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World File Search SystemHeusler
研究网络分析和机器学习模型
Aparna Ashok，1 Anjana S Desai，1 Rajesh Mahadeva，2 Shashikant P. Patole，2 Brajesh Pandey 3和Neeru Bhagat 1，*抽象的Heusler Alloys是一类令人难以置信的金属间材料，具有不同的成分，超过1500名成员。尽管发现了一个世纪，但它们是物理和材料科学研究的活跃领域。应用的新型特性和潜在的领域不断实现。由于其形状的记忆行为和在执行器设备的开发中的前瞻性相关性，也对合金系统进行了广泛的研究，其中通过应用外部磁场来控制菌株。Heusler合金目前是感兴趣的材料，因为它们的性质导致它们用作形状的内存合金和拓扑绝缘子。因此，在合成之前，必须预测和确定其组成和结构。利用常规方法来确定属性的可能变化和所提出的组成的结构是乏味且耗时的。在当前以消费主义为导向的环境中，我们需要一种更快的方法来预测所需应用的合金或化合物或其他参数的结构。进行预测后，必须通过合成材料并表征其行为来对其进行实验测试。该分析以一种有监督的机器学习方法的重点关注网络分析，以研究Heusler合金的特性，并将其用作形状内存合金。
用于半导体自旋电子器件的半金属 Heusler 合金/GaN 异质结构
由于纤锌矿半导体中的自旋轨道耦合与闪锌矿半导体相比相对较弱，因此 III 族氮化物半导体 GaN 是用于高性能光学半导体自旋电子器件（如自旋激光器）的有前途的材料。为了降低自旋激光器的工作功率，有必要展示从铁磁材料到具有低电阻接触的 GaN 的高效电自旋注入。这里，通过在 CFAS 和 GaN 之间插入超薄 Co 层，开发了外延半金属 Heusler 合金 Co 2 FeAl x Si 1 − x (CFAS)/GaN 异质结构。CFAS/ n + -GaN 异质结清楚地显示了隧道传导，整流非常小，电阻面积积低至 ≈ 3.8 k 𝛀 μ m 2，比以前工作中报道的要小几个数量级，在室温下。使用具有 CFAS/ n + -GaN 接触的横向自旋阀装置，在低温下观察到非局部自旋信号和 Hanle 效应曲线，表明块状 GaN 中存在纯自旋电流传输。在高达室温的温度下观察到自旋传输，在低于 2.0 V 的低偏置电压下具有 0.2 的高自旋极化。这项研究有望为具有高度自旋极化和低电阻接触的 GaN 基自旋电子器件开辟一条道路。
纳米级非共线旋转纹理D2D Heusler Compound
和铁磁交换相互作用。也许最广泛研究的旋转纹理是，首先是在非中心体B20化合物中观察到的类似Bloch的天空，无论是在单个Crys-talls [5]中，在[10]和第二个薄膜中的外皮膜中，第二，在薄膜中层中的Néel-like skyrim层中的néel-like skyrim层中的厚度金属层和厚度的厚度层均层层。[6,11]前者依赖于体积，后者是派生的dmi界面。在最近的研究中，已经证明了基于四Yz的逆元2 yz的抗速素家族可以维持磁性反孔m，[12-14]另一种类型的非共线性自旋纹理，表现出独特的拓扑特征，此外，椭圆形的bloch skyrmions。[15]这些纹理是基础D 2D晶体对称性的结果，该晶体对称性必然引起各向异性DMI。该DMI还导致反对者在场和温度方面的稳定性增强，并且通过简单地改变存在的薄片的厚度来使其大小的极端可调性。[16,17]后者是偶极 - 偶极相互作用的结果，在与低对称性相对的相对量中很重要，例如D 2D，也解释了同一材料系统中椭圆形Bloch Skyrmions的可能性。[15,18,19]
高亮度同步辐射有助于确定半金属合金的最佳成分
由于自旋极化受 Heusler 合金元素组成的影响，因此表征和优化 Heusler 合金的原子组成以实现最高自旋极化非常重要。但目前用于确定半金属自旋极化的方法要么耗时，要么仅提供间接测量。
测试半 Heusler PdYBi 和 PtYBi (111) 外延薄膜的拓扑绝缘体行为
拓扑绝缘体是凝聚态物理学中很有前途的材料，因为它们具有特殊的自旋结构，可以产生非常高的自旋到电荷电流相互转换，这对于新兴的低能耗自旋电子学器件具有重要意义。本研究的目的是探索一类有前途的拓扑材料，这些材料具有高可调性等独特特性——半赫斯勒。我们专注于 PdYBi 和 PtYBi 薄膜的外延生长，这些薄膜是在一系列互连的 UHV 装置上生长和表征的，这使我们能够获得一整套原位表面表征，例如电子衍射、扫描隧道显微镜和角度分辨光电子能谱。使用标准 x 射线衍射和扫描透射电子显微镜进行非原位结构表征，用于控制薄膜中的晶体质量和化学有序性。进行了角分辨光电子能谱分析，结果显示布里渊区点附近存在线性状态。此外，我们使用设计了几何形状的片上器件进行热自旋传输测量，以控制热传播，以测试我们化合物的潜在相互转换效率，发现 PdYBi 和 PtYBi 在不同厚度下的自旋塞贝克系数值都大于铂。这一观察结果为使用半赫斯勒开发高效自旋相互转换材料开辟了道路。
