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一种低电压下具有大存储窗口的电荷捕获存储器件的Gd掺杂HfO2单膜
近来，电荷捕获存储器（CTM）器件，例如硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅（SONOS）结构闪存，因其在 15 nm 节点以下进一步缩小的潜力而吸引了众多关注。1 与传统浮栅（FG）器件相比，CTM 器件具有可靠性更高、工作电压更低和制造工艺更简单等优点。1,2 然而，由于隧道氧化物和电荷捕获氧化物厚度的缩小，数据保留仍然存在许多挑战。3 为了克服这些固有的缺点，高 k 材料，例如 HfO2、Al2O3、TiOx、ZnO 和 ZrO2，已被引入到 CTM 器件中，以实现更好的电荷捕获效率和保留能力。4–10 此外，大存储窗口和低工作电压的理想共存仍然是一个巨大的挑战。目前大多数 CTM 器件在低于 6 V 的电压下工作时，存储窗口都可忽略不计。对于高 k 材料，掺杂已被证明是一种实现低功耗充电捕获存储器的潜在方法，例如 Zr 掺杂的 BaTiO 3 和氟化 ZrO 2 。11,12 Gd 掺杂的 HfO 2 (GHO) 是一种很有前途的高 k 材料，已被提出具有相对较高的陷阱密度、大的电导率
对MOF吸收在羟基化和非羟基化金属氧化物表面上吸收的第一原理研究及其对MOS2原子层沉积的影响
对二维过渡金属二核苷的显着兴趣已通过可伸缩的蒸气相，例如化学蒸气沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）进行了许多实验研究。ALD通常允许较低的沉积温度，化学前体的成核需要与表面官能团的反应。用于研究ALD建模的一种常见的第一原理方法是计算提出的反应途径的活化能。在这项工作中，我们使用密度功能理论（DFT）计算了部分电荷密度，状态（LDO）的局部密度（LDOS），不良电荷分析，吸附能和电荷密度差，以研究MOF 6在包括Al 2 O 3，HFO 2，HFO 2和MGO在内的三个氧化物表面上MOF 6的成核。我们的发现表明，羟基（OH）有助于降低MOF 6的前半循环期间的反应屏障，并促进氧化物底物上前体的化学吸收。这一发现得到了高离子MF X（M =金属，X = 1，2，3）在氧化物表面的键的支持。通过比较有和没有羟基的表面，我们强调了表面化学的重要性。
牙买加的可再生能源经验
热能：柴油发动机-HFO（289.9MW）、燃气轮机-ADO（151.5MW）、联合循环-LNG（308MW）可再生能源：水电（29.1MW）、风电（101.3MW）、太阳能（57MW）。热电联产- GT LNG（94MW） -我们从多家独立电力生产商（IPP）购买电力 -总装机容量：1030.8 MW（JPS – 337.6 MW /IPPs – 693.2 MW） -峰值需求：666.7 MW（2017 年 9 月）
铁电铪-氧化锆基金属-氧化物-半导体结构中界面氧化物层的远程除氧
摘要：HfO 2 中铁电性的发现引起了人们对其在存储器和逻辑中的应用的极大兴趣，因为它具有 CMOS 兼容性和可扩展性。使用铁电 HfO 2 的器件正在被研究；例如，铁电场效应晶体管 (FEFET) 是下一代存储器技术的主要候选者之一，因为它具有面积小、能效高和运行速度快等优点。在 FEFET 中，铁电层沉积在 Si 上，界面处不可避免地会形成厚度约为 1 nm 的 SiO 2 层。该界面层 (IL) 增加了切换极化和写入存储器所需的栅极电压，从而增加了操作 FEFET 所需的能量，并使该技术与逻辑电路不兼容。本研究结果表明，铁电 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基金属氧化物半导体 (MOS) 结构中的 Pt/Ti/薄 TiN 栅极电极可以远程清除 IL 中的氧气，将其减薄至约 0.5 纳米。IL 的减少显著降低了铁电极化切换电压，同时剩余极化强度增加约 2 倍，极化切换突变度增加约 3 倍，这与密度泛函理论 (DFT) 计算结果一致，该计算模拟了 IL 层在栅极堆栈静电中的作用。剩余极化强度和极化切换突变度的大幅增加与清除过程中的氧扩散相一致，氧扩散减少了 HZO 层中的氧空位，从而使部分 HZO 晶粒的极化脱钉扎。关键词：铁电性、远程清除、夹层、EOT 减少、极化■ 介绍
铁电铪-氧化锆基金属-氧化物-半导体结构中界面氧化物层的远程除氧
