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Machine Learning Technologies for Semiconductor Manufacturing Lifei Sun * , Pengfei Lyu, Xiao Zhang, Junjie Wu, Qingpeng Wang, Joseph Ervin, Yushan Ch
摘要随着半导体设备的大小减小，结构和材料变得越来越复杂，因此制造这些设备变得越来越困难。IC研发（R＆D）的复杂性和大容量制造（HVM）的规模大大增加了达到最终产量所需的成本和时间。芯片制造商，设备制造商和软件公司正在广泛的应用程序中探索和部署机器学习（ML）技术，包括流程开发，生产维护，计量和收益率改善，以解决这些扩展问题。拥有十多年的专业知识为半导体制造部署ML技术，LAM Research已开发了多种智能工具和ML解决方案，以优化半导体制造中的质量，效率以及生产力以及加速创新。在本文中，LAM的两个智能工具 - Semulator3D®和设备智能®DATAANALYZER（EI-DA） - 介绍了用于演示在R＆D和HVM期间如何使用LAM的先进技术来有效地生产最先进的微芯片。
Fronius电池存储解决方案
逆变器通过屏蔽的4极电缆（CAT5及更高）通过Modbus RTU（RS485）与电池通信。必须始终将终端电阻放在环的末端。使用BYD电池盒高级HVS/ HVM，这可以直接在存储系统上使用DIP开关。为了确保无错误的功能，逆变器和电池必须始终具有最新的软件更新。可以通过fronius solar.web激活逆变器的软件更新。
倒装芯片芯片到晶圆键合回顾
在本文中，我们考虑了对于 D2W 键合，封装集成商可以使用几种键合技术，从焊球到底部填充 TCB 和混合键合。讨论了各种特定的应用差距和技术载体，以强调 HVM 的采用目前还不是交钥匙工程，而与一直占主导地位的成熟引线键合相比，该技术似乎非常年轻。由于特定外形封装尺寸或设备应用对性能的要求很高，代工封装公司或使用内部封装工艺的大型半导体制造商，因此采用年轻的技术需要仔细规划，以解决潜在的差距和障碍，以实现具有成本效益、高产量和可扩展的技术。I/O 密度将受到关键因素的限制，例如键合对准精度、焊盘或凸块尺寸和金属界面、晶圆或载体晶圆形状/翘曲、如果采用了 CMP 技术，界面均匀性、退火和 DT 限制、底部填充特性、凸块金属选择、应力诱导裂纹形成；必须谨慎处理此处未考虑的其他差距和风险，以确保
具有 5 纳米图案化能力的高抗蚀刻性含二茂铁嵌段共聚物
1.引言在摩尔定律的驱动下，半个多世纪以来半导体产业一直致力于缩小特征尺寸。最近，13.5 纳米极紫外光刻 (EUVL) 技术已经应用于 5 纳米节点 HVM。由于目前 0.33 NA 的限制，EUVL 无法分辨小于 13 纳米线/线距的特征。与 EUVL 相比，定向自组装 (DSA) 表现出高达 5 纳米 L/S 的极精细分辨率，被视为亚 10 纳米甚至亚 5 纳米特征尺寸的潜在图案化技术[1-9]。最近，含金属 EUV 光刻胶已被开发用于提高超薄 EUV 光刻胶膜的抗蚀刻性[10，11]。最近，我们的研究小组报道了一系列具有氟化嵌段的 BCP，经过中等温度下 1 分钟的热退火后迅速形成亚 5 纳米域[12，13]。我们假设氟化侧链对超精细分辨率和图案化速度起着关键作用。然而，由于薄膜超薄，抗蚀刻性是 5 纳米以下 DSA 材料的主要问题。
电子元件与技术会议
此外，周二还将举行为期半天的异构集成路线图研讨会，由 Bill Chen 和 Bill Bottoms 主持。ECTC 还将邀请行业专家举办 7 场特别会议，讨论几个重要且新兴的主题领域。周二将安排 5 场特别会议，每场 90 分钟。5 月 31 日星期二上午 8:30，Chukwudi Okoro 和 Benson Chan 将主持“MicroLED 显示技术：大批量制造 (HVM) 进展与挑战”会议，随后 Amr Helmy 将于上午 10:30 主持特别会议，主题为“IEEE EPS 异构集成路线图的选定主题”。周二下午 1:30，Jan Vardaman 将就“从芯片到共封装光学器件”这一主题发表特别演讲，随后 Kuldip Johal 和 Bora Baloglu 将在下午 3:30 发表特别演讲，题为“IC 基板技术将如何发展以实现下一代异构集成方案以实现高性能应用？”周二晚上，Kitty Pearsall 和 Chris Riso 将共同主持 EPS 总裁 ECTC 小组会议，主题为“最先进的异构集成封装方案”。
高NA光刻
