Particulars Unit FY 2024-25 Auxiliary Consumption % 9.50% Gross Station Heat Rate kCal/kWh 2500 GCV of Coal kCal/kg 3084.00 GCV of Oil (LDO) kCal/ltr 10000.00 GCV of Oil (HFO) kCal/ltr 10000.00 Specific Coal Consumption kg/kWh 0.80 Specific Oil Consumption-LDO ml/kWh 0.35特定的石油消耗量HFO ML/kWh 3.15煤Rs./mt 1664.76次生油-LDO RS./ KL 84867.03次级油-HFO RS./ KL 58863.34的价格可变费用,每千瓦时(基本价值)PAISA/KWH 170.80.80
(Al 2 O 3)X(HFO 2)具有不同组合物的1-X膜通过血浆增强的原子层沉积(PEALD)沉积在硅底物上,并制造了金属氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物层沉积物(MOS)电容器。通过电气测量检查了不同诱导的Al含量对HFO 2介电特性的影响。结果表明,增加的含量增加了平坦的电压,降低了界面状态密度(D IT),并显着降低了给定电压下的泄漏电流。此外,室温I-V测量值表明Schottky发射(〜0.8-4.8 mV/cm),Poole-Frenkel(PF)发射(〜4.8-7.3 mV/cm)和Fowler-Nordheim(FN)(FN)隧道(〜7.3-8.3 mV/cm)是众多机制。在较高的温度(75–100°C)下,富含AL的样品(50-100%)的泄漏机制从FN隧道转移到高电场的PF发射(〜3.3-6.87 mV/cm)。使用X射线光电子光谱(XPS)和紫外线(UV)分光光度法表征膜的组成和能带对准,表明将Al引入HFO 2会增加带盖,从而增加了介电常数,可减少介电常数,并显着降低氧气空间。因此,进一步证明,具有适当含量的HFO 2膜可以有效地增强介电特性并调整介电层的材料参数。
3.6 燃油系统,HFO 操作 ............................................................................................................. 34 3.6.1 柴油发动机残余燃料的要求(如加注) ................................................................................ 34 3.6.2 粘度/温度图 ............................................................................................................. 35 3.6.3 系统图 – 重质燃油操作 ............................................................................................. 36 3.6.4 HFO 系统组件 ............................................................................................................. 37 a) 细过滤器(已安装)HF1 ............................................................................................................. 37 b) 滤网 HF2 ............................................................................................................................. 37 c) 自清洁过滤器 HF4 ............................................................................................................. 38 d) 粘度计 HR2 ............................................................................................................................. 38 e) 压力泵 HP1/HP2 ............................................................................................................. 38 f) 循环泵 HP3/HP4 ............................................................................................................. 38 g)压力调节阀HR1................................................................
