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利用晶体管折叠布局作为 RHBD 技术......
随着晶体管特征尺寸的减小，HE 对高能粒子的敏感性会增加 [1-3]。由于电子系统广泛用于恶劣环境，文献中对缓解辐射影响的技术进行了大量的研究 [4-7]。可以从制造工艺修改到不同的设计实现来探索辐射加固策略。掺杂分布的修改、沉积工艺的优化和不同材料的使用都是众所周知的工艺加固辐射 (RHBP) 技术的例子。然而，除了成本较高之外，RHBP 通常比最先进的 CMOS 工艺落后几代，导致性能低下。另一方面，辐射加固设计 (RHBD) 已被证明可有效增强对辐射效应的抵抗力 [7]。这些技术可以在从电路布局到系统设计的不同抽象级别上实现。单粒子效应 (SEE) 的产生机制与集成电路 (IC) 的物理布局密切相关，例如，晶体管 pn 结中的能量沉积和电荷收集之间的关系。因此，可以在电路布局级别应用多种硬化方法，例如封闭布局晶体管 (ELT)、保护环、虚拟晶体管/栅极或双互锁存储单元 (DICE) [6-9]。
利用晶体管折叠布局作为RHBD技术针对单个事件瞬变
随着晶体管特征大小的降低，对能量颗粒的敏感性会增加[1-3]。由于电子系统在恶劣的环境中的广泛使用，对辐射效应的缓解技术已在文献中得到了大量研究[4-7]。可以从制造过程修改到不同设计实现的辐射硬化策略。修改掺杂曲线，对沉积过程的优化和使用不同材料的使用是按过程（RHBP）技术众所周知的辐射硬化的示例。但是，除了其较高的成本外，RHBP通常是最先进的CMOS流程后面几代人，导致低级性能。另一方面，通过设计（RHBD）进行辐射硬化可有效提供对辐射效应的硬度[7]。这些技术可以从电路布局到系统设计的不同级别的抽象级别实现。单事件效应（SEE）的产生机制与综合电路（ICS）的物理布局密切相关，例如，在晶体管的P-N连接中，能量沉积和电荷收集之间的关系。因此，可以在电路布局级别上应用几种硬化方法，例如封闭的布局晶体管（ELT），防护环，虚拟晶体管/门或双互锁存储单元（DICE）[6-9]。
轴心相机站Pro网络安全
服务器和轴设备之间的通信使用TLS 1.2或更新的设备配置。对于具有Axis OS固件5.70或更高版本的设备，默认情况下启用了HTTPS，并使用Axis Camera Station生成的自签名证书。您还可以使用自己的证书授权（CA）中的证书。有关如何配置HTTPS设置或证书的信息，请访问以下页面：Axis Camera Station Pro用户手册 - 确保第三方设备（例如ONVIF配置文件设备）的证书，可能需要手动添加证书。与设备制造商联系以获取特定说明。需要在“轴OS Hardening指南”中找到有关固定轴设备的更多详细信息，以便允许正确连接：端口列表
INCONEL® 合金 718 - 特殊金属
对于大多数应用，INCONEL 718 合金被指定为：固溶退火和沉淀硬化（沉淀硬化、时效硬化和沉淀热处理是同义词）。合金 718 通过将次生相（例如伽马素和伽马双素）沉淀到金属基体中而硬化。这些镍（铝、钛、铌）相的沉淀是通过在 1100 至 1500°F 的温度范围内进行热处理引起的。为了使这种冶金反应正常进行，时效成分（铝、钛、铌）必须溶解（溶解在基体中）；如果它们以其他相的形式沉淀或以其他形式组合，则它们将无法正确沉淀，并且无法实现合金的全部强度。要执行此功能，必须首先对材料进行固溶热处理（固溶退火是同义词）。INCONEL 718 合金通常采用两种热处理： •固溶退火温度为 1700-1850°F，然后快速冷却（通常在水中），再加上在 1325°F 下沉淀硬化 8 小时，炉冷至 1150°F，在 1150°F 下保持，总时效时间为 18 小时，然后空气冷却。•固溶退火温度为 1900-1950°F，然后快速冷却（通常在水中），再加上在 1400°F 下沉淀硬化 10 小时，炉冷至 1200°F，在 1200°F 下保持，总时效时间为 20 小时，然后空气冷却。如果材料需要进行机械加工、成型或焊接，则通常在轧机退火或应力消除状态下购买。然后在材料最具延展性的状态下进行制造。制造后，可以根据适用规范的要求进行热处理。
运输安全设计考虑因素
本文件概述了交通系统的主要资产——公交车、轨道车辆以及交通基础设施和通信，并对每种资产固有的各种攻击方法的脆弱性进行了初步评估。此外，本文件还讨论了访问管理、系统集成和通信等主题，这些主题对于保护交通资产都至关重要。尽管许多主题领域在文件中是分开讨论的，但资源的用户必须认识到所提出的考虑因素和强化策略之间的相互关联。因此，在制定保护和强化维护设施或铁路终点站的策略时，参考基础设施和访问管理部分将提供额外的价值。