euv抗材料在启用高量制造（HVM）的高级光刻技术方面起着至关重要的作用，该技术针对低于5 nm的节点。在这项研究中，我们报告了对未来高NA EUV光刻术的可用EUV光孔师的广泛性能表征。，我们使用Paul Scherrer Institute和ASML合作的框架内使用EUV干扰光源工具（SLS）在瑞士光源（SLS）上调查了各种抵抗的性能。本文强调了我们在2023年观察到的主要改进，并提出了最佳性能的6种不同供应商的半票（HP）14及以下。本研究中考虑的重要性能特征是分辨率或HP，剂量到大小（DTS）和线宽度粗糙度（LWR）。为了评估抵抗的整体绩效，我们使用了z因子。我们研究了化学放大的抵抗（CAR）和非车材料。来自两个供应商的汽车达到了一个低至11 nm的分辨率，而多触发器抵抗（MTR）达到了13 nm的分辨率。新的金属有机抗（MOR）的分辨率低至11 nm。MTR和一辆汽车材料达到了迄今为止最低的Z因子。此外，我们研究了卧式对MOR性能的影响，并将新MOR的性能与前身进行了比较。，我们最终讨论了近年来抵抗性能的总体进展。我们观察到了几个抗性平台的稳定改善，这对于全球EUV抗性向高NA EUVL的发展令人鼓舞。
2022 年下半年的 EUV 光刻胶筛选活动
EUV 光刻胶材料对于实现下一代光刻技术至关重要，该技术旨在实现 5 nm 以下节点的大批量制造 (HVM)。在本研究中，我们报告了 EUV 光刻胶的广泛性能表征，用于未来的高 NA EUV 光刻。我们在 Paul Scherrer 研究所和 ASML 合作的框架内，使用瑞士光源 (SLS) 的 EUV 干涉光刻工具研究了各种光刻胶的性能。本文介绍了 2022 年下半年开展的工作的主要成果。本研究考虑的重要性能特征是分辨率或半节距 (HP)、剂量与尺寸比 (DtS) 和线宽粗糙度 (LWR)。为了评估光刻胶的整体性能，我们使用了 Z 因子。我们研究了化学放大光刻胶 (CAR) 和非 CAR 材料。两家供应商的 CAR 实现了低至 11 nm 半节距的分辨率，而多触发光刻胶 (MTR) 达到了 13 nm 的分辨率。相比之下，MTR 由于其高灵敏度而表现出更好的 Z 因子值。此外，我们研究了底层对金属有机光刻胶 (MOR) 性能的影响。最后，我们讨论了近年来光刻胶性能的总体进展。我们观察到多个光刻胶平台的稳步改进，这对全球 EUV 光刻胶向高 NA EUVL 的发展是令人鼓舞的。
体外系统药物测试表明卡铂、紫杉醇和 Alpelisib 可作为成人颗粒细胞瘤的潜在新型联合治疗方法
1 妇科肿瘤学系，乌得勒支大学医学中心乌得勒支癌症中心，乌得勒支大学，3584 CX 乌得勒支，荷兰；JFRoze@umcutrecht.nl（JR）；JWGroeneweg-11@umcutrecht.nl（JG）；rene.hmverheijen@gmail.com（RV）；G.Monroe@umcutrecht.nl（GM）2 遗传学系，分子医学中心，乌得勒支大学医学中心，Oncode 研究所，乌得勒支，3584 CX 乌得勒支，荷兰；e.sendinogarvi@uu.nl（ESG）；E.Stelloo@umcutrecht.nl（ES）；CSStangl-2@umcutrecht.nl（CS）；ferdinando.sereno@studenti.unipd.it（FS）； KJDuran@umcutrecht.nl (KD)；G.vanHaaften@umcutrecht.nl (GvH) 3 格罗宁根大学医学中心妇产科，格罗宁根大学，9713 GZ 格罗宁根，荷兰；stpaijens@umcg.nl (SP)；hwnijman@umcg.nl (HN) 4 阿姆斯特丹妇科肿瘤中心妇科肿瘤科，阿姆斯特丹大学医学中心，1105 AZ 阿姆斯特丹，荷兰；hsvanmeurs@amsterdamumc.nl (HvM)；lrvanlonkhuijzen@amsterdamumc.nl (LvL) 5 凯瑟琳娜医院妇产科，5623 EJ 埃因霍温，荷兰； jurgen.piek@catharinaziekenhuis.nl 6 荷兰阿姆斯特丹妇科肿瘤中心妇科肿瘤科，Antoni van Leeuwenhoek 医院癌症研究所，1066 CX 阿姆斯特丹，荷兰；c.lok@nki.nl 7 荷兰乌得勒支大学医学中心病理学系，乌得勒支大学，3584 CX 乌得勒支，荷兰；GNJonges@umcutrecht.nl 8 荷兰乌得勒支大学医学中心肿瘤内科系，3584 CX 乌得勒支，荷兰；POWitteveen@umcutrecht.nl * 通信地址：R.Zweemer@umcutrecht.nl；电话：+31-887-555-555 † 上述作者贡献相同。