两种类型的磨损均衡都旨在将“热”数据从磨损相对较重的块中分散出去。静态磨损均衡通过将长时间未修改的数据从经历少量 P/E 周期的块中移出并移入磨损更严重的块来实现此目的。这样可以释放较新的块以容纳新数据,同时减少对疲惫块的预期磨损。相比之下,动态磨损均衡作用于正在传输的数据,以确保将其优先写入磨损最少的空闲块,而不是接近其额定寿命的块。这些技术在控制器中一起使用,以最佳地平衡 NAND 阵列的磨损情况。
• DM.2e @ 15W • DM.2 @ 25W • PCIe/HHHL @ 75W • AI 核心 (AIC) - 最多 16 个核心 • 精度 – INT8、INT16、FP16、FP32 • 片上 SRAM – 最多 144 MB • 4x64 LPDDR4x (2.1GHz) 带内联 ECC