具有双自由基特征的多环芳杂环 (PAH) 的分子拓扑合成源于分子内偶联的突破。在此,我们报道了选择性 Mn(III)/Cu(II) 介导的 C − P 和 C − H 键断裂,以获得具有螺旋或平面几何形状和不同阳离子电荷的坚固的供体稠合磷鎓。前一种螺旋结构包含一个共同的磷酸[5]螺旋化受体和不同的芳胺供体,而后一种平面结构包含一个磷酸[6]螺旋化和相同的供体。这些前所未有的供体-受体 (D − A) 对表现出独特的拓扑依赖性光电特性。折叠螺旋自由基中心具有极端的电子缺陷状态和空间隔离,具有高度的双自由基特性 (y 0 = 0.989)。此外,巧妙的电荷转移 (CT) 和局部激发 (LE) 跃迁成分促进了不同溶剂中不同的杂化局部和电荷转移 (HLCT),赋予了 0.78 eV (~217 nm) 的最大发射带隙变化。阳离子发射也可以通过拓扑定制和极性依赖的 HLCT 从蓝色区域调整到近红外区域,这可以在兼容的手性薄荷醇基质中输出额外的圆偏振发光,同时提高量子效率并保留深红色辉光。值得一提的是,原子精确的 Mn(III) 卤化物已被史无前例地捕获并确定用于 C-P 键活化。
长波长发光材料的严重猝灭是制约OLED发展的重要瓶颈,例如Zhang等报道了一系列新型DA型橙色和红色荧光材料,其外量子效率(EQE)仅为3.15%,发射峰在592nm,而外量子效率(EQE)仅为2.66%,发射峰在630nm。16以三苯胺和N,N-二苯基苯胺为结构发光材料的橙色器件的最大EQE较低,为3.42%。17Yang等也报道了一种以吡啶-3,5-二腈为核心的TADF橙色发光材料,其电致发光(EL)峰值在600nm,其最大EQE为9.8%,18远低于蓝色和绿色器件。具有特色 DA 结构的 HLCT 基材料可以通过快速“热激子”通道从高位三线态 T m 实现逆向系统间窜改 (RISC) 到高位单线态 S n 。由于特殊的杂化局域电子 (LE) 和电荷转移 (CT) 激发态,这种独特的特性使 HLCT-OLED 具有高 EQE 和不明显的效率下降。19