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2024 金盛 19 P01014
摘要：为 MONOLITH ERC Advanced 项目生产的单片硅像素原型用 70 MeV 质子辐照，能量密度高达 1 × 10 16 1 MeV n eq /cm 2。ASIC 包含一个六边形像素矩阵，间距为 100 μ m，由低噪声和超快速 SiGe HBT 前端电子设备读出。使用厚度为 50 μ m 的外延层、电阻率为 350 Ω cm 的晶圆来生产完全耗尽的传感器。使用 90 Sr 源进行的实验室测试表明，探测器在辐照后工作良好。信噪比在能量密度高达 6 × 10 14 n eq /cm 2 时没有发生变化。信号时间抖动被估算为阈值处电压噪声与信号斜率之比。在 − 35 ◦ C、传感器偏置电压为 200 V 和前端功耗为 0.9 W/cm 2 时，最可能信号幅度的时间抖动估计为 𝜎 90 Sr 𝑡 = 21 ps（质子通量高达 6 × 10 14 n eq /cm 2 时）和 57 ps（1 × 10 16 n eq /cm 2 时）。将传感器偏置增加到 250 V 并将前置放大器的模拟电压从 1.8 V 增加到 2.0 V，可在 1 × 10 16 n eq /cm 2 时提供 40 ps 的时间抖动。
Kaş所以Teker博士 印度尼西亚能源过渡管理领域的未来可持续能源政策的塑造
Kaş所以TekerKişiselPilGilerİşTelefonu：+90 021 677 7377 Dahili：0 e-posta：kasif.teker@marmara.edu.edu.edu.edu.tr： ScholarID：FQ7GBH8AAAAJ ORCID：0000-0002-1323-9243 YoksisaraştırmacıID：167637 Biyografi他毕业于冶金和材料工程元元。 他在俄亥俄州立大学完成了MS，并在凯斯西部储备大学的材料科学与工程学博士学位上完成了博士学位。 获得博士学位后，他曾在我们的半导体行业担任科学家。 他还曾在弗罗斯特堡州立大学（八年）担任马里兰州和特拉华大学的研究科学家。 他的研究兴趣包括纳米电子学，纳米光子学，III-V复合半导体设备（HBT，HEMT，MOSFET，光电探测器），纳米微型制造（MOCVD，MBE，MBE，PVD等 ），半导体纳米线设备制造和基于纳米线的传感器。 他是高级微型和纳米设备实验室的创始人。 博士，伊斯坦布尔博 博士，弗罗斯特堡州立大学，物理与工程学，2011年至2014年Öğr博士。 üyesi，弗罗斯特堡州立大学，物理与工程学，2005年至2011年，特拉华大学，电气和计算机工程大学，2003-2005-2005Kaş所以TekerKişiselPilGilerİşTelefonu：+90 021 677 7377 Dahili：0 e-posta：kasif.teker@marmara.edu.edu.edu.edu.tr： ScholarID：FQ7GBH8AAAAJ ORCID：0000-0002-1323-9243 YoksisaraştırmacıID：167637 Biyografi他毕业于冶金和材料工程元元。他在俄亥俄州立大学完成了MS，并在凯斯西部储备大学的材料科学与工程学博士学位上完成了博士学位。获得博士学位后，他曾在我们的半导体行业担任科学家。他还曾在弗罗斯特堡州立大学（八年）担任马里兰州和特拉华大学的研究科学家。他的研究兴趣包括纳米电子学，纳米光子学，III-V复合半导体设备（HBT，HEMT，MOSFET，光电探测器），纳米微型制造（MOCVD，MBE，MBE，PVD等），半导体纳米线设备制造和基于纳米线的传感器。他是高级微型和纳米设备实验室的创始人。博士，伊斯坦布尔博博士，弗罗斯特堡州立大学，物理与工程学，2011年至2014年Öğr博士。üyesi，弗罗斯特堡州立大学，物理与工程学，2005年至2011年，特拉华大学，电气和计算机工程大学，2003-2005-2005培训信息博士学位，案例西部储备大学，工程学学院，材料科学与工程学院，美国1996年至2001年硕士，俄亥俄州立大学，工程，材料科学与工程学院，美国，1994年 - 1994年 - 1994年 - 1996 - 1996 - 1996 - 1996-1996-1996-1996-1996冶金与材料工程系教授，土耳其1988年至1993年，研究领域光电材料和设备，半导体材料和设备，材料科学与工程，工程和技术学术标题 /任务冶金与材料工程系工程学院马尔马拉大学博士教授，2020年 - 继续教授伊斯坦布尔大学博士教授，工程与自然科学学院，电气与电子工程系，2016年至2020年。
2025异构集成路线图（HIR）第8版...
