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模拟中的统计温度系数分布...
𝑅（𝑇）=𝑅0[1 +𝑇（𝑇−𝑇0）]（1）其中r 0是参考温度t 0处的电阻，而tα是温度系数。图。1（b）。少数低电阻细胞转化为金属的传导机制。RRAM阵列中的电导与神经网络中的代表权重成正比22。因此，通过将RRAM细胞随机编程为八个不同的电导，从直观地检查了电导漂移，如图1（c）。可以观察到电导分布在300K处非常紧密，并且随着温度升高而变得更宽。随着电导的增加，相邻电导之间的重叠发生在较低的温度下，这显着降低了神经形态计算的准确性。
超薄脉冲直流磁控溅射马立克铝膜的优化：用于双曲超材料、晶体技术，MDPI AG，vol
摘要：双曲超材料的未来应用需要具有替代超薄导电/电介质膜的材料堆栈，这些薄膜具有良好的厚度均匀性和降低的粗糙度。在这项工作中，使用田口方法优化了铝的脉冲直流磁控溅射技术，以制造具有改进的粗糙度水平的铝膜。进行的结构表征证明了较小的铝畴和更好的表面均匀性。优化的工艺用于制造 Al / HfO x 多层结构作为超材料介质。在紫外/可见光范围内对所制造的结构进行了光学表征。所提出的发现证明了所检查堆栈的有效反射率的可调谐性效应。所提出的结果对于未来基于双曲超材料的新型光子装置中的多层结构的应用很有希望。
关于...
CEB CEYLON电力委员会CPC Ceylon Petroleum Corporation CBSL中央银行MLKR MILKR百万斯里兰卡卢比卢比GWA Renewable Energy GDP Gross Domestic Product HFO Heavy Fuel Oil DL Distribution Licensee TL Transmission Licensee OPEX Operational Expenditure CAPEX Capital Expenditure PPA Power Purchase Agreement ROA Return on Asset ROE Return on Equity AWPLR Average Weighted Prime Lending Rate CCPI Colombo Consumer Price Index PPIUS Producer Price Index United States of America O&M Operation and Maintenance BST Bulk Supply Tariff IPP Independent Power Producers ToU Time of Use
基于多层 RRAM 的深度学习推理引擎的读取扰动和双极读取方案研究
摘要——基于多层电阻式随机存取存储器 (RRAM) 的突触阵列可以实现矢量矩阵乘法的并行计算，从而加速机器学习推理；然而，由于模拟电流沿列相加，因此单元的任何电导漂移都可能导致推理精度下降。在本文中，在基于 2 位 HfO 2 RRAM 阵列的测试车辆上统计测量了读取干扰引起的电导漂移特性。通过垂直和横向细丝生长机制对四种状态的漂移行为进行了经验建模。此外，提出并测试了一种双极读取方案，以增强对读取干扰的恢复能力。建模的读取干扰和提出的补偿方案被纳入类似 VGG 的卷积神经网络中，用于 CIFAR-10 数据集推理。
电阻开关器件中的可变性估计，数值和动力学蒙特卡罗视角
我们利用先进的数值技术处理基于动力学蒙特卡罗技术的实验测量和模拟，分析了电阻存储器 (RRAM) 中的可变性。研究中使用的设备是使用 TiN/Ti/HfO 2 /W 堆栈制造的。利用新开发的提取方法获得了开关参数。通过与动力学蒙特卡罗模拟进行比较，检查了高级参数提取方法的适用性；特别是，研究和检测了复位和设置事件。获得的数据用于阐明电阻开关操作和周期间可变性。结果表明，可变性取决于用于获得设置和复位电压的数值技术，因此，在 RS 特性和建模研究中必须考虑到这个问题。所提出的技术是互补的，并且根据技术和曲线形状，特定方法的特征可以使其成为最合适的方法。
Si衬底上沉积的HfO2栅极介电体界面陷阱密度和串联电阻的频率依赖性研究：50MeV Li3+离子辐照前后
我们首次报告了 50 MeV Li 3+ 离子辐照对串联电阻和界面态密度的频率依赖性影响的研究，这些影响是由射频溅射制备的 HfO 2 基 MOS 电容器的电容-电压 (C-V) 和电导-电压 (G-V) 特性确定的。样品在室温下用 50 MeV Li 3+ 离子辐照。测得的电容和电导已根据串联电阻进行校正。在辐照之前和之后，在 1 KHz 至 1 MHz 的不同频率下估算了串联电阻。观察到串联电阻在辐照前随频率从 6344.5 降低到 322 欧姆，在辐照后降低到 8954-134 欧姆。界面态密度D it 由辐照前的1.12×10 12 eV 1 cm 2 降至3.67×10 11 eV 1 cm 2
