I/O 输入/输出 I2C 集成电路间 i2MOS Microsemi 第二代抗辐射 MOSFET IC 集成电路 IC 集成电路 I-Cache 独立缓存 IUCF 印第安纳大学回旋加速器设施 JFAC 联合联邦保证中心 JPEG 联合图像专家组
优化 FPD-Link ADAS 设计以实现系统级 ESD 抗扰度 (Rev. A)
系统级 ESD 测试是全球众多汽车 OEM 的共同要求。系统级 ESD 测试的目标通常有两个：确保模块内的电气元件不会受到损坏，并评估 ESD 事件期间的应用级性能。关于系统级 ESD 测试的一个常见误解是，应用级性能可能与组件数据表中指定的 ESD 额定值有关（例如 IEC 6100-4-2、HBM、CDM 等）。数据表中指定的 ESD 额定值仅描述 IC 承受设备引脚能量放电而不受到损坏的能力。此额定值主要用于了解芯片处理和组装要求，但关键的是，该额定值没有考虑任何应用级性能方面，例如数据丢失。了解高速铜链路在 EMI/ESD 应力下的应用级性能与系统设计密切相关。本指南包括 TI 的建议，即通过强大的硬件设计实践和软件设置优化来最大限度地提高抗扰性能。
HBM2 DRAM 芯片中 RowHammer 的实验分析
RowHammer (RH) 是现代 DRAM 芯片的一个重大且日益恶化的安全性、可靠性问题，可利用该问题来破坏内存隔离。因此，了解真实 DRAM 芯片的 RH 特性非常重要。遗憾的是，之前没有研究广泛研究现代 3D 堆叠高带宽内存 (HBM) 芯片的 RH 漏洞，而这种芯片通常用于现代 GPU。在这项工作中，我们通过实验表征了真实 HBM2 DRAM 芯片的 RH 漏洞。我们表明：1) HBM2 内存的不同 3D 堆叠通道表现出明显不同级别的 RH 漏洞（误码率相差高达 79%），2) DRAM 组末尾的 DRAM 行（具有最高地址的行）表现出的 RH 位翻转明显少于其他行，3) 现代 HBM2 DRAM 芯片实现了未公开的 RH 防御措施，这些措施由定期刷新操作触发。我们描述了我们的观察结果对未来 RH 攻击和防御的影响，并讨论了理解 3D 堆叠存储器中的 RH 的未来工作。
Axlam：用于边缘计算语言模型的节能加速器设计
现代语言模型，例如来自变形金刚的双向编码器表示，已彻底改变了自然语言处理（NLP）任务，但在计算上是密集的，限制了它们在边缘设备上的部署。本文介绍了针对基于编码器的语言模型量身定制的节能加速器设计，使其可以集成到移动和边缘计算环境中。与Simba启发的语言模型的数据流相关的硬件加速器设计相比，使用近似固定点的乘数，并利用高带宽内存（HBM）来实现与硬件可靠的可扩展加速器Simba相比，可以显着提高计算效率，功耗，区域和延迟。与Simba相比，Axlam可实现九倍的能量减少，减少58％的面积和1.2倍的延迟，使其适合在边缘设备中部署。Axlan的能源效率为1.8顶/W，比事实高65％，这需要在硬件上实施语言模型之前对语言模型进行预处理。本文是主题问题的一部分，“未来安全计算平台的新兴技术”。
内部分布的CDM ESD保护
所有ICS都需要芯片ESD保护。 在ESD保护解决方案和设计技术方面已取得了不断的进步[1-3]。 数十年来，几乎所有ESD保护设计都使用了常规的基于PAD的ESD保护方案，它们有效地保护ICS免受外部面向外部的“外部到内部到内部”类型的ESD事件，例如HBM，MM和IEC ESD ESD测试模型[1]。 然而，经典的基于PAD的ESD保护方法似乎对CDM ESD保护并不有效，CDM ESD保护在ESD测试中一直是不确定的和不可靠的，并且具有随机的ESD Field Failters失败，从而使CDM ESD保护设计极具挑战性对于高级技术中的复杂IC极具挑战性[4-6]。 最近，我们报告说，经典的基于PAD的CDM ESD保护方法在理论上是错误的，这是CDM ESD保护设计不确定性一直困扰IC行业的根本原因[6]。 图 1说明了经典的基于PAD的CDM ESD保护方案，其中垫之间的ESD设备可将ESD脉冲分流为接地并夹紧所有ICS都需要芯片ESD保护。在ESD保护解决方案和设计技术方面已取得了不断的进步[1-3]。数十年来，几乎所有ESD保护设计都使用了常规的基于PAD的ESD保护方案，它们有效地保护ICS免受外部面向外部的“外部到内部到内部”类型的ESD事件，例如HBM，MM和IEC ESD ESD测试模型[1]。然而，经典的基于PAD的ESD保护方法似乎对CDM ESD保护并不有效，CDM ESD保护在ESD测试中一直是不确定的和不可靠的，并且具有随机的ESD Field Failters失败，从而使CDM ESD保护设计极具挑战性对于高级技术中的复杂IC极具挑战性[4-6]。最近，我们报告说，经典的基于PAD的CDM ESD保护方法在理论上是错误的，这是CDM ESD保护设计不确定性一直困扰IC行业的根本原因[6]。图1说明了经典的基于PAD的CDM ESD保护方案，其中垫之间的ESD设备可将ESD脉冲分流为接地并夹紧
全球小芯片和先进封装的最新行业报告
➢ 半导体封装用玻璃基板所要求的特性及玻璃中介层的发展趋势！ ➢ 三大半导体厂商的背面电源技术优缺点、其经营策略、量产计划如何？ ➢ 晶圆代工厂、EMS、无晶圆厂、OSAT、半导体制造设备相关公司的经营战略！ ➢ 采用小芯片的二维和三维异质集成的特点和应用！ ➢ 2.5D、3D封装所需的材料特性！重新分布层、封装材料、底部填充材料等等！ ➢ FOWLP/PLP制造工艺类型、相关公司以及贴装封装元件的要求！ ➢ 全球 HBM 市场份额争夺战愈演愈烈，日本企业面临巨大商机！ ➢ 探讨了底部填充所需的性能和技术趋势、市场预测以及各企业的市场份额！ ➢ 设计和质量要求满足芯片在镀铜布线制造中的需求！ ➢ 探讨了混合键合的方法、优势和挑战以及各公司产品的特点和技术策略！
第 37 届国际海洋、近海和北极会议...