加州大学洛杉矶分校材料科学与工程系任职。直到最近，他被任命为美国商务部国家先进封装制造计划主任，在那里他为国家封装势在必行奠定了基础战略。他是异构集成和性能扩展中心 (UCLA CHIPS) 的创始主任。在此之前，他是 IBM 研究员。他的主要技术贡献是开发了世界上第一个 SiGe 基 HBT、Salicide、电子保险丝、嵌入式 DRAM 和 45nm 技术节点，用于制造第一代真正低功耗便携式设备以及第一个商用中介层和 3D 集成产品。自加入加州大学洛杉矶分校以来，他一直在探索新的封装范例和设备创新，这些范例和设备创新可能实现晶圆级架构、内存模拟计算和医学工程应用。他是 IEEE、APS、iMAPS 和 NAI 的研究员，也是 IEEE EDS 和 EPS 的杰出讲师。他是孟买印度理工学院的杰出校友，2012 年荣获 IEEE 丹尼尔·诺布尔新兴技术奖章，2020 年荣获 iMAPS 丹尼尔·C·休斯 Jr 纪念奖，2021 年荣获 iMAPS 杰出教育家奖。Iyer 教授还是班加罗尔印度理工学院 Ramakrishna Rao 教授客座教授。业余时间，Subu 会学习梵文。
NC州立大学（NCSU）在电气和C
NC州立大学（NCSU）在电气和计算机工程部门的III-V半导体领域以及材料科学与工程学部门内有几个博士后位置空缺。博士后研究职位在以下研究领域提供：III-硝酸盐电子和光电设备的异质整合，制造和表征：设计和开发下一代异质整合III-nitride Optoelectronic和电子设备。位置将包括电子和光电设备结构的设备设计，制造，表征和测试，以实现宽带的带隙电子光功能IC。强烈优选III-N设备设计和制造方面的先前经验。III二硝酸RF设备设计，制造和表征（Pavlidis）：设计和模型的新型RF设备，使用宽带gap（WBG）和超宽的带隙（UWBG）III-硝酸盐用于下一代功率放大器。制造这些设备，考虑了通过晶圆粘结整合异质材料以增强性能/功能的机会。执行设备和测试结构的DC-TO-RF表征，将材料属性与设备行为联系起来。优先使用III-V HEMT和/或HBT的事先经验。III-Nitride Epitaxy and Materials Characterization (Sitar): MOCVD growth of III-nitrides (primarily) on native substrates, III-nitride structures (heterojunctions, MQWs, graded layers, lateral polarity structures) for electronic and optoelectronic devices, materials characterization (XRD, AFM, XPS, SEM, TEM, PL, electrical).需要在III-NINRIDE或相关的宽带隙半导体方面的经验。需要强大的物理背景。
基于功能近红外光谱技术评估意识障碍患者的残留认知
准确诊断长期意识障碍（DOC）患者的意识水平对于设计治疗计划、确定康复服务和预测预后至关重要。DOC 1 – 4 主要包括昏迷（仅有失眠和反射行为）、无反应觉醒综合征（UWS）和微意识状态（MCS）。UWS 5 中的患者临床上清醒，但对自己和周围环境没有意识。与 UWS 不同，MCS 6 中的患者表现出极少、不一致但可重复的有目的的意识证据。对这两组患者的意识的临床评估和诊断具有挑战性。目前，主观床边行为评估仍被视为评估 DOC 患者意识的临床参考标准。7 但据报道误诊率为 ∼ 40% 。 