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具有再生长接触和截止/... 的 Si 基 GaN HEMT
摘要 — 本研究展示了 Si 衬底上 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的高频和高功率性能。使用 T 栅极和 n ++ -GaN 源/漏接触，栅极长度为 55 nm、源漏间距为 175 nm 的 InAlN/GaN HEMT 的最大漏极电流 ID,MAX 为 2.8 A/mm，峰值跨导 gm 为 0.66 S/mm。相同的 HEMT 表现出 250 GHz 的正向电流增益截止频率 f T 和 204 GHz 的最大振荡频率 f MAX。ID,MAX、峰值 gm 和 f T -f MAX 乘积是 Si 上 GaN HEMT 中报道的最佳乘积之一，非常接近最先进的无背势垒 SiC 上耗尽型 GaN HEMT。鉴于 Si 的低成本和与 CMOS 电路的高兼容性，Si 上的 GaN HEMT 对于成本敏感的应用特别有吸引力。
双Si平面掺杂提高InP基HEMT的辐射抗力
提出一种采用双Si掺杂平面优化的InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)抗辐照结构,在沟道层下方增加Si掺杂平面,使InP基HEMT的沟道电流、跨导、电流增益截止频率和最大振荡频率均有较大提升。此外,详细比较了单Si掺杂和双Si掺杂结构在75keV质子辐照(剂量分别为5×10 11 cm − 2、1×10 12 cm − 2和5×10 12 cm − 2)后的直流(DC)和射频(RF)特性及其降低率。两种结构的DC和RF特性均随着辐照剂量的增加而逐渐下降,尤其在5×10 12 cm − 2剂量下下降最为显著。此外，双硅掺杂结构的特性退化程度明显低于单硅掺杂结构，尤其是在较大的质子辐照剂量下。通过插入另一个硅掺杂平面来提高质子辐射耐受性可能是由于本征载流子大幅增加，这必然会大大削弱辐照诱导缺陷对载流子去除的影响。
GaN 基 HEMT 中的捕获和可靠性研究
论文委员会： Olivier Latry，鲁昂大学助理教授 (HDR)，推荐人 Nathalie Malbert，波尔多第一大学教授，推荐人 Dominique Baillargeat，利摩日大学 (XLIM) 教授；Raymond Quéré，利摩日大学 (XLIM) 教授，审查员 Jean-Luc Roux，法国国家太空研究中心图卢兹工程师，审查员 Olivier Jardel，泰雷兹阿莱尼亚宇航公司图卢兹工程师，受邀 Didier Floriot，UMS Semiconductors 工程师，受邀 Jean-Luc Muraro，泰雷兹阿莱尼亚宇航公司图卢兹工程师，受邀
GaN 基 HEMT 中的捕获和可靠性调查
论文委员会：Olivier Latry，鲁昂大学助理教授（HDR），推荐人 Nathalie Malbert，波尔多第一大学教授，推荐人 Dominique Baillargeat，利摩日大学教授，XLIM，校长 Denis Barataud，利摩日大学教授利摩日，XLIM，审查员 Gaudenzio Meneghesso，帕多瓦大学教授，审查员 Raymond Quéré，利摩日大学教授，XLIM，审查员 Jean-Luc Roux，法国国家太空研究中心图卢兹工程师，审查员 Olivier Jardel，泰莱阿莱尼亚宇航公司图卢兹工程师，邀请 Didier UMS Semiconductors 工程师 Floriot 邀请 Thalès Alenia Space Toulouse 工程师 Jean-Luc Muraro 邀请
隐藏的马尔可夫模型适合文本生成