摘要：HfO 2 中铁电性的发现引起了人们对其在存储器和逻辑中的应用的极大兴趣，因为它具有 CMOS 兼容性和可扩展性。使用铁电 HfO 2 的器件正在被研究；例如，铁电场效应晶体管 (FEFET) 是下一代存储器技术的主要候选者之一，因为它具有面积小、能效高和运行速度快等优点。在 FEFET 中，铁电层沉积在 Si 上，界面处不可避免地会形成厚度约为 1 nm 的 SiO 2 层。该界面层 (IL) 增加了切换极化和写入存储器所需的栅极电压，从而增加了操作 FEFET 所需的能量，并使该技术与逻辑电路不兼容。本研究结果表明，铁电 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基金属氧化物半导体 (MOS) 结构中的 Pt/Ti/薄 TiN 栅极电极可以远程清除 IL 中的氧气，将其减薄至约 0.5 纳米。IL 的减少显著降低了铁电极化切换电压，同时剩余极化强度增加约 2 倍，极化切换突变度增加约 3 倍，这与密度泛函理论 (DFT) 计算结果一致，该计算模拟了 IL 层在栅极堆栈静电中的作用。剩余极化强度和极化切换突变度的大幅增加与清除过程中的氧扩散相一致，氧扩散减少了 HZO 层中的氧空位，从而使部分 HZO 晶粒的极化脱钉扎。关键词：铁电性、远程清除、夹层、EOT 减少、极化■ 介绍
制造大区域 - 碳催化 -
摘要。催化冷凝器稳定电荷在高K介电膜的任一侧，以调节催化层的电子状态，以用于对表面反应的电子控制。在这里，碳溅射提供了用于快速，大规模制造的工业应用所需的金属碳催化冷凝器。碳膜在HFO 2介电/P型Si上被溅射，其厚度不同（1、3、6、10 nm），并且在400°C下热处理后碳厚度增加后，观察到电导率和碳膜电容的增强。在PT沉积在碳膜上后，PT催化冷凝器的高电容率为〜210 nf/cm 2，其频率约为1,000 Hz，满足了动态催化剂以实现催化催化剂的需求。温度编程的一氧化碳的解吸产生的CO吸收峰在温度下移动，其电势施加在冷凝器（-6 V或6 +V）（-6 V或6 +V）上，表明PT冷凝器表面上碳一氧化碳的结合能的变化。在400°C的升高温度下观察到电容（约2,000 nf/cm 2）的电容（约2,000 nf/cm 2），当应用10 V电势时，每个金属原子的电荷约为10％。42 cm 2面积PT/C/HFO 2/Si的大型催化冷凝器表现出9,393 NF的高电容，泄漏电流/电容电流比（<0.1）低，表明了宽敞的金属制造方法，用于金属型碳酸金属型制度型持久性。
热泵：欧盟能量过渡到净零排放的关键技术
在热泵的背景下，值得注意的是，某些系统将继续依靠氟化气体，例如Hydrofluorocarbons（HFC）和Hydrofluroloolefins（HFOS）。这主要是因为，对于特定的应用程序，它们目前代表了最实用，最安全的选择。过渡到非氟化制冷剂仍然是一项重要的旅程，因为它将花费比限制提案中最初提出的更多时间。在整个价值链中实现一致性，坚持更新的建筑代码，确保严格遵守安全法规并实施所有必要的适应是复杂的任务，这将大大扩展时间表。值得注意的是，HFO与许多非氟化替代方案具有类似的GWP值。3
基于忆阻器的内存计算
摘要 随着基于忆阻技术的内存计算系统的迅速兴起，将此类内存设备集成到大规模架构中是需要解决的主要问题之一。在本文中，我们研究了基于 HfO 2 的忆阻设备在大规模 CMOS 系统（即 200 毫米晶圆）中的集成。分析了单金属-绝缘体-金属设备的直流特性，同时考虑了设备间的差异和开关特性。此外，还分析了样品原始状态下漏电流水平的分布，并将其与被测设备中未成形的忆阻器数量相关联。最后，将得到的结果拟合到基于物理的紧凑模型中，从而可以将其集成到更大规模的模拟环境中。
带有 RF 和光子模块的 SiGe BiCMOS 技术
PIC SOI 晶圆上的附加光子设计层与 BiCMOS BEOL 层一起 LBE 提供局部背面蚀刻模块，用于局部去除硅以提高无源性能（适用于所有技术） TSV 模块是 SG13S 和 SG13G2 技术中的附加选项，可通过硅通孔提供 RF 接地以提高 RF 性能。 MEMRES 基于 SG13S 技术中的电阻式 TiN/HfO 2-x/TiN 开关器件的完全 CMOS 集成忆阻模块。还提供包括布局和 VerilogA 仿真模型的工艺设计套件。 TSV+RDL 模块是 SG12S 和 SG13G2 技术中的附加选项，在 BiCMOS 上提供具有单个重新分布层的 TSV
具有 RF 和光子模块的 SiGe BiCMOS 技术
PIC SOI 晶圆上的附加光子设计层以及 BiCMOS BEOL 层 LBE 局部背面蚀刻模块可用于局部去除硅以提高无源性能（适用于所有技术） TSV 模块是 SG13S 和 SG13G2 技术中的附加选项，可通过硅通孔提供 RF 接地以提高 RF 性能 MEMRES 基于 SG13S 技术中的电阻式 TiN/HfO 2-x/TiN 开关器件的全 CMOS 集成忆阻模块。还提供包括布局和 VerilogA 仿真模型的工艺设计套件。 TSV+RDL 模块是 SG13S 和 SG13G2 技术中的附加选项，在 BiCMOS 上提供带有单个重分布层的 TSV