3 事实上，由于患者的认知、运动和感觉障碍，以及检查者和环境条件等其他因素，准确评估 DOC 患者的脑功能和检测其残留意识非常复杂、耗时且具有挑战性。评估 DOC 患者意识水平的一种客观方法是使用功能神经影像技术。在过去的几年中，各种神经影像学和电生理研究为评估 DOC 患者意识、探索结构和功能特征、监测意识恢复以及阐明 DOC 患者意识的潜在机制提供了宝贵的见解。1、3、4、8 2006 年，Owen 等人提出了一项功能性磁共振成像 (fMRI) 研究，他们指导一名符合 UWS 临床标准的患者在 fMRI 扫描仪中执行打网球的想象来回答“是”，并执行空间导航想象来回答“否”。 9 fMRI 结果显示，患者的大脑活动与健康对照者在相同任务下的活动相似，表明存在残留认知。在后续研究中，10 fMRI 用于评估一组 DOC 患者在心理意象任务期间的故意大脑活动。结果显示，在行为上看似无反应的患者中，约有 17% 实际上具有隐蔽意识，可以调节大脑活动以响应简单的是非问题进行交流。神经影像学和电生理学研究的新发现表明，在行为检查中看似无反应的患者中，约有 20% 实际上可以表现出隐蔽意识。这种差异被称为认知运动分离 (CMD)。4、11 也就是说，这些患者实际上有意识，即使他们在行为上没有反应，但是，使用不依赖于患者产生外部反应能力的电生理和神经成像技术可以观察到明显的意识迹象。最近，2020 年欧洲神经病学学会指南建议应“在可行的情况下”使用基于任务的神经影像学研究来准确检测 DOC 患者的意识。12尽管基于 fMRI 的研究为 DOC 领域提供了有价值的信息，但相对大规模的设备要求、费用和严格的受试者限制使其无法应用于植入金属的患者，并限制了其在纵向床边监测或重症监护病房危重患者的使用。功能性近红外光谱 (fNIRS) 13 是一种非侵入性光学神经成像技术，在脑机接口 (BCI)、精神分裂症研究、神经康复、新生儿护理等领域发展迅速。7、14-16 与 fMRI 相比，fNIRS 对运动伪影和金属植入物的耐受性更高。通过同时检测氧合血红蛋白 (HbO)、脱氧血红蛋白 (HbR) 和总血红蛋白 (HbT) 浓度的变化，它提供更全面的信息，以更好地表征血流动力学并提高生态效度。此外，fNIRS 在以更高的空间分辨率定位和分割大脑区域方面优于 EEG。fNIRS 还更具成本效益、便携性，可用于床边监测，适合对 DOC 患者进行纵向和重复监测血流动力学。然而，使用 fNIRS 研究 DOC 患者的功能活动和评估残余意识的研究仍然有限，但正在增加。3、7、17-20 2013 年，Molteni 等 18 首次使用 fNIRS 对 MCS 患者的残余意识进行床边评估。Kempny 等 17 使用基于 fNIRS 的运动想象 (MI) 任务评估了 DOC 患者的大脑活动；结果显示，与 UWS 患者相比，MCS 患者的血流动力学反应与 UWS 患者更相似。神经康复、新生儿护理等。7、14-16与 fMRI 相比，fNIRS 对运动伪影和金属植入物的耐受性更强。通过同时检测氧合血红蛋白 (HbO)、脱氧血红蛋白 (HbR) 和总血红蛋白 (HbT) 浓度的变化，它提供更全面的信息，以更好地表征血流动力学并提高生态效度。此外，fNIRS 比 EEG 更能以更高的空间分辨率定位和分割大脑区域。fNIRS 还更具成本效益、便携性，可用于床边监测，适合对 DOC 患者进行纵向和重复监测血流动力学。然而，使用 fNIRS 研究功能活动和评估 DOC 患者残留意识的研究仍然有限，但正在增加。3、7、17-20 2013 年，Molteni 等人。 18 首次使用 fNIRS 对 MCS 患者的残留意识进行床边评估。