关键字：Gan，Mishemt，MBE，MMIC，AL 2 O 3，可靠性摘要雷神已经在<111> si Hemt技术上采用了分子束外延（MBE）开发了gan的状态。相对于MOCVD（〜1000 o C）的分子束外延（MBE）的较低生长温度（〜750 o C）导致热性能提高和从IIII-V/SI界面减少微波损失。这些因素结合起来，以使最有效的高功率（> 4 w/mm）在高频（≥10GHz）上进行操作，这些操作通常与Si上的gan hemts无关。较低的温度MBE生长过程减少了生长后冷却后的GAN拉伸应变，这又使Aln成核层用于GAN HEMT生长。这与基于MOCVD的生长中使用的复杂的Algan/Aln菌株补偿层相反，这些层已显示出显着降低IIII-V外延层的总体导热率。此外，低温MBE ALN成核层导致Si/IIi-氮化物界面处的界面电荷降低。这种大大降低的电荷使雷神能够实现<0.2dB/mm的创纪录的低微波损失（对于SI上的GAN），最高为35 GHz，可与SIC上的GAN相当[1]。最重要的是，在100mm高电阻（> 1,000 ohm-cm）上实现MBE种植的Gan Hemt Epi层质量和均匀性时，记录了创纪录的低微波损失（> 1,000 OHM-CM）<111> Si，可与MOCVD在SIC上生长的GAN相当。板电阻低至423欧姆 /平方英尺（±0.8％），迁移率为〜1,600 cm 2 /v-s。这样做是为了使整个栅极电容，IDSS，IMAX和V t与为了减少门泄漏，雷神用ALD沉积了Al 2 O 3作为高k栅极介电介质形成不幸的。为了最大程度地减少门泄漏，而不会影响关键的RF设备特性（例如FT，FMAX，POWER和PAE），使用电荷平衡模型与栅极介电堆栈一起设计Schottky层厚度。
PLS/HEMTT LHS...
到目前为止，您单位的 M1076 PLS 拖车应该不再有 10 螺栓轮辋。如果已应用 MWO 9-2330-385-20-1（螺栓连接车轮安装说明），则情况确实如此。MWO 描述了 12 螺栓轮辋（Titan 车轮），但 14 螺栓轮辋（Accuride 车轮）也可以正常工作。任一轮辋都配有 NSN 2530-01-500-4991，可以混合安装在同一个拖车和车轴上。
新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs 器件耐压分析
摘要 本文通过对有源区耗尽层的分析，首次得出AlGaN/GaN HEMT中耗尽层过程不同于硅功率器件的结论。基于AlGaN/GaN HEMT这种特殊的破坏原理，提出了一种新的RESURF AlGaN/GaN HEMT结构，以降低表面电场，提高击穿电压。该结构在极化AlGaN层中引入两个不同的负电荷区，通过耗尽2DEG来降低高边缘电场；在近漏极加入正电荷，首次降低了漏极高电场峰值。应用ISE仿真软件，在器件中验证了虚拟栅极效应。
采用 RF 兼容工艺实现的功率 AlGaN/GaN HEMT 击穿失效机制研究
研究了功率 AlGaN/GaN HEMT 系列的击穿失效机制。这些器件采用市售的 MMIC/RF 技术与半绝缘 SiC 衬底制造。在 425 K 下进行 10 分钟热退火后，对晶体管进行了随温度变化的电气特性测量。发现没有场板的器件的击穿性能下降，负温度系数为 0.113 V/K。还发现击穿电压是栅极长度的减函数。在漏极电压应力测试期间，栅极电流与漏极电流同时增加。这表明从栅极到 2-DEG 区域的直接漏电流路径的可能性很大。漏电流是由原生和生成的陷阱/缺陷主导的栅极隧穿以及从栅极注入到沟道的热电子共同造成的。带场板的器件击穿电压从 40 V（无场板）提高到 138 V，负温度系数更低。对于场板长度为 1.6 l m 的器件，温度系数为 0.065 V/K。2011 Elsevier Ltd. 保留所有权利。
CHEMTROL 250 ORP/pH 数字控制器 - NESPA Tiled Spas
1.控制器 - 将控制器与定时器的 110 或 230V 输出并联连接到再循环泵。这样可以防止泵未运行时意外注入化学品。确保遵守电气规范。2.传感器 - 将 ORP 和 pH 传感器安装在再循环管路或可选旁通管路上。两个传感器可以直接安装在主再循环管路上，使用 2 英寸 PVC 三通，如示意图所示。对于直径超过 2 英寸的再循环管路，传感器应该
AlGaN/GaN HEMT 和 HBT
BFOM = Baliga 功率晶体管性能品质因数 [K* µ *Ec 3 ] JFM = Johnson 功率晶体管性能品质因数（击穿，电子速度积）[Eb*Vbr/2 π ]