纳米层压膜是由不同材料交替层组成的复合膜 [1]。这些多层纳米结构因能够调整其机械或物理性质以用于各种特定应用而备受关注。例如,在微电子领域,人们考虑将其用作介电绝缘体 [2,3]。事实上,人们现正致力于制备具有高介电常数和良好化学/热稳定性的多组分体系。特别是 Al 2 O 3 -HfO 2 纳米层压膜似乎是最有前途的体系,可用于硅基微电子器件 [4-9] 以及下一代电力电子器件 [10-15]。能够充分利用 Al 2 O 3 和 HfO 2 单一材料的最合适性质,促使人们研究将它们组合成层压体系。实际上,众所周知,Al 2 O 3 具有极其优异的化学稳定性和热稳定性、大的带隙(约 9 eV)、与不同半导体衬底的带偏移大,但其生长会形成高的氧化物陷阱电荷密度,但其介电常数值并不高(约 9)[16]。对于 HfO 2 介电氧化物,虽然可以实现相当高的介电常数值(约 25),但由于其在相对较低的温度(约 500°C)下从非晶态转变为单斜晶态,因此可靠性较低,并且由于其带隙很小(5.5 eV)所以漏电流密度高[16]。在这种情况下,由两种 Al 2 O 3 -HfO 2 高 k 氧化物组成的纳米层状结构是提高热稳定性和维持高介电常数值的有前途的解决方案。
摘要:石墨烯/硅异径光电探测器由于高表面状态和界面处的低屏障高度而遭受高黑暗电流,这限制了它们的应用。在这项研究中,我们通过磁控溅射引入了HFO X界面层以解决此问题。使用这种新结构,在偏置电压为-2 V的情况下,暗电流降低了六次。在460 nm的照明下,响应性为0.228a/w,检测率为1.15×10 11 cmHz 1/2 w -1,噪声等效的功率为8.75×10-5 pw/hz 1/2/2/2/2/2/hz 1/2/hz 1/2/hz 1/2/hz 1/2/2/hz 1/2/2/hz 1/2/hz 1/2/hz 1/2/hz 1/hz 1/2/2/2/hz 1/2/2/hz 1/2/2/hz 1/2/hz 1/2/2/2/hz 1/2/2/hz 1/2/hz 1/2/hz 1/2/2/hz 1/2/hz 1/2/hz 1/2/hz 1/2/hz。此外,HFO X界面层中的氧空位为电荷载体提供了导电通道,导致光电流增长2.03倍,外部量子效率为76.5%。光电探测器在低偏置电压下保持良好的光响应能力。这项工作展示了HFO X膜作为界面层材料的出色性能,并为高性能光电探测器提供了新的解决方案,以及提高太阳能电池光伏转换效率的新途径。
在发电方面,化石燃料和水力发电的作用大致相同。国家电力系统 (NPS) 由 EBS 服务的七个独立电网组成。帕拉马里博能源网络 (EPAR) 是帕拉马里博市区、瓦尼卡半城区和萨拉马卡、科默韦讷和帕拉周边农村地区最大的网络,峰值需求约为 203 兆瓦 (MW)。EPAR 主要依靠 189 兆瓦的阿福巴卡水电站的电力供应,但随着近几十年电力需求的增加,EBS 与 Staatsolie 签订了购买协议,还需要在两座发电厂使用重质燃料油 (HFO) 和柴油发电,总装机容量为 169.6 兆瓦。在 EPAR 之外,EBS 还运营着六个使用重质燃料油和柴油的额外电力系统。最大的系统位于 Nickerie(也称为 ENIC),电力由位于 Clarapolder 的 20.6 兆瓦火力发电厂提供,该火力发电厂使用重质燃料油和优质柴油。 EBS 服务的其余五个农村电网是 Albina、Apoera、Coronie、Moengo 和 Wageningen,位于沿海地区,柴油发电厂的装机容量约为 23 兆瓦。
德克萨斯大学奥斯汀分校微电子研究中心,美国德克萨斯州奥斯汀 78758 电话:(512) 471-1627,传真:(512) 471-5625,电子邮件:k-onishi@mail.utexas.edu 摘要 研究了合成气体 (FG) 退火对 HfO 2 MOSFET 性能的影响。结果表明,高温 (500-600°C) FG 退火可显著改善 N 和 PMOSFET 的载流子迁移率和亚阈值斜率。这种改善与界面态密度的降低有关。还在 HfO 2 沉积之前用 NH 3 或 NO 退火进行表面处理的样品上检查了 FG 退火的有效性。结果发现,FG 退火不会降低 PMOS 负偏置温度不稳定性特性。
摘要:已经广泛研究了基于HFO 2的铁电材料,用于将其用于铁电FET,这与常规CMOS过程兼容。但是,材料固有的疲劳特性的问题限制了其用于设备应用的潜力。本文系统地研究了拉伸应力和退火温度对ZR掺杂的HFO HFO 2铁电灯面临的耐力和铁电特性的影响。残余极化(P R)显示了退火温度的趋势增加,而在与应激或退火温度的关系方面,强制性电场(E C)的变化并不明显。此外,拉伸应力的应用确实有助于将耐力特性提高到两个数量级的数量级,而耐力特性显示出与退火温度负相关的趋势。总体而言,尽管应力对HZO材料的铁电性的影响并不明显,但它对其耐力的特性具有很大的影响,并且可以优化材料的耐力,而铁电性对温度的依赖性更高。通过压力优化HZO材料的耐力特性可以促进其在未来的集成电路技术中的开发和应用。
在本研究中,我们制造了一种 Ta/HfO 2-x /Mo 基单细胞忆阻器,这是一种全球独一无二的配置。研究了基于 HfOx 的忆阻器器件上钽和钼电极的突触行为。使用脉冲激光沉积 (PLD) 方法生长 HfO 2-x (15 nm),并使用溅射系统和光刻法制造电极。通过 X 射线光电子能谱 (XPS) 确定金属氧化物化学计量。成功获得了长期增强 (LTP) 和成对脉冲促进 (PPF) 特性,它们在人工神经网络的学习过程中发挥着重要作用。进行了电流-电压测量和保持测试,以确定器件在适当范围内的 SET 和 RESET 状态。结果表明,该忆阻器器件是人工神经网络 (ANN) 应用的有力候选者。