Kempny 等 17 使用基于 fNIRS 的运动想象 (MI) 任务评估了 DOC 患者的大脑活动；结果显示，与 UWS 患者相比，MCS 患者的血流动力学反应与神经康复、新生儿护理等。7、14-16与 fMRI 相比，fNIRS 对运动伪影和金属植入物的耐受性更强。通过同时检测氧合血红蛋白 (HbO)、脱氧血红蛋白 (HbR) 和总血红蛋白 (HbT) 浓度的变化，它提供更全面的信息，以更好地表征血流动力学并提高生态效度。此外，fNIRS 比 EEG 更能以更高的空间分辨率定位和分割大脑区域。fNIRS 还更具成本效益、便携性，可用于床边监测，适合对 DOC 患者进行纵向和重复监测血流动力学。然而，使用 fNIRS 研究功能活动和评估 DOC 患者残留意识的研究仍然有限，但正在增加。3、7、17-20 2013 年，Molteni 等人。 18 首次使用 fNIRS 对 MCS 患者的残留意识进行床边评估。Kempny 等 17 使用基于 fNIRS 的运动想象 (MI) 任务评估了 DOC 患者的大脑活动；结果显示，与 UWS 患者相比，MCS 患者的血流动力学反应与
单光子在量子通信和计算中的应用
实际上，这确实意味着人们应该能够知道在给定的足够短的时间窗口内检测到了多少光子（与典型寿命发射器的数量级相当）。这实际上很难通过实验来实现，因为探测器通常无法足够快地从一次检测恢复到下一次检测，并且它们通常不太擅长区分在如此短的时间窗口内检测到的光子数量。这就是著名的 Hanbury Brown 和 Twiss (HBT) 实验的由来，其中使用 50/50 分束器来测量 g (2) 函数（参见图 1 正文）。这个想法非常简单。取一个单光子源，并在分束器的每个输出端口使用两个单光子探测器对其进行分析，真正的单光子将无法同时触发两个探测器。因为只有一个能量量子，即光子，所以粒子行为会显现出来，并且一次只能触发一个探测器，但不能同时触发两个探测器。这非常方便，因为我们可以通过使用两个探测器来规避探测器问题，因为当一个探测器启动并因此在一段时间内无法使用时，第二个探测器已准备好接收潜在的第二个光子。因此，观察到的光子反聚束行为告诉您，如果您在分束器之后通过两个探测器获得同时检测，则在两个探测器之间零延迟（τ=0）和 g (2) (0)=0 时不应发生同时检测。使用术语反聚束是为了强调我们在某一时刻有且只有一个光子 1 。我们说我们具有发射器的光子反聚束。格劳伯表明量子形式可以以同样的方式应用于这个实验 [Gla63a]。从那时起，人们就开始对物质与光子的相互作用进行详细描述和研究，但直到 1977 年，H. Kimble、M. Dagenais 和 L. Mandel [Kim77] 才通过实验证明单光子确实存在。他们利用了来自激发热原子束的单原子跃迁。光统计的第一个结果表明，单光子确实存在，它们不仅仅是某种方便的理论工具。1.1.1.3 N =1 福克态与弱相干态
hodhbt手稿最终repubmission_2
引入了抗逆转录病毒疗法（ART）针对HIV的发展和快速发展，但在过去的3年中，尚无功能治愈方法。这是由于存在完整且可诱导的病毒，该病毒被整合在感染细胞中，并且没有免疫系统看到，因此尽管有ART（1-3），因此允许病毒持久性（1-3）。识别可以将潜在病毒重新激活（或冲击）潜在病毒重复复制的小分子的努力，从而使细胞可以被免疫效应细胞看到和消除，这仍然是当今研究的前端。我们先前已经描述了小分子3-羟基-1,2,3-苯并三嗪-4（3H）-ONE（HODHBT）能够增强细胞因子介导的STAT信号传导（4）。我们最初通过筛选可以在潜伏期的主要细胞模型中重新激活潜在HIV的化合物（5）。