新斯科舍省公用事业和审查委员会
COD（年）风能和太阳能资源利率基本采购373 2025绿色选择计划350 2028霍克斯伯里港纸风风168 2025可续签零售风能150 2024社区太阳能50 2025-2029商业净计量仪50 2024-2024-2024-2029 2027-2028 Fast Acting Generation Resources Stage 1 300 2027 Stage 2 300 2029-2030 Fuel Conversions at Existing Units Gas Conversion – Point Tupper 2 150 2028 HFO Operation – Lingan 1/3/4 459 2029 Total New Wind & Solar 1,141 Total New Energy Storage 400 Total New Fast Acting Generation 600 Total Fuel Conversions 609 Load Management Initiatives 150 2025-2029 Total Coal Phase Out 1,229 2
非晶态HfO_2中的氧空位和氢
非晶态二氧化铪 (a-HfO 2 ) 广泛用于电子设备，例如超大规模场效应晶体管和电阻存储单元。a-HfO 2 中氧空位 (OV) 缺陷的密度对非晶态材料的电导率有很大影响。最终，OV 缺陷是造成导电细丝路径形成和断裂的原因，而导电细丝路径可用于新型电阻开关设备。在这项工作中，我们使用从头算方法研究了 a-HfO 2 中的中性 OV。我们研究了 OV 的形成能、双 OV 的结合能、不受干扰和在氢原子附近存在时的 OV 迁移以及氢原子向 OV 的迁移。与结晶 HfO 2 中的势垒 (2.4 eV) 相比，a-HfO 2 中存在浅而短程的 OV 迁移势垒 (0.6 eV)。附近的氢对 OV 迁移的影响有限；然而，氢可以通过在OV之间跳跃而轻易扩散。
价态变化存储器中的介电击穿成像
电介质击穿 (DB) 控制着微电子设备的故障，并且日益影响着其功能。标准成像技术基于物理结构产生对比度，难以将这一电子过程可视化。本文，我们报告了 Pt/HfO 2 /Ti 价态变化存储设备中 DB 的原位扫描透射电子显微镜 (STEM) 电子束感应电流 (EBIC) 成像。STEM EBIC 成像直接将 DB 的电子特征可视化，即电导率和电场的局部变化，具有高空间分辨率和良好的对比度。我们看到 DB 通过两个串联的不同结构进行：由电子注入产生的挥发性“软”丝；以及由氧空位聚集产生的非挥发性“硬”丝。该图在“软”和“硬”DB 之间进行了物理区分，同时适应了“渐进式”DB，其中硬丝和软丝的相对长度可以连续变化。
在循环经济时代浪费到能源
adb - 亚洲开发银行ASTM - 美国测试材料生物群体 - 压缩的生物甲烷CHP - 热量和电力雪茄 - 覆盖在地面厌氧反应器中 - 压缩天然气鳕鱼 - 化学氧气 - 化学氧气需求DMC DMC DMC - 发展成员国DME - 发展成员国 - dimethyl Ether efb-efter-efter-eft efbund epre eppr – Eppr eper-evermation fite fite fite fulame fiter-evermation fite fite fite fulame fite forame fite fulame fite forame fite forame-eviment methyl ester FMCG – fast-moving consumer goods GGCS – green gas certification scheme GHG – greenhouse gas HFO – heavy fuel oil LCOE – levelized cost of energy LNG – liquefied natural gas LSFO – low sulfur fuel oil MBT – mechanical biological treatment MOE – Ministry of Environment MOF – Ministry of Finance MGW – municipal green waste MSW – municipal solid waste NEF – networking existing设施