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加州理工学院第 130 届年度毕业典礼......
管理。 Thomas Henry Clark 欣斯代尔，伊利诺伊州 物理学。 Lily Elizabeth Coffin† 法明代尔，加利福尼亚州 机械工程。 Daniel Christian Collinson 西切斯特，宾夕法尼亚州 计算与神经系统。 Matthew James Cox 达拉斯，德克萨斯州 化学工程（计算）。 Kaylor William Cruz 奥拉西，堪萨斯州 机械工程。 Stephen William D'Aquila† 麦克莱恩，弗吉尼亚州 电气工程。 Patill Takouhi Daghlian 阿尔塔迪纳，加利福尼亚州 物理学。 Saren Hagop Daghlian† 阿尔塔迪纳，加利福尼亚州 电气工程。 Neha S Dalia Sammamish，华盛顿州 计算机科学。 Suchitra Sakuntala Dara 贝克斯菲尔德，加利福尼亚州 生物工程与神经生物学（辅修）。 Rajeev Datta 南本德，印第安纳州 计算机科学与信息与数据科学
夹式粘合 CCPAK-1212：设计下一代 GaN 产品 Serge Karboyan、Ding Yandoc、Barr Licup、Manikant、Sara Martin Horcajo、Stefano
夹片键合 CCPAK-1212：设计下一代 GaN 产品 Serge Karboyan、Ding Yandoc、Barr Licup、Manikant、Sara Martin Horcajo、Stefano Dalcanale、John Denman、Zainul Fiteri、Hagop Tawidian、Manfred Rowe、Sven Zastrau、Adam Brown 和 Bas Verheijen Nexperia，Bramhall Moor Ln，斯托克波特，大曼彻斯特，英国 关键词：GaN、AlGaN、CCPAK1212、夹片键合、封装、产品可靠性。 引言 Nexperia 的商业化 GaN 基功率晶体管在功率器件市场表现出巨大优势，在 650 V 时提供低导通电阻。为了在不同应用（如车载充电器、DC-DC 转换器、牵引逆变器）[1、2] 中实现这种出色性能，Nexperia 推出了一种新型夹片键合封装 HEMT，在高工作电压下具有低关断态漏电。虽然这是 GaN 行业中第一个推出完全夹片键合解决方案而不需要任何引线键合连接的解决方案，但该解决方案的电感比引线封装低 5 倍（2.37 nH 对比近 14 nH），并且封装电阻超低，热阻小于 0.5 K/W [3]。要保持这种性能，需要高水平的器件工程设计，包括 HEMT 设计、MOSFET 设计以及紧凑型 CCPAK 中的共源共栅配置，从而形成具有行业领先性能的创新封装。夹片键合配置用于优化热性能和电气性能，简化的共源共栅可避免使用栅极驱动器。结果与讨论图 1 显示了共源共栅配置中的无引线键合 GaN HEMT 和 Si MOSFET。这些器件位于