我们先前的研究表明，HODHBT能够增加细胞因子诱导的磷酸化STAT5（PSTAT5），从而导致PSTAT5与HIV长期重复（LTR）的结合增强。这导致了原发性CD4 T细胞的病毒式术语激活和潜伏期逆转（4）。然后，我们描述了结构类似物1,2,3-苯并三嗪-4（3H）-One（HBT）缺乏生物学活性，表明3-羟基在这些化合物的生物学活性中的重要性。此外，我们证明了Hodhbt缺乏小鼠的急性毒性，并且不会促进全球免疫激活（6）。但是，HODHBT的直接靶标仍然未知。在这里，为了识别HODHBT目标候选者，我们使用了热蛋白质组学分析（TPP）（9-11）。在后续研究中，我们表明HODHBT增强了IL-15对（a）在NK细胞中促进IFN-γ和颗粒酶B产生的能力，导致对HIV感染的细胞和癌细胞系的细胞毒性活性增加，并增强（b）通过增强HIV的CD8 TERMIN CD8 TERNIM的CD8 TERMIN TERMI的CD8 TERME-CD8 TERME-CD8 TERME，并增强CD8的表达。靶细胞（8）。2个最高命中是非受体酪氨酸磷酸酶（NTPS）蛋白酪氨酸磷酸酶非受体1型（PTPN1）和2型（PTPN2），以其在STAT信号
![arXiv:2301.12244v1 [physics.ins-det] 2023 年 1 月 28 日](/simg/5\53cad4028c1e90ff996137e7966171a403a89757.webp)
arXiv:2301.12244v1 [physics.ins-det] 2023 年 1 月 28 日
单片有源像素传感器 (MAPS) [ 1 ] 将传感器包含在与电子元件相同的 CMOS 基板中，它具有工业标准 CMOS 处理的所有优点，避免了粒子物理实验中常用的凸块键合混合像素传感器的生产复杂性和高成本，因此特别具有吸引力。今天，MAPS 代表着一项成熟的技术，其性能可与混合硅像素传感器相媲美。事实上，MAPS 已经在大型 LHC 实验中使用[ 2 ]。CERN 高亮度 LHC 项目期间预计将出现大量事件堆积，这需要几十皮秒的计时能力[ 3 ]。这种计时水平将在 ATLAS [ 4 ] 和 CMS [ 5 ] 升级探测器中通过大约 1 毫米粗空间粒度的计时层实现。在开发这项成熟技术的同时，粒子物理学界正在尝试为未来项目开发具有高空间分辨率和同等计时能力的硅传感器。在 [6] 中可以找到对当前这方面努力的最新回顾。该研究小组正在尝试开发具有皮秒时间能力的 MAPS。利用商用 SG13G2 IHP 130 nm 工艺 [7]，我们制作了一系列单片原型，这些原型具有速度极快且噪声极低的 SiGe HBT 前端电子器件，使用没有内部增益层的标准 PN 结传感器可实现低至 36 ps 的时间分辨率 [8-12]。这条研究路线源于 MONOLITH H2020 ERC Advanced 项目 [13]，该项目利用新型多 PN 结 PicoAD 传感器 [14]，通过连续深增益层提供的信噪比增强实现皮秒级的时间分辨率。[15] 和 [16] 报告了使用 PicoAD 概念验证单片原型获得的结果。最近，MONOLITH 项目的第二个单片硅像素矩阵原型采用 SG13G2 IHP 工艺生产。ASIC 包含 [ 12 ] 前端电子器件的改进，旨在提高操作能力。在制造实现增益层的特殊 PicoAD 晶圆的同时，还使用厚度为 50 µm 的外延层晶圆（电阻率为 350 Ω cm）生产了带有标准 PN 结传感器的版本。在本文中，我们展示了使用不带内部增益层的第二个 MONOLITH 原型获得的测试光束结果。