并行会议 15:30 – 17:30 OT 1-1-4 桅杆、FPSO 和多柱浮子 I OT 1-4-2 浮子和系泊模拟 SSR 2-7-1 系泊和立管系统的可靠性 SSR 2-12-3 结构分析和优化 III MAT 3-1-1 断裂评估 - 分析方法 PRS 4-1-7 脐带缆和电缆 I PRS 4-3-5 热机械 OE 6-4-1 拖曳和海底电缆和管道、系泊和浮标技术 OE 6-15-2 会议 II-III：机器人车辆和水下通信系统的嵌入式架构。传感器、处理算法、分布式平台和软件架构 CFD 8-8-2 优化、大数据和机器学习 ORE 9-1-4 浮动风力涡轮机：数值建模 II ORE 9-3-2 振荡水柱 PT 11-6-2 钻井液和液压 II PT 11-11-1 石油和天然气作业中的人为因素 HCGS 12-1-3 波谱和概率模型及工程应用 I HCGS 12-8-1 海上安全和人为因素 I HBM 13-1-2 波体相互作用 II
BQ25173-Q1汽车，独立800-MA线性电池充电器1至4-CELL SUPERCAPACITOR DATASHEET
•AEC-Q100有资格用于汽车应用 - 温度1级：–40°C≤Ta≤125°C - HBM ESD分类级别2 - CDM ESD分类级 - CDM ESD分类级别C4B•40-V负载降低量降低了容忍度，可容忍以支撑后3-V运行型•3-V运行型•3-V运行模式 - 3550 - 3550 - 350收费时输入泄漏电流•支撑1至4细胞超级电容器从0 V•外部电阻可编程操作 - 可编程操作 - FB PIN调整超级电容器调节电压 - ISET将电荷设置为10 mA，从10 mA设置为800 mA•高准确性 - ±1％电荷电压准确性 - 电荷准确率 - ±10％的电费均准确率 - ±10％的启用功能 - 导致功能 - 导致功能 - 导致功能 - 导致功能 - 导致功能 - 导致功能 - 导致功能 - 导致功能 - 导致功能 - 导致功能 - 导致功能 - 导出功能 - 功率良好指示的输出•综合故障保护 - 过电压保护中的18-V - 1000 ma过电流保护 - 125°C热调节； 150°C热关闭保护 - ISET PIN简短保护
CA-IS2092A 带集成 DC-DC 的隔离式 RS-485 收发器
• 高性能，符合 RS-485 EIA/TIA-485 标准 数据速率高达 0.5Mbps 1/8 单位负载可使总线上最多 256 个节点 3.0V 至 5.5V DC-DC 电源电压范围 (VDDP) 2.5V 至 5.5V RS-485 电源输入 (VDDL) • 用于电缆侧电源的集成 DC-DC 转换器 3.3V 和 5V 输出选项 与内部变压器的高度集成 软启动可降低输入浪涌电流 过载和短路保护 热关断 • 数字信号的强大电流隔离 2.5kV RMS 耐受隔离电压 60 秒（电流隔离） ±150kV/μs 典型 CMTI 长寿命：>40 年 • 集成保护以实现稳健通信 ±8kV 人体模型 (HBM) ESD总线 I/O 保护 真正的故障安全保证已知的接收器输出状态 驱动器电流限制和热关断 • 宽工作温度范围：-40°C 至 125°C • LGA16 封装 • 安全监管批准（待定） 3535V PK V IOTM 和 566V PK V IORM 符合 DIN VDE V0884-11:2017-01 2.5kV RMS 隔离，持续 1 分钟，符合 UL 1577
美国更新先进芯片出口管制旨在......
美国商务部工业和安全局 (BIS) 于 12 月 2 日宣布更新出口管制，限制中国获取先进半导体和半导体制造设备，以减缓中国军事现代化和使用侵犯人权的先进技术。这些规则是拜登政府三年来的第三次重大更新，预计将成为政府更迭前的最后一次更新。规则的主要更新包括禁止销售 24 种制造设备和 3 种软件工具，此外还将 140 家中国公司列入实体名单。更新后的管制措施弥补了 2022 年 10 月和 2023 年 10 月出口管制方案中的漏洞，包括通过限制高带宽内存 (HBM) 芯片出口来解决范围上的漏洞，并通过应用外国直接产品规则 (FDPR) 防止规避出口管制。FDPR 允许美国禁止外国制造商使用美国技术，迫使其他国家事实上遵守美国的出口管制战略。大部分新措施将于12月31日生效。公告的主要细节包括：