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摘要 - 在辐射环境(例如空间)中,吸收剂量和剂量率的测量是一项常见的任务。这是用称为辐射剂量计的专用仪器来完成的。在空间任务中最常用的辐射剂量计中是基于辐射敏感的场效应晶体管(RADFET)的。 在本文中,我们为辐射硬化读数系统提出了一个设计概念,以实时测量带有RADFET的吸收剂量和剂量速率。 在吸收剂量和剂量率读数模式以及随后的数据处理之间的连续切换是由自适应耐受性缺陷耐受性的多处理系统对芯片(MPSOC)进行的。 使用嵌入式静态随机访问存储器(SRAM)对粒子通量的集成框架控制器(SRAM)实现了自主选择操作和耐故障模式,从而在可变辐射条件下实现了最佳性能。。在本文中,我们为辐射硬化读数系统提出了一个设计概念,以实时测量带有RADFET的吸收剂量和剂量速率。在吸收剂量和剂量率读数模式以及随后的数据处理之间的连续切换是由自适应耐受性缺陷耐受性的多处理系统对芯片(MPSOC)进行的。使用嵌入式静态随机访问存储器(SRAM)对粒子通量的集成框架控制器(SRAM)实现了自主选择操作和耐故障模式,从而在可变辐射条件下实现了最佳性能。
敏感节点对之间的电荷共享。当入射离子撞击敏感晶体管(例如节点 mn2 中的 PMOS 晶体管)时,一列电子-空穴对会沿入射轨道电离。电离载流子扩散到相邻的晶体管,导致相邻敏感节点之间的电荷收集,如图 3 所示。对于传统的 DICE 触发器,敏感节点对将收集足够的电荷并导致 SEU。对于所提出的 MSIFF,增加的节点间距可有效减少由于复合过程引起的扩散收集。此外,从属锁存器的插入组件也有助于收集额外的载流子 [19]。它将显著降低电离载流子密度并阻止扩散收集过程。因此,敏感节点对不会同时收集足够的电荷,并且所提出的 MSIFF 中不会发生 SEU。
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Sandia 开发了一种结构化 ASIC,它通过使用预先合格的基础阵列,可以实现快速周转、降低非经常性工程 (NRE) 和开发成本,并降低开发风险。结构化 ASIC 是一种使用 ViASIC ® Via-Mask 技术的金属通孔可配置、规则结构状结构。Sandia 的结构化 ASIC 经过分区以实现电源排序和冗余,还允许关闭未使用的晶体管以最大限度地降低功耗、静态电流和光电流。还提供包含封装去耦电容器的选项。目前,已经开发了两个产品平台:Eiger ViArray 数字抗辐射结构化 ASIC 和 Whistler ViArray 混合信号抗辐射结构化 ASIC。
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1 样品为使用 #1581 或 7781 玻璃的 12 层层压板。 2 应验证每层层压板的可燃树脂含量为 28% 至 33.6%(可使用通常用于玻璃纤维增强材料的烧尽法验证树脂含量)。对于可燃性测试,应使用双层玻璃纤维织物层压板,每层的经向相同。 存储 Epocast ® 50-A1 树脂/硬化剂 9816 应存放在干燥处,存放在原装密封容器中,温度介于 2°C 至 40°C(35.6°F 至 104°F)之间。每次使用后,请重新密封容器。在这些存储条件下,产品的保质期为自发货之日起 1 年(到期日期可能因客户规格而异)。产品不应暴露在直射阳光下。
1 样品为使用 #1581 或 7781 玻璃的 12 层层压板(否则为纯树脂样品)。 2 样品也可在 77°F 下固化 1 小时 + 在 212°F 下固化 2 小时 3 应验证每层层压板的可燃树脂含量为 28 至 33.6%(可使用通常用于玻璃纤维增强材料的烧尽法验证树脂含量)。对于可燃性测试,应使用两层玻璃纤维织物层压板,每层的经向相同。 存储 Epocast ® 50-A1 树脂/硬化剂 946 应存放在干燥处,放在原装密封容器中,温度在 2°C 至 40°C(35.6°F 至 104°F)之间。每次使用后应重新密封容器。在这些储存条件下,产品自发货之日起保质期为 1 年(有效期可能因客户要求而异)。产品不应暴露在直射阳光下。
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