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人工智能硬件：第二次浪潮（2025-2027）
– 1) ASP 随着每个节点而跳跃。过渡到 HBM3E 预计将使 HBM ASP 每 GB 提高约 25%。HBM4 预计将比 HBM3E 额外获得约 50% 的价格溢价。– 2) 每层 GB 增加：HBM3E 与 HBM3 相比，每层 GB 增加 50%。HBM4E 将再次改进 HBM3E/HBM4。– 3) 层数增加：12Hi 的采用在 2024 年下半年开始，主要采用在 2025 年 Blackwell 加速时。HBM4 预计将在 2025 年年底推出，采用时间为 2026 年。HBM4E 应该会看到 16hi（甚至可能更高），从而进一步增加 GB/单位。– 4) 围绕每个加速器设计了更多 HBM 单元。 HBM3E 12hi 的出货量应在 24 年达到 800 万片，然后在 25 年跃升 7 倍至 5700 万片，然后在 26 年实现 HBM4 12hi 的商业化。图 1 27 年以后，HBM4E 预计将具有 16 至 20 层。SK Hynix 最近表示乐观，认为混合键合可以实现堆叠超过 20 层，而高度不超过 775 微米。
SK海力士 (000660)
4Q24营业利润预计为7.4万亿韩元（环比+5%），低于预期。由于前期需求疲软，以及来自CXMT、JHICC、Kioxia等的竞争加剧，我们认为通用存储器售价将跌至低于预期。预计25年1季度营业利润将达到5.4万亿韩元（环比下降27%）。我们坚持先前的观点，即通用 DRAM 和 HBM3e 的繁荣将持续到 2025 年。不过，目标股价略有下调，以反映 2024-2026 年 EPS 预测的变化。