单层MNA的电子和磁性结构（111）
最近，基于控制旋转的电流已经在电子工业中开设了一门名为Spintronics的新学科[1-6]。半金属是在Spintronics行业中合适的候选材料，以增加NMR和GMR中的磁性记忆和应用。[7]这些材料在另一个自旋和半导体中是金属，在费米表面附近有一个间隙。因此，这些材料是完全磁性的，并且在费米表面附近具有较大的磁性极化。一般而言，三类的半金属命名为二进制和全赫斯勒，而半身的化合物则引起了人们的强烈关注[8-10]。Groot等人首次预测NIMNSB和PTMNSB Heusler化合物的半金属特性[11,12]。然后，其他半金属啤酒器化合物（HM），例如Comnsi，是
DR. NIKITA ACHARYA 物理学助理教授 电话
KScSn 半 Heusler 化合物的热电研究。出版物 - 第二届凝聚态和应用物理国际会议 (ICC-2017)，由印度拉贾斯坦邦比卡内尔政府工程学院物理系组织，2017 年 11 月 24-25 日。1953，110036（1-3）（2018）
在四方逆中调节磁性反斯格明子稳定性……
识别支持环境温度下复杂可调磁序的材料是开发新型磁性设备架构的基础。我们报告了 Mn 2 XY 四方逆 Heusler 合金的设计，该合金能够承载磁性反斯格明子，其稳定性对弹性应变敏感。我们首先构建一个通用磁哈密顿量，捕捉这些材料中可能出现的短程和长程磁序。该模型揭示了接近磁相边界所必需的关键磁相互作用组合，其中磁结构极易受到弹性应变等小扰动的影响。然后，我们通过计算搜索可以实现这些关键相互作用的四元 Mn 2 (X 1 , X 2 ) Y 合金，这些合金很可能在逆 Heusler 结构中合成。我们认为 Mn2Pt1-zXzGa 材料系列（其中 X = Au、Ir、Ni）是获取所有可能磁相的理想系统，具有几种可以通过机械方式驱动磁相变的关键组成。
HBNI - RRCAT 错误研究概况 (1)
Arup Banerjee 博士 banerjee 教授 Mukesh Joshi 博士 mukesh 教授 JAChakera 博士 chakera 教授 Satya Ram Mishra 博士 srm 教授 Aparna Chakrabarti 博士 aparna 教授 密度泛函理论 合金、氧化物和二维材料 (1) 基于 Heusler 合金的磁隧道结的电子和传输特性：第一性原理研究；计算材料科学，216，111582 (2023)；(2) 揭示 Co1+xMnSb Heusler 合金中的超结构排序及其对结构、磁性和电子特性的影响；Phys. Rev. B 105, 184106 (2022)；(3) 研究 CoMnSb 超结构的结构、磁性和电子特性：DFT 研究；计算材料科学，210，111441 (2022)； (4) 半 Heusler 硫族化合物的力学、晶格动力学、电子和热电性质研究：DFT 研究；固体物理与化学杂志，167，110704 (2022)； (5) 间接带隙 AlGaAs 中 X 谷电子自旋弛豫中线性 k 向 Dresselhaus 分裂的特征；物理评论 B 104，115202 (2021)； (6) Ni2MnGa(001) 表面 Cr 吸附层的表面终止和厚度相关磁耦合：从头算研究；磁学与磁性材料杂志，540，168398 (2021)； (7) 从第一性原理计算研究 H2、CO 和 NO 气体分子在硫化钼和硫化钨单层上的吸附； Surface Science, 714, 121910 (2021); (8) 裂变气体原子 Xe 和 Kr 在用 3d 过渡金属功能化的 MoS2 单层上的吸附的从头算研究；Journal of Physical Chemistry C, 125(2), 1493 (2021); (9) 探究 CoxTaZ（Z = Si、Ge、Sn 和 x = 1、2）的马氏体转变和热电性质：基于密度泛函理论的研究；Journal of Physics - Condensed Matter, 33(4), 045402 (2020); (10) 高性能锂离子
印度孟买理工学院物理系
KG Suresh 研究领域：磁学和自旋电子学、拓扑物质、磁性 Skyrmions 过去几年，我的主要研究工作是识别用于包括自旋电子学在内的多功能应用的新型和潜在材料。为此，我们主要关注 Heusler 合金系列。这项工作涉及各种常规表征技术，以及一些先进和复杂的设施，例如同步辐射。我们已成功识别出一些用于半金属铁磁体、自旋无间隙半导体、双极磁性半导体和自旋半金属的潜在材料。这是通过将实验结果与理论研究相结合而实现的。从这个角度来看，还有更多的系统需要探索。最近，我们还开始关注拓扑半金属，也称为新型量子材料，其特征是块体和表面的性质不同。它们具有由块体能带结构的拓扑引起的不同表面状态。拓扑狄拉克或韦尔半金属在称为狄拉克点或韦尔点的点周围表现出线性色散。其中一个可以寻找此类材料的家族是 Heusler 合金。拟议的工作主题